【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种发光二极管外延片制备方法及外延片。
技术介绍
1、氮化镓(gan)作为宽禁带半导体的代表，多年来在全世界半导体领域的研究中，始终保持着非常高的热度和关注度；这得益于材料本身优良的性能：直接带隙、较宽的禁带宽度、抗腐蚀性好、结构稳定；而与之相关的器件中，gan发光二极管(light-emitting diode，即led)获得了巨大的成功，在照明、显示等领域发挥了重要作用。不过目前，技术成熟的传统c面gan基led依然存在问题：droop效应，即大注入电流条件下，led内量子效率快速降低的现象。其成因有较多争论，目前主流的解释方法有俄歇复合和载流子泄漏。为了更好的将电子限制在有源区中，在多量子阱生长完之后生长禁带宽度更大的algan层作为电子阻挡层，有效抑制电子穿过有源区。
2、目前的algan层作为电子阻挡层存在以下劣势，第一，algan 势垒较高，在阻挡电子泄漏到 p层的同时，还阻挡空穴注入到有源区中；第二，电子阻挡层没有粗化结构出光效率较低。
【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述Mg元素渐变掺杂的AlGaN层的厚度介于1nm～10nm，Al组分介于0.1～0.9，Mg元素掺杂浓度介于1E+17atoms/cm3～1E+19atoms/cm3，且Mg元素掺杂浓度逐渐升高。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述Mg元素渐变掺杂的AlGaN层的沉积温度介于900℃～1200℃，沉积气氛N2/H2/NH3的比例介于1:1:1～1:30:20。
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述mg元素渐变掺杂的algan层的厚度介于1nm～10nm，al组分介于0.1～0.9，mg元素掺杂浓度介于1e+17atoms/cm3～1e+19atoms/cm3，且mg元素掺杂浓度逐渐升高。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述mg元素渐变掺杂的algan层的沉积温度介于900℃～1200℃，沉积气氛n2/h2/nh3的比例介于1:1:1～1:30:20。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述非掺杂algan层的厚度介于1nm～10nm，al组分介于0.1～0.9。
5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述非掺杂algan层的沉积温度介于900℃～1300℃，沉积气氛n2/h2...
【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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