【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种柔性电子封装用低熔点钎料及其制备方法，属于钎焊材料及其制备。
技术介绍
1、相较于传统硬性封装，柔性电子器件的特殊性要求更灵活、更轻薄的封装方式。传统封装方法往往采用高温工艺，然而，柔性电子器件的制备材料通常对高温敏感，这导致了封装过程中易产生变形、热应力及材料相容性等问题。因此，开发低温钎料、薄膜封装等新型封装工艺十分重要，以应对柔性底板的特殊性，这些技术的引入不仅能够有效降低封装过程中对柔性基材的热应力，低温钎料还可以在相对较低的温度下实现封装，有助于减小热应力对柔性基材的影响，从而提高器件的稳定性和可靠性。
2、然而现有低温钎料的熔点大部分高于100℃，少部分低于100℃的无法兼顾力学性能，因此提供一种兼顾低熔点和高力学性能的低温钎料是十分必要的。
技术实现思路
1、本专利技术为了解决现有低温钎料的低熔点和高性能无法兼得的问题，提供一种柔性电子封装用低熔点钎料及其制备方法。
2、本专利技术的技术方案：
3、本专利技术的目的之一是提供一种低熔点钎料，由以下质量分数的组分组成：sn 13-18％，bi 49-58％，in 27-32％，zn 0-5％，ag 0-4％。
4、进一步限定，zn为0.5wt.％。
5、进一步限定，ag为0.5wt.％。
6、进一步限定，sn为16wt.％，bi为53wt.％，in为30wt.％。
7、进一步限定，熔化温度低于100℃。
8、
9、本专利技术的目的之二是提供一种上述低熔点钎料的制备方法，该方法包括以下步骤：
10、(1)按配比取sn、bi、in、zn和ag金属颗粒置于坩埚中；
11、(2)将混合盐烧熔后倒入坩埚中，以隔绝金属颗粒和氧气；
12、(3)将坩埚置于马弗炉中，在450℃下保温12h进行熔炼，且每间隔30min对熔融金属进行搅拌；
13、(4)熔炼后随炉冷却至室温，脱模，取出铸锭，按照需求制备成焊丝、焊片或焊膏，得到低熔点钎料。
14、进一步限定，混合盐由kcl和licl按照质量比为13:10混合而成。
15、本专利技术的目的之三是提供一种上述低熔点钎料的应用，具体的用于柔性电子封装。
16、进一步限定，使用pi或pet表面镀铜作为柔性基底，在铜基底上涂覆助焊剂后将焊片置于基底上进行装配；将装配好的柔性器件置于回流炉中使用峰值温度120℃的回流曲线对器件进行回流焊接以实现器件的封装；焊接后去除多余助焊剂获得柔性封装器件成品。
17、有益效果：
18、本专利技术提供以sn、bi、in、zn和ag金属为原料制成的低温钎料，其中通过调整sn、bi和in的复配比例，使三者形成三元共晶体系，使熔点降低至80℃左右，并进一步的通过zn和ag加入降低熔点的同时，改善钎料的润湿性。此外，zn和ag的加入不改变sn、bi和in三元合金的主体物相，而是出现了微量的增强相ag5zn8，且增强相均匀的弥散在钎料内部，而不发生团聚，实现了对钎料微观组织的细化，有效改善钎料的力学性能，尤其是焊接接头的剪切强度得到明显改善。
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1.一种低熔点钎料，其特征在于，由以下质量分数的组分组成：Sn 13-18％，Bi 49-58％，In 27-32％，Zn 0-5％，Ag 0-4％。
2.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，Zn为0.5wt.％。
3.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，Ag为0.5wt.％。
4.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，Sn为16wt.％，Bi为53wt.％，In为30wt.％。
5.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，熔化温度低于100℃。
6.根据权利要求5所述的低熔点钎料，其特征在于，熔化温度为80-85℃。
7.一种权利要求1～6任一项所述的低熔点钎料的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，混合盐由KCl和LiCl按照质量比为13：10混合而成。
9.一种权利要求1～6任一项所述的低熔点钎料的应用，其特征在于，用于柔性电子封装。
【技术特征摘要】
1.一种低熔点钎料，其特征在于，由以下质量分数的组分组成：sn 13-18％，bi 49-58％，in 27-32％，zn 0-5％，ag 0-4％。
2.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，zn为0.5wt.％。
3.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，ag为0.5wt.％。
4.根据权利要求1所述的低熔点钎料，其特征在于，sn为16wt.％，bi为53wt.％，in为30wt.％。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张墅野，许孙武，吴建新，吴达铖，
申请(专利权)人：亿铖达科技江西有限公司，
类型：发明
国别省市：
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