【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及防腐蚀表面处理，特别涉及一种外壳、电子设备及外壳制备方法。
技术介绍
1、摄像机等电子设备在日常使用场景中难免会接触到腐蚀性物质，特别是在盐雾环境等腐蚀性较强的场景中，因此，对于这些电子设备的外壳具有一定的防腐蚀要求。
2、在相关技术方案中，外壳的表面能较高，防腐蚀性污染物易附着，且通常采用阳极氧化与喷塑粉工艺，或电泳与喷塑粉工艺，良率低，成本高。
技术实现思路
1、本专利技术公开了一种外壳、电子设备及外壳制备方法，以降低防腐蚀性污染物在外壳的附着性，并提高良率，降低成本。
2、为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、第一方面，提供一种外壳，所述外壳应用于电子设备，该外壳包括：金属基材，所述金属基材的表面设有金属氧化物膜层，所述金属氧化物膜层背离所述金属基材的表面设有有机膜层，所述有机膜层背离所述金属基材的一侧设有二氧化硅无机疏水膜层；其中，所述有机膜层和所述二氧化硅无机疏水膜层中的二氧化硅网状结构通过硅烷偶联剂交联。
4、在上述外壳中，二氧化硅无机疏水膜层结合在有机膜层表面，可以防止腐蚀性物质侵入金属基材，起到防腐蚀作用，降低腐蚀性污染物的附着能力；同时，有机膜层和二氧化硅无机疏水膜层中的二氧化硅网状结构通过硅烷偶联剂交联，以化学键连接有机膜层和二氧化硅网状结构，将二氧化硅无机疏水膜层一体化地结合在有机膜层表面，二氧化硅无机疏水膜层不易剥离。通过硅烷偶联剂交联的方式，以化学键连接有机膜层和二氧化硅无机疏水膜层
5、可选地，所述二氧化硅无机疏水膜层包括二氧化硅/硅酸盐无机疏水层。
6、可选地，所述二氧化硅无机疏水膜层包括二氧化钛与二氧化硅/硅酸盐无机疏水层形成的核壳结构，其中，所述二氧化钛为核，二氧化硅为壳。
7、可选地，所述有机膜层的材质为环氧树脂，所述硅烷偶联剂的材质为烯丙基三甲基硅烷。
8、可选地，所述有机膜层的厚度介于40um至80um之间。
9、可选地，所述二氧化硅无机疏水膜层的厚度介于110nm至150nm之间。
10、可选地，所述二氧化硅无机疏水膜层的水滴角大于或等于105°。
11、第二方面，提供一种电子设备，该电子设备包括电路板和上述任一技术方案所述的外壳，所述电路板位于所述外壳围成的空间内。
12、与现有技术相比，所述的电子设备与所述的外壳具有相同的技术优势，在此不再赘述。
13、第三方面，提供一种外壳制备方法，所述外壳应用于电子设备，所述外壳包括金属基材，所述金属基材的表面设有金属氧化物膜层，所述金属氧化物膜层背离所述金属基材的表面设有有机膜层；所述方法包括：
14、将水性无机硅酸盐树脂溶液中加入硅烷偶联剂，得到混合溶液；
15、将所述混合溶液喷涂到所述有机膜层背离所述金属基材的表面；固化并冷却。
16、硅烷偶联剂内含有有机官能团双键，既能与有机膜层反应，又可以和无机硅酸盐树脂溶液中的硅溶胶发生缩聚，最终使有机膜层与无机硅酸盐树脂溶液缩聚形成的二氧化硅/硅酸盐无机疏水层能够牢固结合，以化学键连接有机膜层和二氧化硅/硅酸盐无机疏水层的二氧化硅网状结构，将二氧化硅无机疏水膜层一体化地结合在有机膜层表面，二氧化硅/硅酸盐无机疏水层不易剥离。将硅酸盐作为成膜剂，通过缩合反应，生成致密可靠的微乳凸结构，可以防止腐蚀性物质侵入金属基材，起到防腐蚀作用，降低腐蚀性污染物的附着能力。
17、可选地，在所述将水性无机硅酸盐树脂中加入硅烷偶联剂，得到混合溶液之前，还包括：
18、将硅酸钾、硅酸钠、硅溶胶与去离子水搅拌混合均匀后，在搅拌状态下，加入稳定助剂，以得到所述水性无机硅酸盐树脂溶液；
19、其中，所述硅酸钾、所述硅酸钠、所述硅溶胶、所述稳定助剂和所述去离子水的质量比例为a：b：c：d：e，a介于38至42之间，b介于30至50之间，c介于3至13之间，d介于0.3至0.5之间，e介于10至26之间。
20、可选地，所述硅酸钾的模数介于2.5至4.5之间；所述硅酸钠的模数介于1.5至3.5之间；所述硅溶胶中二氧化硅含量介于17wt％至23wt％之间。
21、可选地，在所述将水性无机硅酸盐树脂中加入硅烷偶联剂，得到混合溶液之前，还包括：
22、向所述水性无机硅酸盐树脂溶液中加入0.5mol/l至0.8mol/l浓度的氯化钙溶液，并搅拌均匀。
23、可选地，所述有机膜层的材质为环氧树脂，在所述向所述水性无机硅酸盐树脂溶液中加入0.5mol/l至0.8mol/l浓度的氯化钙溶液，并搅拌均匀之前，还包括：
24、向所述水性无机硅酸盐树脂溶液中混入二氧化钛纳米溶液。
25、可选地，所述有机膜层的材质为环氧树脂，所述硅烷偶联剂的材质为烯丙基三甲基硅烷；
26、在所述向所述水性无机硅酸盐树脂溶液中加入0.5mol/l至0.8mol/l浓度的氯化钙溶液，并搅拌均匀之后，还包括：
27、在所得溶液中按照体积比1:6至1：4的量加入烯丙基三甲基硅烷偶联。
28、可选地，在所述将所述混合溶液喷涂到所述有机膜层背离所述金属基材的表面之前，还包括：
29、对所述有机膜层进行表面活化处理。
30、可选地，所述固化的温度介于150°至250°之间，固化时间介于25min至35min之间。
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1.一种外壳，所述外壳应用于电子设备，其特征在于，包括：金属基材，所述金属基材的表面设有金属氧化物膜层，所述金属氧化物膜层背离所述金属基材的表面设有有机膜层，所述有机膜层背离所述金属基材的一侧设有二氧化硅无机疏水膜层；其中，
2.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述二氧化硅无机疏水膜层包括二氧化硅/硅酸盐无机疏水层；
3.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述有机膜层的材质为环氧树脂，所述硅烷偶联剂的材质为烯丙基三甲基硅烷；
4.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述有机膜层的厚度介于40um至80um之间；
5.一种电子设备，其特征在于，包括电路板和权利要求1至4任一项所述的外壳，所述电路板位于所述外壳围成的空间内。
6.一种外壳制备方法，所述外壳应用于电子设备，其特征在于，所述外壳包括金属基材，所述金属基材的表面设有金属氧化物膜层，所述金属氧化物膜层背离所述金属基材的表面设有有机膜层；所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述将水性无机硅酸盐树脂中加入硅烷偶联剂，得到混
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述硅酸钾的模数介于2.5至4.5之间；所述硅酸钠的模数介于1.5至3.5之间；所述硅溶胶中二氧化硅含量介于17wt％至23wt％之间。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述将水性无机硅酸盐树脂中加入硅烷偶联剂，得到混合溶液之前，还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述有机膜层的材质为环氧树脂，在所述向所述水性无机硅酸盐树脂溶液中加入0.5mol/L至0.8mol/L浓度的氯化钙溶液，并搅拌均匀之前，还包括：
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述将所述混合溶液喷涂到所述有机膜层背离所述金属基材的表面之前，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种外壳，所述外壳应用于电子设备，其特征在于，包括：金属基材，所述金属基材的表面设有金属氧化物膜层，所述金属氧化物膜层背离所述金属基材的表面设有有机膜层，所述有机膜层背离所述金属基材的一侧设有二氧化硅无机疏水膜层；其中，
2.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述二氧化硅无机疏水膜层包括二氧化硅/硅酸盐无机疏水层；
3.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述有机膜层的材质为环氧树脂，所述硅烷偶联剂的材质为烯丙基三甲基硅烷；
4.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述有机膜层的厚度介于40um至80um之间；
5.一种电子设备，其特征在于，包括电路板和权利要求1至4任一项所述的外壳，所述电路板位于所述外壳围成的空间内。
6.一种外壳制备方法，所述外壳应用于电子设备，其特征在于，所述外壳包括金属基材，所述金属基材的表面设有金属氧化物膜层，所述金属氧化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏传明，郑博达，吕晓阳，谢自明，马登元，武新宇，常远新，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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