【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,cmos)图像传感器领域，尤其涉及一种梯度埋沟型传输栅cmos图像传感器像素。
技术介绍
1、图像传感器是一种将光信号转换为电信号，并最终实现成像功能的器件，主要包括电荷耦合器件(charge coupled device,ccd)图像传感器和cmos图像传感器。近二十年来，cmos图像传感器凭借其低功耗、低成本和高集成度等特性而被广泛用于医学、安防、空间探测及消费电子等各种成像领域。
2、四管(four-transistor,4t)有源像素依赖其低噪声、高性能等特点成为cmos图像传感器中主流的像素结构。其主要由衬底、浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)、自钳位光电二极管(pinned photodiode,ppd)、浮动扩散节点(float diffusion，fd)、传输栅(transfer gate,tg)、复位管、源跟随器(source follower,sf)和行选
【技术保护点】
1.一种梯度埋沟型传输栅CMOS图像传感器像素，其特征在于，浅沟槽隔离STI位于衬底最左端，自钳位光电二极管PPD位于浅沟槽隔离STI右侧，自钳位光电二极管PPD与浮动扩散节点FD均位于衬底中，传输栅TG固定于衬底上表面，正对自钳位光电二极管PPD与浮动扩散节点FD之间；自钳位光电二极管PPD通过传输栅TG与浮动扩散节点FD连接，浮动扩散节点FD另一端连接复位管的源极和源跟随器SF的栅极；源跟随器SF和复位管的漏极均连接在偏置电压VDD上，源跟随器SF的源极连接行选管的漏极，行选管的源极即为信号的列级输出。
2.根据权利要求1所述的梯度埋沟型传输栅CMOS...
【技术特征摘要】
1.一种梯度埋沟型传输栅cmos图像传感器像素，其特征在于，浅沟槽隔离sti位于衬底最左端，自钳位光电二极管ppd位于浅沟槽隔离sti右侧，自钳位光电二极管ppd与浮动扩散节点fd均位于衬底中，传输栅tg固定于衬底上表面，正对自钳位光电二极管ppd与浮动扩散节点fd之间；自钳位光电二极管ppd通过传输栅tg与浮动扩散节点fd连接，浮动扩散节点fd另一端连接复位管的源极和源跟随器sf的栅极；源跟随器sf和复位管的漏极均连接在偏置电压vdd上，源跟随器sf的源极连接行选管的漏极，行选管的源极即为信号的列级输出。
2.根据权利要求1所述的梯度埋沟型传输栅cmos图像传感器像素，其特征在于，所述自钳位光电二极管ppd与浅沟槽隔离sti之间存在空隙。
3.根据权利要求1所述的梯度埋沟型传输栅cmos图像传感器像素，其特征在于，所述衬底为p型掺杂。
4.根据权利要求1所述的梯度埋沟型传输栅cmos图像传感器像素，其特征在于，所述浅沟槽隔离sti使得相邻传感器像素之间形成浅沟槽隔离结构，防止相邻像素之间的串扰。
5.根据权利要求1所述的梯度埋沟型传输栅cmos图像传感器像素，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵品园，张钰，林桢威，戴凌涛，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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