【技术实现步骤摘要】
本申请涉及无线充电领域，特别涉及一种充电线圈模组及其相关产品、充电线圈模组的制备方法。
技术介绍
1、目前，随着智能机功能的增多，智能机内部的功能器件也随之增多，从而导致整机中的可利用空间也逐步减少。如何通过缩小充电线圈模组的尺寸，从而释放智能机内部更多的可利用空间成为研究方向。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种充电线圈模组、包括所述充电线圈模组的相关产品以及包括所述充电线圈模组的制备方法，旨在获得一种尺寸较小的充电线圈模组，以及包括该充电线圈模组的相关产品。
2、第一方面，提供了一种充电线圈模组。充电线圈模组包括基材以及第一线圈。基材包括第一面。第一线圈设置于第一面上。第一线圈的匝数大于或者等于2。第一线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。
3、可以理解的是，本申请的充电线圈模组的第一线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米范围之间，第一线圈可以实现窄间距设置，也即充电线圈模组可以实现窄间距设置。在尺寸相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本申请的充电线圈模组的单位面积内的金属含量更高，从而有效减小充电损耗，有利于延长充电线圈模组在充电过程中维持50w峰值的时间，提高充电效率。
4、此外，在充电线圈模组的外径相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本申请的充电线圈模组可以在不减小第一线圈中走线的体积的情况下，减小相邻两匝之间的距离，从而减薄第一线圈的厚度，以减薄整个充电线圈模组的厚
5、一种可能的实现方式中，第一线圈中的每一匝包括第一导电部以及第二导电部。第一导电部设置于第一面上。第二导电部覆盖在第一导电部上。这样，第二导电部覆盖在第一导电部上，可以缩小第一线圈中相邻的两匝之间的距离，有利于实现充电线圈模组的窄间距设置。
6、一种可能的实现方式中，通过电镀工艺在第一导电部上形成第二导电部。其中，电镀工艺为引线电镀。
7、一种可能的实现方式中，第一导电部的厚度在10微米至60微米的范围内。这样，第一导电部的厚度较薄。第一线圈中的相邻两匝之间的距离容易做得更窄，有利于实现充电线圈模组的窄间距设置。
8、一种可能的实现方式中，第一线圈的厚度大于50微米。可以理解的是，当第一线圈的厚度大于50微米时，第一线圈的厚度较厚。此时，相较于传统的充电线圈模组直接形成厚度较厚的第一导电部，以形成第一线圈，本申请通过在第一导电部上覆盖第二导电部，使得第一线圈中的相邻两匝之间的距离可以做得更小，有利于实现充电线圈模组的窄间距设置。
9、一种可能的实现方式中，基材包括第二面。第二面与第一面相背设置。充电线圈模组还包括第二线圈。第二线圈设于第二面。第二线圈的匝数大于或者等于2。第二线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。
10、可以理解的是，通过设置第二线圈可以增大充电线圈模组中的金属体积，从而提高充电线圈模组的充电效率。同时，第二线圈也为窄间距设置。这样，第一线圈与第二线圈均为窄间距设置，也即充电线圈模组为窄间距设置。在尺寸相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本申请的充电线圈模组的单位面积内的金属含量更高，从而有效减小充电损耗，有利于延长充电线圈模组在充电过程中维持50w峰值的时间，提高充电效率。
11、此外，在充电线圈模组的外径相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本申请的充电线圈模组可以在不减小第一线圈以及第二线圈中走线的体积的情况下，减小相邻两个第一子线圈之间的距离以及相邻两个第二子线圈之间的距离，从而减薄第一线圈以及第二线圈的厚度。换言之，本申请的充电线圈模组可以通过缩小第一线圈以及第二线圈中的相邻两匝之间的距离，实现充电线圈模组的小型化设置。
12、一种可能的实现方式中，充电线圈模组还包括第一覆盖膜、第一纳米晶层以及第一石墨层。第一覆盖膜设于第一线圈远离基材的一侧。第一纳米晶层与第一石墨层依次堆叠于第一覆盖膜。第一线圈具有第一容置空间。第一容置空间为凹槽或者通孔。第一覆盖膜的一部分设于第一容置空间。第一纳米晶层的一部分设于第一容置空间内。
13、可以理解的是，当充电线圈模组中的第一纳米晶层与第一石墨层的体积保持不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间的充电线圈模组，本申请中的充电线圈模组可以通过第一容置空间填充一部分第一纳米晶层，从而减薄第一纳米晶层的厚度，实现充电线圈模组的整体厚度减薄，有利于充电线圈模组的实现小型化设置。
14、当充电线圈模组的体积保持不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间的充电线圈模组，本申请的充电线圈模组可以利用第一容置空间的空间填充更多的纳米晶，增大第一纳米晶层的体积，从而减小充电线圈模组的磁损，有利于提升充电线圈模组的快充性能。或者，充电线圈模组可以通过第一容置空间填充更多的石墨片，增大第一石墨层的体积，有利于提升充电线圈模组的散热效率。
15、一种可能的实现方式中，第一纳米晶层设有第一凹陷区。第一石墨层的一部分设于第一凹陷区。这样，当充电线圈模组中的第一纳米晶层与第一石墨层的体积保持不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间，第一纳米晶层没有设置第一凹陷区的充电线圈模组，本申请中的充电线圈模组可以通过第一容置空间填充一部分第一纳米晶层，同时在第一凹陷区填充一部分第一石墨层，从而减薄第一石墨层的厚度，实现充电线圈模组的整体厚度减薄，有利于充电线圈模组的实现小型化设置。
16、当充电线圈模组中的第一纳米晶层与第一石墨层的厚度不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间，第一纳米晶层没有设置第一凹陷区的充电线圈模组，本申请的充电线圈模组可以利用第一容置空间的空间填充第一纳米晶层的一部分，同时利用第一凹陷区填充更多的石墨片，增大第一石墨层的体积，从而提高充电线圈模组的散热能力，有利于提升充电线圈模组的充电功率。
17、一种可能的实现方式中，第一石墨层设有第二凹陷区。第一纳米晶层的一部分设于第二凹陷区。这样，充电线圈模组内可以填充更多的纳米晶，充电线圈模组减小磁损的效率更高。
18、一种可能的实现方式中，第一线圈围出第一空心区域。第一容置空间与第一空心区域间隔设置。或者第一容置空间与第一空心区域连通。这样，当第一容置空间与第一空心区域连通时，第一容置空间还可以利用第一空心区域的空间以填充更多的纳米晶或者进一步减薄第一纳米晶层或者第一石墨层的厚度。
19、一种可能的实现方式中，第一线圈包括分开设置的第一部分和第二部分。第一容置空间位于第一部分与第二部分之间。或者，第一线圈包括第一部分。第一容置空间位于第一部分的一侧。
20、一种可能的实现方式中，第一线圈具有第一容置空间。第一容置空间为凹槽或者通孔。充电线圈模组包括磁性件。磁性件设置于第一容置空间内。这样，通本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种充电线圈模组(1)，其特征在于，包括基材(11)以及第一线圈(12)，所述基材(11)包括第一面(111)，所述第一线圈(12)设置于所述第一面(111)上，所述第一线圈(12)的匝数大于或者等于2，所述第一线圈(12)中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。
2.根据权利要求1所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一线圈(12)中的每一匝包括第一导电部(1021a)以及第二导电部(1051a)，所述第一导电部(1021a)设置于所述第一面(111)上，所述第二导电部(1051a)覆盖在所述第一导电部(1021a)上。
3.根据权利要求2所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一导电部(1021a)的厚度在10微米至60微米的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一线圈(12)的厚度大于50微米。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述基材(11)包括第二面(112)，所述第二面(112)与所述第一面(111)背向设置；<...
【技术特征摘要】
1.一种充电线圈模组(1)，其特征在于，包括基材(11)以及第一线圈(12)，所述基材(11)包括第一面(111)，所述第一线圈(12)设置于所述第一面(111)上，所述第一线圈(12)的匝数大于或者等于2，所述第一线圈(12)中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。
2.根据权利要求1所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一线圈(12)中的每一匝包括第一导电部(1021a)以及第二导电部(1051a)，所述第一导电部(1021a)设置于所述第一面(111)上，所述第二导电部(1051a)覆盖在所述第一导电部(1021a)上。
3.根据权利要求2所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一导电部(1021a)的厚度在10微米至60微米的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一线圈(12)的厚度大于50微米。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述基材(11)包括第二面(112)，所述第二面(112)与所述第一面(111)背向设置；
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述充电线圈模组(1)还包括第一覆盖膜(40)、第一纳米晶层(20)以及第一石墨层(30)；
7.根据权利要求6所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一纳米晶层(20)设有第一凹陷区(21)，所述第一石墨层(30)的一部分设于所述第一凹陷区(21)。
8.根据权利要求6所述的充电线圈模组(1)，其特征在于，所述第一石墨层(30)设有第二凹陷区(31)，所述第一纳米晶层(20)的一部分设于所述第二凹陷区(31)。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的充电线圈模...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。