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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片制备方法及外延片，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上沉积n型GaN层；在n型GaN层上沉积多量子阱层；在多量子阱层上沉积电...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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