System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 第14族复合物制造技术_技高网

第14族复合物制造技术

技术编号:40957875 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 20:35
提供了颗粒状复合材料和包含所述颗粒状复合材料的装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的实施方案通常涉及包含第14族元素的球形复合颗粒和包含该颗粒的装置。这些材料通过包括由优先排阻剂促进的多元醇的水热碳化和随后的化学气相渗透(cvi)的方法生产。本专利技术的实施方案通常涉及硅-碳复合材料的生产方法及其物质组合物。所述硅-碳复合物通过如下方法来生产:碳前体材料的水热处理、热解和活化的处理顺序以生产高度微孔的碳颗粒,随后的化学气相渗透以在该微孔的碳颗粒的孔内产生硅,以产生最终的硅-碳复合颗粒。合适的碳前体包括但不限于糖和其它多元醇以及它们的组合。合适的多孔支架包括但不限于多孔碳支架,例如具有包括微孔(小于2nm)、中孔(2至50nm)和/或大孔(大于50nm)的孔体积的碳。通过在升高的温度下将多孔支架暴露于含硅气体(例如硅烷)来实现将硅化学气相渗透(cvi)到所述多孔支架材料的孔中。相关技术描述化学气相渗透cvi是其中气态基材在多孔支架材料内反应的方法。该方法可以用于生产复合材料,例如硅-碳复合物,其中含硅的气体在高温下在多孔碳支架内分解。尽管该方法可以用于制造各种复合材料,但特别关注硅-碳(si-c)复合材料。此类si-c复合材料具有实用性,例如作为储能材料,例如作为锂离子电池组(lib)内的阳极材料。lib有可能替代当前在许多应用中使用的装置。例如,由于在放电期间形成不可逆的、稳定的硫酸盐,当前的铅酸汽车电池组不适于下一代全电动和混合动力电动车辆。锂离子电池组由于其容量和其它考虑因素而成为当前使用的基于铅的系统的可行替代方案。为此,对于开发新的lib阳极材料(特别是硅,其具有比常规石墨高10倍的重量容量)一直存在着浓厚的兴趣。然而,硅在循环期间表现出大的体积变化,从而导致电极劣化和固体电解质中间相(sei)不稳定性。最常见的改善方法是减小硅粒度,例如dv50<150nm、例如dv50<100nm、例如dv50<50nm、例如dv50<20nm、例如dv50<10nm、例如dv50<5nm、例如dv50<2nm,作为离散颗粒或在基质内。迄今为止,用于制造纳米级硅的技术涉及硅氧化物的高温还原、粗放式颗粒细化、多步毒性蚀刻和/或其它高成本的方法。同样地,常见的基质方法涉及昂贵的材料,例如石墨烯或纳米石墨,和/或需要复杂的加工和涂覆。从科学文献中已知不可石墨化(硬)碳作为lib阳极材料是有益的(liu y,xue,js,zheng t,dahn,jr.carbon 1996,34:193–200;wu,yp,fang,sb,jiang,yy.1998,75:201–206;buiel e,dahn jr.electrochim acta 1999 45:121-130)。这种改善的性能的原因在于石墨烯层的无序性质,其允许li离子嵌入在石墨烯平面的任一侧上,从而允许理论上使li离子相对于结晶石墨的化学计量含量加倍。此外,与其中锂化只能平行于堆叠的石墨烯平面进行的石墨相反,无序结构由于允许li离子各向同性地嵌入而改善了材料的倍率能力。尽管具有这些所需的电化学性质,但无定形碳主要由于低fce和低堆密度(<1g/cc)而尚未在商业li离子电池组中得到广泛采用。相反,无定形碳已经更普遍地用作电池组的其它活性材料组件的低质量添加剂和涂层,以改善电导率并减少表面副反应。近年来,作为lib电池组材料的无定形碳已经作为硅阳极材料的涂层而受到了相当大的关注。此类硅-碳核-壳结构不仅有潜力改善电导率,还有潜力缓冲硅在锂化时的膨胀,从而稳定其循环稳定性并最小化与颗粒粉碎、绝缘和sei完整性相关的问题(jung,y,lee k,oh,s.electrochim acta 2007 52:7061–7067;zuo p,yin g,ma y..electrochimacta 2007 52:4878–4883;ng sh,wang j,wexler d,chew sy,liu hk.j phys chem c2007 111:11131–11138)。与这种策略相关的问题包括缺乏适合涂覆工艺的合适的硅起始材料,以及在碳涂覆的硅核-壳复合颗粒内固有地缺乏工程化的空隙空间以适应硅在锂化期间的膨胀。这不可避免地由于核-壳结构的破坏和sei层而导致循环稳定性失效(beattiesd,larcher d,morcrette m,simon b,tarascon,j-m.j electrochem soc 2008 155:a158-a163)。核壳结构的替代方案是其中非晶纳米尺寸的硅均匀地分布在多孔碳支架的孔隙内的结构。多孔碳具有期望的性质:(i)碳孔隙率提供了空隙体积以适应硅在锂化期间的膨胀,从而减少在电极层面处的净复合颗粒膨胀;(ii)无序石墨烯网络为硅提供了增加的电导率,从而实现更快的充电/放电倍率,(iii)纳米孔结构充当硅合成的模板,从而规定了其尺寸、分布和形态。为此,可以通过采用cvi来实现所需的反向分层结构,其中含硅的气体可以完全渗透纳米多孔碳并且在其中分解成纳米尺寸的硅。cvi方法在硅结构方面具有几个优点。一个优点是纳米多孔碳为生长硅提供了成核位点,同时规定了最大的颗粒形状和尺寸。将硅的生长限制在纳米多孔结构内使得降低了破裂或粉碎的易感性和由膨胀引起的接触损失。此外,这种结构促进了纳米尺寸的硅仍然保持非晶相。该性质提供了高充电/放电倍率,特别是与导电碳支架内的硅附近区域相结合时。该系统提供了将锂离子直接传递到纳米级硅界面的高速率能力的固态锂扩散路径。在碳支架内经由cvi提供硅的另一个益处是抑制了不希望的结晶li15si4相的形成。还一个益处是cvi方法在颗粒内部提供了空隙空间。为了测量浸渍到多孔碳的孔隙中的硅的相对量,可以使用热重分析tga。tga可以用于评估驻留于多孔碳的孔隙内的硅相对于存在的总硅(即,孔隙内和颗粒表面上的硅的总和)的分数。当硅-碳复合物在空气中加热时,样品显示出在约300℃至500℃下开始的质量增加,这反映了硅开始氧化成sio2;然后样品由于碳被燃烧掉而显示出质量损失;然后样品显示出质量增加,这反映了硅向sio2的继续转化,在温度接近1100℃时增加至渐近值,硅氧化完成。出于该分析的目的,假定当样品从800℃加热至1100℃时记录的最小质量代表碳完全燃烧掉的点。超过该点的任一其它质量增加对应于硅向sio2的氧化,并且在氧化完成时的总质量是sio2。因此,以硅总量的比例表示的碳燃烧掉后未氧化的硅的百分比可以使用以下公式来确定:z=1.875x[(m1100-m)/m1100]x 100其中m1100是在1100℃的温度下完成氧化时样品的质量,并且m是当样品从800℃加热到1100℃时记录的最小质量。在不受理论束缚的情况下,在tga条件下硅被氧化的温度由于氧原子通过氧化物层的扩散而与硅上的氧化物涂层的长度尺度有关。因此,驻留在碳孔隙内的硅将在比颗粒表面上的硅沉积物更低的温度下氧化,因为在这些表面上必然存在较薄的涂层。以这种方式,z的计算被用于定量地评估未浸渍在多孔碳支架的孔隙内的硅的分数。简要概述本文公开了涉及包含第14族元素的球形的单峰复合材料的组合物和制造方法。如本文所用,“第14族”是指周期表的第14族(iva)。通过产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于制备第14族复合颗粒的方法,所述方法包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中所述水性环境任选地包含共溶剂,所述共溶剂包括醇、烷烃、醚、THF、DMSO、DMF、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇和乙二醇二甲醚中的一种或多种。

3.如权利要求1或2所述的方法,其中将所述水性环境加热至低于或等于所述优先排阻剂的分解温度的温度。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述多元醇是蔗糖。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其中所述优先排阻剂是:Span 80、聚(丙烯酸)、Triton X或它们的组合。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述多元醇与所述优先排阻剂的比率为1000:1或更低。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法,其中所述惰性气体是氮气。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其中所述活化气体是二氧化碳、蒸汽或它们的组合。

9.如权利要求1-8中任一项所述的方法,其还包括搅拌所述水性环境。

10.如权利要求1-9中任一项所述的方法,其中所述含硅气体将硅沉积到所述初级活性炭颗粒的至少一部分表面上。

11.如权利要求1-10中任一项所述的方法,其中未浸渍在所述多孔碳骨架内的硅的分数相对于浸渍在所述多孔碳骨架内的硅的分数,Z,小于10。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述将硅浸渍在所述多孔碳骨架内包括将硅纳米颗粒沉积在所述活性炭颗粒的内部骨架内。

13.如权利要求1-12中任一项所述的方法,其中所述第14族颗粒还包含两种或更多种离散的第14族颗粒,并且其中所述离散的第14族颗粒不团聚。

14.如权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述初级活性炭的孔体积为至少0.6cm3/g。

15.如权利要求1-14中任一项所述的方法,其中通过化学气相注入(CVI)引入所述含硅气体。

16.如权利要求1-15中任一项所述的方法,其中所述含硅气体是硅烷。

17.如权利要求1-16中任一项所述的方法,其还包括浇铸包含所述第14族颗粒的浆料以制备阳极电极。

18.第14族复合物,其包含:

19.如权利要求18所述的第14族复合物,其中Dv50小于或等于5μm。

20.如权利要求18或19所述的第14族复合物,其中所述多孔碳初级颗粒的单个颗粒是离散的、非团聚的颗粒。

21.如权利要求18-20中任一项所述的第14族复合物,其中Z<5。

22.如权利要求18-21中任一项所述的第14族复合物,其中

23.如权利要求18-21中任一项所述的第14族复合物,其中

24.如权利要求18-23中任一项所述的第14族复合物,其还包含:

25.如权利要求18-24中任一项所述的第14族复合物,其中硅与所述多孔碳初级颗粒的重量百分比为10%至80%。

26.第14族复合物,其包含:

27.包含碳和硅的第14族复合物,其中:

28.如权利要求26或27所述的第14族复合物,其还包含小于30m2/g的表面积。

29.如权利要求26-28中任一项所述的第14族复合物,其还包含通过半电池纽扣电池测量的1300mAh/g的最大容量。

30.如权利要求26-29中任一项所述的第14族复合物,其中Dv50小于或等于5μm。

31.如权利要求26-30中任一项所述的第14族复合物,其中Z<5。

32.如权利要求26-31中任一项所述的第14族复合物,其中phi大于或等于0.2。

33.如权利要求26-31中任一项所述的第14族复合物,其中phi大于或等于0.3。

34.如权利要求26-33中任一项所述的第14族复合物,其中所述多孔碳支架具有0.5至0.8的平均球度。

35.储能装置,其包含权利要求26-34中任一项所述的第14族复合物。

36.如权利要求35所述的储能装置,其中所述储能装置是锂硅电池组或锂离子电池组。

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.用于制备第14族复合颗粒的方法,所述方法包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中所述水性环境任选地包含共溶剂,所述共溶剂包括醇、烷烃、醚、thf、dmso、dmf、n-甲基吡咯烷酮、乙二醇和乙二醇二甲醚中的一种或多种。

3.如权利要求1或2所述的方法,其中将所述水性环境加热至低于或等于所述优先排阻剂的分解温度的温度。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述多元醇是蔗糖。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其中所述优先排阻剂是:span 80、聚(丙烯酸)、triton x或它们的组合。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述多元醇与所述优先排阻剂的比率为1000:1或更低。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法,其中所述惰性气体是氮气。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其中所述活化气体是二氧化碳、蒸汽或它们的组合。

9.如权利要求1-8中任一项所述的方法,其还包括搅拌所述水性环境。

10.如权利要求1-9中任一项所述的方法,其中所述含硅气体将硅沉积到所述初级活性炭颗粒的至少一部分表面上。

11.如权利要求1-10中任一项所述的方法,其中未浸渍在所述多孔碳骨架内的硅的分数相对于浸渍在所述多孔碳骨架内的硅的分数,z,小于10。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述将硅浸渍在所述多孔碳骨架内包括将硅纳米颗粒沉积在所述活性炭颗粒的内部骨架内。

13.如权利要求1-12中任一项所述的方法,其中所述第14族颗粒还包含两种或更多种离散的第14族颗粒,并且其中所述离散的第14族颗粒不团聚。

14.如权利要求1-13中任一项所述的方法,其中所述初级活性炭的孔体积为至少0.6cm3/g。

15.如权利要求1-14中任一项所述的方法,其中通过化学气相注入(cvi)引入所述含硅气体。

16.如权利要求1-15中任一项所述的方法,其中所述含硅气体是硅烷。

1...

【专利技术属性】
技术研发人员:亨利·R·克斯坦蒂诺
申请(专利权)人:一四集团技术公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1