【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子设备，尤其涉及一种高电阻率电感器。
技术介绍
1、随着ai服务器的对算力的持续提升，其核心计算芯片功率随着算力提升而大幅度提高且电流持续增大，导致电路内的电感器中的磁体的感应电流迅速增大，伴随而来的发热问题越来越严重。
2、降低感应电流需要增加电感器的电阻率，由于传统电感器中的合金磁体往往通过磷化物或滑石粉等陶瓷材料包覆，磷化物和滑石粉等陶瓷材料的电阻率相对较低且包覆密度小，进一步降低了电阻率，导致电感器的感应电流较大，进而导致电感器损耗上升。
技术实现思路
1、本申请提供一种高电阻率电感器，以解决传统的电感器的电阻率较小而导致感应电流较大，进而导致电感器损耗上升的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种高电阻率电感器，所述高电阻率电感器包括：磁体和绕组；
3、所述绕组分布于所述磁体内部，同时所述绕组外延出所述磁体以形成电极，使得所述高电阻率电感器无需电镀其它材料以减小材料间的接触电阻；
4、所述磁体由fe基纳米晶以及fesial粉、fesi粉、feni粉中的一种或几种组成。
5、可选的，所述绕组包括绕组外延部分、绕组斜线部分及绕组直线部分，所述绕组外延部分与所述绕组斜线部分的夹角在110°～170°以便于减小绕组在工作过程中因绕组加工导致的残余应力释放而导致磁体开裂的风险以及减小电感值的波动。
6、可选的，所述绕组斜线部分与所述绕组直线部分的长度比为1:1～5:1
7、可选的，所述磁体的边缘与所述绕组直线部分的距离大于0.2mm。
8、可选的，所述fe基纳米晶的成分为76.5wt％～82wt％fe、7.0wt％～9.5wt％si、1.5wt％～2.5wt％al、6.0wt％～8.0wt％b、1.5wt％～2.5wt％p、0.5wt％～1.5wt％cu。
9、可选的，所述fe基纳米晶的粉末粒度为5～25um，所述fe基纳米晶的粉末表面有20～50nm的氧化层。
10、可选的，所述fesial粉和/或fesi粉和/或feni粉的表面设有一层氧化硅或氧化铝的包覆层，所述包覆层厚度大于10nm，所述fesial粉和/或fesi粉和/或feni粉的粒度为0.7～3.5um。
11、可选的，所述高电阻率电感器还包括硅树脂或硅溶胶，所述硅树脂或硅溶胶的质量为所述fesial粉和/或fesi粉和/或feni粉总质量的1.0wt％～1.5wt％。
12、可选的，所述硅树脂或硅溶胶与所述fesial粉和/或fesi粉和/或feni粉形成粒度为10～20um的团聚颗粒，所述团聚颗粒与树脂混合物以及fe基纳米晶级配形成混合粉末，所述混合粉末中含有所述树脂混合物的含量为0.7wt％～1.5wt％，所述树脂混合物为聚乙烯缩丁醛树脂、有机硅树脂、硅酮树脂中的一种或几种。
13、可选的，所述树脂混合物与所述磁体和所述绕组在1500mpa～2000mpa的压力下形成电感坯体，并通过450～600℃下0.5～1.5h的氮气气氛下退火形成所述高电阻率电感器。
14、本申请的有益效果是：在本申请提供的高电阻率电感器中，通过结构设计和材料配比，设计出一种高电阻率电感器，以解决传统的电感器的电阻率较小而导致感应电流较大，进而导致电感器损耗上升的技术问题。
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1.一种高电阻率电感器，其特征在于，包括：磁体（1）和绕组（2）；
2.根据权利要求1所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述绕组（2）包括绕组外延部分（5）、绕组斜线部分（4）及绕组直线部分（3），所述绕组外延部分（5）与所述绕组斜线部分（4）的夹角在110°~170°，以便于减小绕组（2）在工作过程中因绕组（2）加工导致的残余应力释放而导致磁体（1）开裂的风险以及减小电感值的波动。
3.根据权利要求2所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述绕组斜线部分（4）与所述绕组直线部分（3）的长度比为1:1~5:1，以便于减小热效应导致的应力集中问题。
4.根据权利要求3所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述磁体（1）的边缘与所述绕组直线部分（3）的距离大于0.2mm。
5.根据权利要求1所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述Fe基纳米晶的粉末粒度为5~25um，所述Fe基纳米晶的粉末表面有20~50nm的氧化层。
6.根据权利要求5所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述FeSiAl粉和/或FeSi粉和/或FeNi粉的表面设有一层
7.根据权利要求6所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述高电阻率电感器还包括硅树脂或硅溶胶，所述硅树脂或硅溶胶的质量为所述FeSiAl粉和/或FeSi粉和/或FeNi粉总质量的1.0wt%~1.5wt%。
8.根据权利要求7所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述硅树脂或硅溶胶与所述FeSiAl粉和/或FeSi粉和/或FeNi粉形成粒度为10~20um的团聚颗粒，所述团聚颗粒与树脂混合物以及Fe基纳米晶级配形成混合粉末，所述混合粉末中含有所述树脂混合物的含量为0.7wt%~1.5wt%，所述树脂混合物为聚乙烯缩丁醛树脂、有机硅树脂、硅酮树脂中的一种或几种。
9.根据权利要求8所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述树脂混合物与所述磁体（1）及所述绕组（2）在1500MPa~2000MPa的压力下形成电感坯体，并通过450~600℃下0.5~1.5H的氮气气氛下退火形成所述高电阻率电感器。
...【技术特征摘要】
1.一种高电阻率电感器，其特征在于，包括：磁体（1）和绕组（2）；
2.根据权利要求1所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述绕组（2）包括绕组外延部分（5）、绕组斜线部分（4）及绕组直线部分（3），所述绕组外延部分（5）与所述绕组斜线部分（4）的夹角在110°~170°，以便于减小绕组（2）在工作过程中因绕组（2）加工导致的残余应力释放而导致磁体（1）开裂的风险以及减小电感值的波动。
3.根据权利要求2所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述绕组斜线部分（4）与所述绕组直线部分（3）的长度比为1:1~5:1，以便于减小热效应导致的应力集中问题。
4.根据权利要求3所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述磁体（1）的边缘与所述绕组直线部分（3）的距离大于0.2mm。
5.根据权利要求1所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述fe基纳米晶的粉末粒度为5~25um，所述fe基纳米晶的粉末表面有20~50nm的氧化层。
6.根据权利要求5所述的高电阻率电感器，其特征在于，所述fesial粉和/或fesi粉和/或feni...
【专利技术属性】
技术研发人员：练坚友，孟超雄，
申请(专利权)人：百斯特电子广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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