一种沟槽栅型的LDMOS器件及其制造方法技术

本申请提供一种沟槽栅型的LDMOS器件及其制造方法，衬底具有沟道区以及漂移区，沟道区中设置有源区以及体区，衬底包括第一沟槽以及第二沟槽，第一沟槽与第二沟槽间隔设置于漂移区中，第二沟槽设置于每两相邻的第一沟槽之间，沟道区设置于第二沟槽与第一沟槽之间，第二沟槽的深度大于沟道区的深度；场氧层设置于第一沟槽的内壁上，栅氧化层设置于第二沟槽的内壁上；场板多晶硅设置于第一沟槽中，场氧层围绕场板多晶硅设置，栅极多晶硅设置于第二沟槽中，栅氧化层围绕栅极多晶硅设置；每一场板多晶硅通过一第一连接部与一体区以及一源区连接，栅极多晶硅与第二连接部连接，以提高LDMOS器件的耐压性，同时降低LDMOS器件的横向尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种沟槽栅型的ldmos器件及其制造方法。

技术介绍

1、bcd工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(bipolar junction transistor，bjt)、互补型金属氧化物半导体(cmos)、双扩散金属氧化物半导体(dmos)的工艺。横向双扩散金属氧化物场效应晶体管（lateral double diffusedmetal oxide semiconductor fieldeffect transistor，ldmos）因增益高，线性范围宽，互调失真小，而被广泛应用在无线通信、医疗电子等各个领域。目前常规的功率ldmos的栅极通常是采用平面型栅极分布，场板也是横向放置，这样会使得ldmos的横向尺寸大，无法有效利用芯片面积。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种沟槽栅型的ldmos器件及其制造方法，以提高ldmos器件的耐压性的同时，降低ldmos器件的横向尺寸。

2、本申请提供一种沟槽栅型的ldmos器件，包括：

3、衬底，具有沟道区以及漂移区，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽栅型的LDMOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽栅型的LDMOS器件，其特征在于，所述第二沟槽与所述第一沟槽之间的距离为0.5-3μm。

3.根据权利要求1所述的沟槽栅型的LDMOS器件，其特征在于，所述第一沟槽以及所述第二沟槽的关键尺寸均为0.3-3μm，所述第一沟槽以及所述第二沟槽的深度均为0.3-3μm。

4.根据权利要求1所述的沟槽栅型的LDMOS器件，其特征在于，所述场氧层的厚度为0.05-1μm，所述栅氧化层的厚度为60-500Å。

5.根据权利要求1所述的沟槽栅型的LDMOS器件，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽栅型的ldmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽栅型的ldmos器件，其特征在于，所述第二沟槽与所述第一沟槽之间的距离为0.5-3μm。

3.根据权利要求1所述的沟槽栅型的ldmos器件，其特征在于，所述第一沟槽以及所述第二沟槽的关键尺寸均为0.3-3μm，所述第一沟槽以及所述第二沟槽的深度均为0.3-3μm。

4.根据权利要求1所述的沟槽栅型的ldmos器件，其特征在于，所述场氧层的厚度为0.05-1μm，所述栅氧化层的厚度为60-500å。

5.根据权利要求1所述的沟槽栅型的ldmos器件，其特征在于，所述沟槽栅型的ldmos器件还包括介质层，所述介质层覆盖于所述漂移区、所述沟道区、所述体区、所述源区、所述场板多晶硅以及所述栅极多晶硅。

6.根据权利要求1所述的沟槽栅型的ldmos器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张日林，刘文虎，张拥华，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：