【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，具体而言，涉及一种晶体管及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、近年来，氧化物薄膜晶体管技术逐渐实现了产业化，目前在高分辨率(8k)、高刷新率(120hz)大尺寸(65&110inch)等领域取得瞩目成就。传统氧化物薄膜晶体管主要采用单层氧化物作为沟道层，但是随着产品的升级，传统顶栅结构的氧化物晶体管不能满足使用需求。
技术实现思路
1、本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种晶体管及其制备方法、显示面板。
2、根据本公开的一个方面，提供一种晶体管，包括：衬底；半导体层，位于所述衬底的一侧，所述半导体层包括沿背离所述衬底的方向层叠的第一半导体结构和第二半导体结构；其中，所述第二半导体结构在所述衬底的正投影覆盖所述第一半导体结构在所述衬底的正投影；所述第一半导体结构的载流子极性与所述第二半导体结构的载流子极性相反，且所述第一半导体结构的载流子迁移率小于所述第二半导体结构的载流子迁移率。
3、在本公开的示例性实施例中，所述第一半导体结构的材料为金属氧化物，所述第二半导体结构的材料为碳纳米管。
4、在本公开的示例性实施例中，所述第二半导体结构的厚度与所述第一半导体结构的厚度之比为0.2～5。
5、在本公开的示例性实施例中，所述第二半导体结构包括依次连接的源极区、沟道区和漏极区；所述晶体管还包括：栅金属层，位于所述半导体层背离所述衬底的一侧，所述栅金属层包括用于形成晶体管栅极的栅极部，所述栅极部在所述衬底的正投
6、在本公开的示例性实施例中，所述栅绝缘部还覆盖所述源极区和所述漏极区。
7、在本公开的示例性实施例中，所述第一绝缘层为有机聚合物层。
8、在本公开的示例性实施例中，所述晶体管还包括：第二绝缘层，在所述栅金属层背离所述衬底的一侧分别覆盖所述栅极部、所述沟道区和所述漏极区，且所述第二绝缘层的材料为有机材料。
9、在本公开的示例性实施例中，所述晶体管还包括：第二绝缘层，在所述栅金属层背离所述衬底的一侧覆盖所述栅极部和所述第一绝缘层，所述第二绝缘层的材料为有机材料或无机材料。
10、在本公开的示例性实施例中，所述晶体管还包括：源漏金属层，位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧，所述源漏金属层包括：第一导电部，通过过孔连接所述源极区，用于形成所述晶体管的源极；第二导电部，通过过孔连接所述漏极区，用于形成所述晶体管的漏极；其中，形成所述第一导电部和所述第二导电部的材料为第一导电材料，形成所述第二半导体结构的材料为第二半导体材料，所述第一导电材料的功函数与所述第二半导体材料的功函数的比值为0.7～1.3。
11、在本公开的示例性实施例中，所述第一导电材料为ito、tinx、mo、al、ti、cu、pd中的一种或多种。
12、在本公开的示例性实施例中，所述晶体管还包括：遮光层，位于所述衬底和所述半导体层之间，所述遮光层包括遮光部，所述遮光部在所述衬底的正投影覆盖所述第一半导体结构在所述衬底的正投影，且所述遮光部通过过孔连接所述第一导电部或所述第二导电部。
13、根据本公开的第二方面，还提供一种晶体管的制备方法，用于制备本公开任意实施例所述的晶体管，所述方法包括：提供衬底；利用沉积工艺在所述衬底的一侧依次形成层叠的第一半导体层和第二半导体层，其中，所述第一半导体结构的载流子极性与所述第二半导体结构的载流子极性相反，且所述第一半导体结构的载流子迁移率小于所述第二半导体结构的载流子迁移率；利用构图工艺将所述第一半导体层形成第一半导体结构以及将所述第二半导体层形成第二半导体结构，其中，所述第二半导体结构在所述衬底的正投影覆盖所述第一半导体结构在所述衬底的正投影。
14、在本公开的示例性实施例中，所述第一半导体层的材料为金属氧化物，所述第二半导体层的材料为碳纳米管。
15、在本公开的示例性实施例中，所述方法还包括：利用旋涂工艺在所述第二半导体层背离所述衬底的一侧形成整层第一绝缘层。
16、在本公开的示例性实施例中，所述方法还包括：利用气相沉积工艺在预设温度或预设波长范围的光的照射下在所述第二半导体层背离所述衬底的一侧沉积有机材料形成整层第一绝缘层，其中，所述有机材料在所述预设温度或所述预设波长范围的光的照射下发生聚合反应。
17、在本公开的示例性实施例中，所述第二半导体结构包括沟道区；所述方法还包括：利用构图工艺将所述第一绝缘层形成栅绝缘部，其中，所述栅绝缘部在所述衬底的正投影与所述沟道区在所述衬底的正投影重叠。
18、在本公开的示例性实施例中，所述第二半导体结构还包括连接于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述方法还包括：在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧形成栅金属层，所述栅金属层包括栅极部，所述栅极部在所述衬底的正投影与所述第二半导体结构在所述衬底的正投影重叠；在所述栅金属层背离所述衬底的一侧形成整层第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层上具有与所述源极区和所述漏极区一一对应的过孔；在所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧形成源漏金属层，所述源漏金属层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部、所述第二导电部分别通过所述第二绝缘层的过孔连接所述源极区和所述漏极区；形成所述源漏金属层的材料为第一导电材料，形成所述第二半导体层的材料为第二半导体材料，所述第一导电材料的功函数与所述第二半导体材料的功函数的比值为0.7～1.3。
19、在本公开的示例性实施例中，所述方法还包括：对所述源极区和所述漏极区进行导体化；在所述源漏金属层背离所述衬底的一侧依次形成整面的层间介质层和平滑化层。
20、在本公开的示例性实施例中，在形成所述第一半导体层之前，所述方法还包括：在所述衬底的一侧形成遮光部，其中，所述遮光部在所述衬底的正投影覆盖所述第一半导体结构和所述第二半导体结构在所述衬底的正投影，且所述遮光部通过过孔连接所述第一导电部或所述第二导电部。
21、根据本公开的第三方面，还提供一种显示面板，包括本公开任意实施例所述的晶体管。
22、本公开提供的晶体管，半导体层的第一半导体结构和第二半导体结构均用于形成晶体管的沟道区，通过在第一半导体结构的一侧层叠形成第二半导体结构，且第一半导体结构的载流子迁移率小于第二半导体结构的载流子迁移率，由此可以利用两个不同迁移率的半导体结构使得所形成的晶体管具有双极性特征，从而可以利用晶体管的双极性特性提升晶体管的开关比。
23、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一半导体结构的材料为金属氧化物，所述第二半导体结构的材料为碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二半导体结构的厚度与所述第一半导体结构的厚度之比为0.2～5。
4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二半导体结构包括依次连接的源极区、沟道区和漏极区；
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述栅绝缘部还覆盖所述源极区和所述漏极区。
6.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层为有机聚合物层。
7.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
8.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
9.根据权利要求7或8所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于，所述第一导电材料为ITO、TiNx、Mo、AL、Ti、Cu、Pd中的一种或多种。
11.根据权利
12.一种晶体管的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-11任一项所述的晶体管，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层的材料为金属氧化物，所述第二半导体层的材料为碳纳米管。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
16.根据权利要求14或15所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体结构包括沟道区；所述方法还包括：
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体结构还包括连接于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
19.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一半导体层之前，所述方法还包括：
20.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的晶体管。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一半导体结构的材料为金属氧化物，所述第二半导体结构的材料为碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二半导体结构的厚度与所述第一半导体结构的厚度之比为0.2～5。
4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二半导体结构包括依次连接的源极区、沟道区和漏极区；
5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述栅绝缘部还覆盖所述源极区和所述漏极区。
6.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层为有机聚合物层。
7.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
8.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
9.根据权利要求7或8所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于，所述第一导电材料为ito、tinx、mo、al、ti、cu、pd中的一种或多种。
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩然，顾鹏飞，段正，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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