【技术实现步骤摘要】
含硅前体在多孔支架材料上的分解
[0001]背景
[0002]本专利技术的实施方案通常涉及制造表现出极其持久的锂嵌入(intercalation)的新型材料的方法。新型材料包含多孔支架,例如具有孔体积(包括微孔、中孔和/或大孔)的碳,其中所述体积浸渍有硅。碳支架的合适的前体包括但不限于糖和多元醇、有机酸、酚化合物和胺化合物。硅的合适的前体包括但不限于硅烷、二硅烷、三硅烷和四硅烷。硅浸渍的多孔支架还可以被涂覆以减少任何剩余的表面积,例如用碳或导电聚合物涂覆。此类硅浸渍的碳材料和碳涂覆或导电聚合物涂覆的硅浸渍的碳材料关于其锂嵌入表现出显著的持久性。
[0003]相关技术的描述
[0004]基于锂的电存储装置具有替代目前在许多应用中使用的装置的潜力。例如,由于在放电期间形成不可逆的、稳定的硫酸盐,目前的铅酸汽车电池不能胜任下一代全电气化车辆和混合电动车辆。由于基于铅系统的容量和其他考虑,锂离子电池是目前使用的基于铅系统的可行性替代方案。碳是锂二次电池和混合锂离子电容器(LIC)中使用的主要材料之一。碳阳极通常通过被称为嵌入(intercalation)的机制将锂存储在层状石墨烯片之间。常规的锂离子电池由石墨碳阳极和金属氧化物阴极组成;然而,此类石墨阳极通常遭受低功率性能和有限容量。
[0005]硅、锡和其他锂合金化电化学改性剂也已经基于其每单位重量存储非常大量的锂的能力而被提出。然而,这些材料根本上受到当它们与锂完全嵌入时发生大量膨胀的限制。当去除锂时,这种膨胀和收缩导致电极具有有限的循环寿命和低功率。迄今 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于产生包含多孔碳支架的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料在含硅前体和烃材料的存在下经受高温,所述烃材料与所述含硅前体相比在更高的温度下分解;d)升高所述温度以使所述含硅前体分解,产生硅浸渍的碳材料;以及e)进一步升高所述温度以使所述烃材料分解,产生碳涂覆的、硅浸渍的碳材料。其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。2.用于产生包含多孔碳支架和硅的复合材料的方法,包括以下步骤:a)混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料在含硅前体和烃材料的存在下经受高温,所述烃材料与所述含硅前体相比在相似的温度下分解;以及d)升高所述温度以同时使所述含硅前体分解成硅并且使烃材料分解成碳,产生碳涂覆的、硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。3.用于制造具有持久的锂嵌入的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物和/或聚合物前体并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料在含硅前体的存在下经受高温,产生硅浸渍的碳材料;以及d)将碳层应用于所述硅浸渍的碳材料上,以产生碳涂覆的、硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。4.用于制造具有持久的锂嵌入的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物和/或聚合物前体并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合
物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料在含硅前体的存在下经受高温,产生硅浸渍的碳材料;以及d)将导电聚合物应用于所述硅浸渍的碳材料周围,以产生进一步嵌入在导电聚合物网状物内的硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。5.用于制造具有持久的锂嵌入的新型复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物和/或聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料在含硅前体的存在下经受高温,产生硅浸渍的碳材料;d)将碳层应用于所述硅浸渍的碳材料上,以产生碳涂覆的、硅浸渍的碳材料;以及e)将导电聚合物应用于所述碳涂覆的、硅浸渍的碳材料周围,以产生进一步嵌入在导电聚合物网状物内的碳涂覆的、硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。6.用于产生包含多孔碳支架和硅的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料经受含硅前体的存在并且使所述温度在一定的范围内循环,其中所述范围的下端低于所述含硅前体的分解温度,并且所述范围的上端高于所述含硅前体的分解温度,以获得硅浸渍的复合材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。7.用于产生包含多孔碳支架和硅的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;以及
c)使所述多孔碳材料经受含硅前体的存在并且使压力在一定的范围内循环,其中所述范围的下端低于所述含硅前体的临界压力,并且所述范围的上端高于所述含硅前体的临界压力,以获得硅浸渍的复合材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。8.用于制造具有持久的锂嵌入的复合材料的方法,所述方法包括:a)产生吸收微波的多孔碳材料,其中所述吸收微波的多孔支架材料包含5nm至1000nm的孔体积;以及b)在含硅原料的存在下通过微波将所述微波吸收多孔支架材料加热至足以使所述含硅原料能够分解的温度,产生硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。9.用于制造具有持久的锂嵌入的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生包含5nm至1000nm的孔体积的微波吸收多孔碳材料;以及c)在含硅原料的存在下通过微波将所述微波吸收多孔碳材料加热至足以使所述含硅原料能够分解的温度,产生硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。10.制造具有持久的锂嵌入的复合材料的方法,所述方法包括:a)在微波吸收材料的存在下混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生包含5nm至1000nm的孔体积的多孔微波吸收碳材料;以及c)在含硅原料的存在下通过微波将所述微波吸收多孔碳材料加热至足以使所述含硅原料能够分解的温度,产生硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%
的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。11.用于制造具有持久的锂嵌入的复合材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生包含5nm至1000nm的孔体积的微波吸收多孔碳材料;c)在含硅原料的存在下通过微波将所述微波吸收多孔支架材料加热至足以使所述含硅原料能够分解的温度,产生硅浸渍的碳材料;以及d)将碳层应用于所述硅浸渍的碳材料上,以产生碳涂覆的、硅浸渍的碳材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。12.用于制造复合硅
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碳材料的方法,所述方法包括:a)混合聚合物和/或聚合物前体并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间;b)使所得的聚合物材料碳化,以产生多孔碳材料;c)使所述多孔碳材料在含硅反应物的存在下在静态反应器或搅拌的反应器内经受高温,产生硅浸渍的碳材料;以及d)使所述硅浸渍的碳材料经受水热碳化,以产生包含经由水热碳化而最终碳涂覆的硅浸渍的碳材料的复合物,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及所述多孔碳材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。13.用于制造复合材料的方法,所述方法包括:a)制备包含电化学改性剂的聚合物材料;b)使所述聚合物材料碳化,以产生包含所述电化学改性剂的多孔含碳复合材料;c)任选地使所述多孔碳材料在含硅前体的存在下经受高温,产生硅浸渍的含碳复合材料;以及d)任选地将碳层应用于所述多孔含碳复合材料上、或所述硅浸渍的含碳复合材料上,以产生碳涂覆的复合材料,其中:当所述复合材料掺入到基于锂的储能装置的电极中时,所述复合材料表现出大于50%的第一循环效率和至少600mAh/g的可逆容量;以及
所述多孔含碳复合材料中所有其它TXRF元素的总TXRF杂质含量(排除电活性材料和催化剂)(由通过质子激发X射线发射测量的)小于500ppm。14.如权利要求13所述的方法,其中所述电化学改性剂包括硅。15.如权利要求13所述的方法,其中所述聚合物材料包括原硅酸四乙酯(TEOS)。16.如权利要求1至15中任一项所述的方法,其中所述聚合物材料通过溶胶凝胶方法、缩合方法或交联方法来形成。17.如权利要求1至16中任一项所述的方法,其中所述聚合物材料是通过使至少一种酚化合物和至少一种醛化合物共聚合而形成的聚合物凝胶。18.如权利要求17所述的方法,其中所述至少一种酚化合物包括苯酚、间苯二酚、邻苯二酚、对苯二酚、间苯三酚或其组合;并且所述至少一种醛化合物包括甲醛、乙醛、丙醛、丁醛、苯甲醛、肉桂醛或其组合。19.如权利要求17或18所述的方法,其中所述共聚合在催化条件下进行。20.如权利要求1至19中任一项所述的方法,还包括对所述聚合物材料、所述多孔碳材料、所述硅浸渍的碳材料或其组合进行粒径减...
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