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本发明公开了一种梯度埋沟型传输栅CMOS图像传感器像素，其中浅沟槽隔离位于衬底最左端，自钳位光电二极管位于浅沟槽隔离右侧，自钳位光电二极管与浮动扩散节点均位于衬底上，传输栅固定于衬底上表面，正对自钳位光电二极管与浮动扩散节点之间；自钳位光电...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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