System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种晶体谐振器及其制作工艺制造技术_技高网

一种晶体谐振器及其制作工艺制造技术

技术编号:40975441 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 21:23
本发明专利技术涉及一种晶体谐振器及其制作工艺,该晶体谐振器,包括陶瓷基座、金属盖体和压电晶片,所述陶瓷基座相对的两面分别设置有导通的第一电极和第二电极,导通的所述压电晶片和第一电极均设置于所述陶瓷基座和金属盖体围成的真空密封空间内,所述压电晶片的一端固定于所述陶瓷基座上,另一端可振动,其特征在于,所述真空密封空间内设置有具有吸水性的干燥剂,所述干燥剂的重量是0.9mg±0.2mg。本发明专利技术通过上述设置,解决了现有的晶体谐振器制作工艺复杂,且其内部易入水汽,影响晶体谐振器的性能和稳定性的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件,尤其涉及一种晶体谐振器及其制作工艺


技术介绍

1、晶体谐振器是一种利用晶体材料的压电效应制成的、用来产生高精度振荡频率的电子元件。晶体谐振器在电子设备中广泛应用,如振荡器、计时器、时钟电路和无线通信系统等,以确保精确的时序和频率稳定性。

2、现有技术中的晶体谐振器一般是在陶瓷基座上开设槽口,然后将压电晶片固定在槽内,最后将金属盖子焊接在槽口,使压电晶片被密封在槽内。晶体谐振器是微型化电子元件,其尺寸很小,因此将盖子焊接在槽口的操作难度较高、工艺复杂。另外封装材料有一定透水率,高温高湿环境下,水汽容易进入槽内,水汽会影响晶体谐振器的性能和稳定性,导致晶体谐振器的老化和损坏,降低了设备的寿命和可靠性。


技术实现思路

1、为了解决现有的晶体谐振器制作工艺复杂,且其内部易入水汽,影响晶体谐振器的性能和稳定性的缺陷,本专利技术提出了一种晶体谐振器及其制作工艺。

2、本专利技术采用的技术方案是,一种晶体谐振器,包括陶瓷基座、金属盖体和压电晶片,所述陶瓷基座相对的两面分别设置有导通的第一电极和第二电极,导通的所述压电晶片和第一电极均设置于所述陶瓷基座和金属盖体围成的真空密封空间内,所述压电晶片的一端固定于所述陶瓷基座上,另一端可振动,所述真空密封空间内设置有具有吸水性的干燥剂,所述干燥剂的重量是0.9mg±0.2mg。

3、优选的,所述干燥剂靠近所述压电晶片固定的一端设置。

4、优选的,所述干燥剂的材质为树脂、硅胶、氧化铝、氯化钙或无水硫酸镁中的一种。

5、优选的,所述陶瓷基座为平板状,所述金属盖体的表面设置有凹槽,所述陶瓷基板将所述凹槽的槽口密封并形成所述真空密封空间。

6、优选的,所述凹槽的槽口周侧设置有密封胶,所述陶瓷基板通过所述密封胶与所述金属盖体粘接,并密封所述凹槽的槽口。

7、优选的,所述干燥剂设置在所述凹槽的槽底。

8、优选的,所述陶瓷基座和所述压电晶片之间设置有垫高件,所述垫高件使所述压电晶片振动的一端的可振动幅度更大。

9、优选的,所述金属盖体的凹槽内高度为0.9mm,所述压电晶片的长度为4.5mm,所述垫高件使所述压电晶片与所述陶瓷基座之间形成的角度为4°±1°。

10、优选的,所述压电晶片上设置有晶片电极,所述晶片电极与所述第一电极导通,所述晶片电极与所述第一电极之间设置有导电剂,所述导电剂的材质为银胶或碳胶。

11、本专利技术还提出了一种晶体谐振器的制作工艺,包括以下步骤:将压电晶片的一端固定在陶瓷基座上,另一端可振动,使晶片电极与第一电极导通;在金属盖体上设置重量为0.9mg±0.2mg的干燥剂;将所述金属盖体和陶瓷基座密封形成真空密封空间,使所述压电晶片、第一电极和干燥剂置于所述真空密封空间内。

12、优选的,所述将所述金属盖体和陶瓷基座密封形成真空密封空间,使所述压电晶片、第一电极和干燥剂置于所述真空密封空间内,具体包括以下步骤:通过冲压或刻蚀或液态金属成型形成表面具有凹槽的所述金属盖体;将所述金属盖体的槽口周侧蘸取密封胶;将所述金属盖体的槽口周侧与所述陶瓷基座粘接形成所述真空密封空间,使所述压电晶片、第一电极和干燥剂置于所述真空密封空间内;密封胶固化。

13、优选的,所述将压电晶片的一端固定陶瓷基座上,另一端可振动,具体包括以下步骤:在所述陶瓷基座上点垫高胶;垫高胶固化;在所述陶瓷基座上点固定胶;将压电晶片的一端与固定胶连接,中部设置在所述垫高胶上,使所述压电晶片与所述陶瓷基座之间形成的角度为4°±1°;固定胶固化。

14、与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:

15、1、在陶瓷基座和金属盖体围成的真空密封空间内设置有具有吸水性的干燥剂,干燥剂的重量在0.7mg到1.1mg之间,可以吸收真空密封空间大部分的水汽,减缓压电晶片的老化、损坏,晶体谐振器的性能、稳定性更好,使用寿命更长,可靠性更高;

16、2、陶瓷基座设置为平板状,无需对陶瓷基座进行更为精细的加工。将金属盖体设置为表面有凹槽的结构,金属的韧性要明显强于陶瓷,可以容易的采用铣削、车削或冲压的方式将金属盖体表面加工形成凹槽,工艺简单,操作难度小,良品率高;

17、3、陶瓷基板通过密封胶与金属盖体粘接,与焊接相比,胶粘密封通常不涉及高温处理,因此更具有优势,气密性更好,也不会导致晶体谐振器变形,晶体谐振器的良品率更高。

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【技术保护点】

1.一种晶体谐振器,包括陶瓷基座、金属盖体和压电晶片,所述陶瓷基座相对的两面分别设置有导通的第一电极和第二电极,导通的所述压电晶片和第一电极均设置于所述陶瓷基座和金属盖体围成的真空密封空间内,所述压电晶片的一端固定于所述陶瓷基座上,另一端可振动,其特征在于,所述真空密封空间内设置有具有吸水性的干燥剂,所述干燥剂的重量是0.9mg±0.2mg。

2.根据权利要求1所述的晶体谐振器,其特征在于,所述干燥剂靠近所述压电晶片固定的一端设置。

3.根据权利要求2所述的晶体谐振器,其特征在于,所述干燥剂的材质为树脂、硅胶、氧化铝、氯化钙或无水硫酸镁中的一种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶体谐振器,其特征在于,所述陶瓷基座为平板状,所述金属盖体的表面设置有凹槽,所述陶瓷基板将所述凹槽的槽口密封并形成所述真空密封空间。

5.根据权利要求4所述的晶体谐振器,其特征在于,所述凹槽的槽口周侧设置有密封胶,所述陶瓷基板通过所述密封胶与所述金属盖体粘接,并密封所述凹槽的槽口。

6.根据权利要求5所述的晶体谐振器,其特征在于,所述干燥剂设置在所述凹槽的槽底。

7.根据权利要求1-3、5或6中任一项所述的晶体谐振器,其特征在于,所述陶瓷基座和所述压电晶片之间设置有垫高件,所述垫高件使所述压电晶片振动的一端的可振动幅度更大。

8.根据权利要求7所述的晶体谐振器,其特征在于,所述金属盖体的凹槽内高度为0.9mm,所述压电晶片的长度为4.5mm,所述垫高件使所述压电晶片与所述陶瓷基座之间形成的角度为4°±1°。

9.根据权利要求1-3、5、6或8中任一项所述的晶体谐振器,其特征在于,所述压电晶片上设置有晶片电极,所述晶片电极与所述第一电极导通,所述晶片电极与所述第一电极之间设置有导电剂,所述导电剂的材质为银胶或碳胶。

10.一种晶体谐振器的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:

11.根据权利要求10所述的晶体谐振器的制作工艺,其特征在于,所述将所述金属盖体和陶瓷基座密封形成真空密封空间,使所述压电晶片、第一电极和干燥剂置于所述真空密封空间内,具体包括以下步骤:

12.根据权利要求10所述的晶体谐振器的制作工艺,其特征在于,所述将压电晶片的一端固定陶瓷基座上,另一端可振动,具体包括以下步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种晶体谐振器,包括陶瓷基座、金属盖体和压电晶片,所述陶瓷基座相对的两面分别设置有导通的第一电极和第二电极,导通的所述压电晶片和第一电极均设置于所述陶瓷基座和金属盖体围成的真空密封空间内,所述压电晶片的一端固定于所述陶瓷基座上,另一端可振动,其特征在于,所述真空密封空间内设置有具有吸水性的干燥剂,所述干燥剂的重量是0.9mg±0.2mg。

2.根据权利要求1所述的晶体谐振器,其特征在于,所述干燥剂靠近所述压电晶片固定的一端设置。

3.根据权利要求2所述的晶体谐振器,其特征在于,所述干燥剂的材质为树脂、硅胶、氧化铝、氯化钙或无水硫酸镁中的一种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶体谐振器,其特征在于,所述陶瓷基座为平板状,所述金属盖体的表面设置有凹槽,所述陶瓷基板将所述凹槽的槽口密封并形成所述真空密封空间。

5.根据权利要求4所述的晶体谐振器,其特征在于,所述凹槽的槽口周侧设置有密封胶,所述陶瓷基板通过所述密封胶与所述金属盖体粘接,并密封所述凹槽的槽口。

6.根据权利要求5所述的晶体谐振器,其特征在于,所述干燥剂设置在所述凹槽的槽底。...

【专利技术属性】
技术研发人员:高青刘其胜
申请(专利权)人:深圳市晶峰晶体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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