【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装测试，具体为一种半导体封装测试系统。
技术介绍
1、半导体封装是将制造好的半导体芯片（或集成电路）封装在外部材料中的过程。半导体芯片是电子器件中的核心部分，它包含了微小而复杂的电路，用来实现各种功能。然而，由于芯片本身很脆弱且难以直接连接到外部电路，因此需要将其封装在一种保护性外壳中，这就是半导体封装的主要目的，半导体封装方法有多种，常见的包括双列直插(dip)封装、表面贴装(smt)封装、芯片级封装(csp)等。每种封装方法都有其特定的尺寸、引脚排列和引脚间距等特点，可以根据实际需求和应用场景选择适合的封装方式，通过半导体封装，芯片得到了保护和连接，便于安装和使用。不同的封装方法也可以提供不同的特性和性能，例如尺寸小巧、耐高温、高频传输等，满足不同领域和应用的要求；
2、半导体封装测试是指对封装后的半导体器件进行性能和可靠性验证的过程，其中包括电性能测试，对半导体封装的电性能指标进行检测，但是测试环境不同，单纯依靠瞬时的数值对相关数据进行计算，容易导致最终结果出现偏差，降低测试结果的精准性。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种半导体封装测试系统，具备通过在计算功耗数值之前，根据对应的权重、电压数值均值计算电流数值均值和电压数值均值，权重和电压数值均值根据数据采集区间所采集到的数据进行计算，将每个区间内的实时电流数据和试试电压数据作为权重，计算最终的电压数值均值和电流数值均值，并根据不同的半导体材料以及每个采集区间内的采集
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体封装测试系统，包括测试数据采集模块、测试数据分析模块、测试数据评估模块以及结果输出模块；
3、所述测试数据采集模块包括实时电流数据采集单元、实时电压数据采集单元以及实时温度采集单元，所述实时电流数据采集单元用于采集半导体在测试过程中的实时电流数值，所述实时电压数据采集单元用于采集半导体在测试过程中的实时电压数值，所述实时温度采集单元用于采集半导体在测试过程中的实时温度数值，所述测试数据采集模块将采集到的实时电流数值、实时电压数值以及实时温度数值通过网络发送至测试数据分析模块；
4、所述测试数据分析模块根据实时电流数值计算得出数据采集区间内的电流数值均值，所述测试数据分析模块根据实时电压数值计算得出数据采集区间内的电压数值均值，所述测试数据分析模块根据实时温度数值计算得出数据采集区间内的温度数值均值，所述测试数据分析模块根据电流数值均值和电压数值均值计算半导体的功耗数值，所述测试数据分析模块将计算得出的半导体的功耗数值和温度数值均值过网络发送至测试数据评估模块；
5、所述测试数据评估模块内预设有功耗阈值以及温度阈值，所述测试数据评估模块将功耗数值与功耗阈值，判断功耗数值是否存在异常，当存在异常时，所述测试数据评估模块向结果输出模块发出功耗异常信号，所述测试数据评估模块将温度数值均值与温度阈值对比，当存在异常时，所述测试数据评估模块向结果输出模块发出温度异常信号；
6、所述结果输出模块接收到温度异常信号或功耗异常信号发出预警信息。
7、优选的，所述电流数值均值算法公式如下：
8、；
9、公式中，每5个实时电流数值为一个数据采集区间，表示电流权重，为5个权重值的总和；
10、其中；
11、权重算法公式如下：
12、；
13、公式中，表示该数据采集区间内最后一次采集到的数值减去5个数值的均值。
14、优选的，所述电压数值均值算法公式如下：
15、；
16、公式中，表示每5个实时电压数值为一个数据采集区间，表示电压权重，为5个电压权重的总和；
17、其中；
18、电压权重算法公式如下：
19、；
20、公式中，为数据采集区间中这5个数值中的最大值，为数据采集区间中这5个数值中的最小值，表示数据采集区间最后一次采集到的数值减去5个数值中的最小值。
21、优选的，所述测试数据分析模块将计算得出的电流数值均值或电压数值均值临时存储在其内部设置的存储介质中。
22、优选的，所述功耗数值算法公式如下：
23、；
24、公式中，根据计算得出的电压数值均值乘以电流数值均值得出功耗数值。
25、优选的，述温度数值均值算法公式如下：
26、；
27、公式中，表示每5个实时温度数值为一个数据采集区间，表示温度权重；
28、其中；
29、温度权重算法公式如下：
30、
31、公式中，为温度衰减系数，根据不同的半导体材料确定其数值，5表示同一个数据采集区间第一次采集的数值和最后一次采集的数值间隔为5秒。
32、优选的，所述测试数据分析模块将计算得出的功耗数值或温度数值均值通过网络发送至测试数据评估模块，所述测试数据评估模块内设置有一个存储介质，用于存储功耗数值、功耗阈值以及温度阈值。
33、优选的，所述测试数据分析模块将功耗数值与功耗阈值对比，当功耗数值大于功耗阈值时，所述测试数据分析模块判定功耗数值异常，发出结构短路、漏电以及功耗异常信号。
34、优选的，所述测试数据分析模块将计算得出温度数值均值与温度阈值对比，所述测试数据分析模块判定温度数值均值异常，发出温度失控或散热异常信号。
35、优选的，当所述结果输出模块接收到发出结构短路、漏电以及功耗异常信号时，发出功耗异常预警；
36、当所述结果输出模块接收到发出度失控或散热异常信号时，发出温度异常预警。
37、与现有技术相比，本专利技术提供了一种半导体封装测试系统，具备以下有益效果：
38、本专利技术通过在计算功耗数值之前，根据对应的权重、电压数值均值计算电流数值均值和电压数值均值，权重和电压数值均值根据数据采集区间所采集到的数据进行计算，将每个区间内的实时电流数据和试试电压数据作为权重，计算最终的电压数值均值和电流数值均值，并根据不同的半导体材料以及每个采集区间内的采集数量计算得出温度权重，通过温度权重计算温度数值均值，可以根据不同测试环境变化所需参考的权重数值，可以根据不同的测试环境调整不同的权重值，提高最终计算结果的精准性，避免单纯依靠瞬时的数值对相关数据进行计算，容易导致最终结果出现偏差，降低测试结果的精准性。
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1.一种半导体封装测试系统，其特征在于：包括测试数据采集模块、测试数据分析模块、测试数据评估模块以及结果输出模块；
2.根据权利要求1所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述电流数值均值算法公式如下：
3.根据权利要求1所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述电压数值均值算法公式如下：
4.根据权利要求2或3所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述测试数据分析模块将计算得出的电流数值均值或电压数值均值临时存储在其内部设置的存储介质中。
5.根据权利要求4所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述功耗数值算法公式如下：
6.根据权利要求1所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述温度数值均值算法公式如下：
7.根据权利要求5或6所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述测试数据分析模块将计算得出的功耗数值或温度数值均值通过网络发送至测试数据评估模块，所述测试数据评估模块内设置有一个存储介质，用于存储功耗数值、功耗阈值以及温度阈值。
8.根据权利要求7所述的一种半导体封装
9.根据权利要求7所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述测试数据分析模块将计算得出温度数值均值与温度阈值对比，所述测试数据分析模块判定温度数值均值异常，发出温度失控或散热异常信号。
10.根据权利要求8或9所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：当所述结果输出模块接收到发出结构短路、漏电以及功耗异常信号时，发出功耗异常预警；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装测试系统，其特征在于：包括测试数据采集模块、测试数据分析模块、测试数据评估模块以及结果输出模块；
2.根据权利要求1所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述电流数值均值算法公式如下：
3.根据权利要求1所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述电压数值均值算法公式如下：
4.根据权利要求2或3所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述测试数据分析模块将计算得出的电流数值均值或电压数值均值临时存储在其内部设置的存储介质中。
5.根据权利要求4所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述功耗数值算法公式如下：
6.根据权利要求1所述的一种半导体封装测试系统，其特征在于：所述温度数值均值算法公式如下：
7.根据权利要求5或6所述的一种半导体封装测试系统，...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄少娃，黄旭彪，郭威成，吴桂冠，刘政宏，
申请(专利权)人：深圳市铨兴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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