【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于军用激光探测器，涉及一种激光光电探测器响应度控制方法。
技术介绍
1、激光探测器光敏芯片是由直径一定的圆形四象限或八象限及保护环等多个反向耐压二极管集成于一个高阻p型或n型硅片上构成，实现光信号的转换。每个象限为一路光电二极管，也是一路信号输出。器件芯片每个象限采用p+πn+结构的pin光电二极管，这种结构对1.06μm脉冲激光探测具有低噪声电流的最佳响应特性。
技术实现思路
1、(一)专利技术目的
2、本专利技术的目的是：提供一种激光光电探测器响应度控制方法，实现对激光探测器核心部件-光敏芯片响应度的控制。
3、(二)技术方案
4、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种激光光电探测器响应度控制方法，在激光光电探测器光敏芯片的芯片厚度、掺杂剂量、光敏面积一定的情况下，通过控制光敏芯片光敏面二氧化硅层的密度及厚度调整来实现响应度的最大值和最小值调整。
5、其中，激光光电探测器的响应度用下述公式计算：
6、re＝ηλ/
【技术保护点】
1.一种激光光电探测器响应度控制方法，其特征在于，在激光光电探测器光敏芯片的芯片厚度、掺杂剂量、光敏面积一定的情况下，通过控制光敏芯片光敏面二氧化硅层的密度及厚度调整来实现响应度的最大值和最小值调整。
2.如权利要求1所述的激光光电探测器响应度控制方法，其特征在于，激光光电探测器的响应度用下述公式计算：
3.如权利要求2所述的激光光电探测器响应度控制方法，其特征在于，激光光电探测器响应度公式中，λ是固定参数，跟η相关的r1、r2、d1、d2以及W参数固定，α考虑的是硅对1.06μm波长激光的吸收系数，在制备芯片时，在光敏区域生长一层致密的二氧化...
【技术特征摘要】
1.一种激光光电探测器响应度控制方法，其特征在于，在激光光电探测器光敏芯片的芯片厚度、掺杂剂量、光敏面积一定的情况下，通过控制光敏芯片光敏面二氧化硅层的密度及厚度调整来实现响应度的最大值和最小值调整。
2.如权利要求1所述的激光光电探测器响应度控制方法，其特征在于，激光光电探测器的响应度用下述公式计算：
3.如权利要求2所述的激光光电探测器响应度控制方法，其特征在于，激光光电探测器响应度公式中，λ是固定参数，跟η相关的r1、r2、d1、d2以及w参数固定，α考虑的是硅对1.06μm波长激光的吸收系数，在制备芯片时，在光敏区域生长一层致密的二氧化硅层，对光敏芯片p+区域保护，增加pin光电二极管对1.06μm波长激光的吸收率，采用λ/4激光波长厚度的氧化层激光透射率最高；基于此，通过制作λ/4nsio2～λ/2nsio2激光波长厚度的氧化层来控制光敏芯片吸收系数α，从而控制光敏芯片响应度，nsio2为氧化层...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘小会，苏洁梅，秋月瓴，姜滔，郑皓宇，刘从吉，
申请(专利权)人：西南技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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