【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及集成电路，具体地，涉及一种检测电路。
技术介绍
1、锂电池保护芯片进行设计时，为了减少引脚个数以及去除芯片外部电阻，大幅度降低外围器件的使用成本和印刷电路板(printed circuit board，pcb)的面积，往往会将放电过流(over current discharge，ocd)、充电过流(over current charge，occ)和短路保护(short circuit protection，scp)检测项所使用的cs检测引脚和vm检测引脚合并为一个vm检测引脚。
2、若外部充电器出现极端异常高压的情况，在充电保护触发时会导致的芯片检测引脚vm出现较高负电压；若芯片接入电池电压较高，在放电保护触发或未解除前可能会导致的芯片检测引脚vm出现较高正电压。这两种情况都会导致该检测引脚vm对应的内部电路器件击穿烧毁，导致检测电路的可靠性降低。
技术实现思路
1、本文中描述的实施例提供了一种检测电路，能够承受较高的电压，从而提升电路可靠性。
2、第一方面，公开提供了一种检测电路，包括：检测引脚、逻辑电路、电平移位电路、晶体管组件和后续检测电路。
3、所述逻辑电路被配置为，处理充电逻辑信号和处理放电逻辑信号，得到充电保护逻辑信号和放电保护逻辑信号。所述电平移位电路被配置为，在触发充放电保护时，基于所述充电保护逻辑信号和所述放电保护逻辑信号生成所述晶体管组件的关断控制信号，所述关断控制信号的电压与检测电压的差值小于预设电压，所
4、在本公开的一些实施例中，所述晶体管组件包括第一晶体管，所述第一晶体管的最大耐压大于最大检测电压。所述第一晶体管的第一端电连接所述检测引脚，所述第一晶体管的第二端电连接所述后续检测电路，所述第一晶体管的控制端电连接所述电平移位电路的输出端。
5、所述第一晶体管被配置为，在触发充电保护时，根据所述关断控制信号断开所述检测引脚与所述后续检测电路之间的连接。
6、在本公开的一些实施例中，所述检测电路还包括第一电阻和第一钳位晶体管，所述第一电阻的第一端电连接所述检测引脚，所述第一电阻的第二端电连接所述第一钳位晶体管的正极，所述第一钳位晶体管的负极电连接所述第一晶体管的控制端。
7、在本公开的一些实施例中，所述晶体管组件还包括：第二晶体管，所述第二晶体管的最大耐压大于所述最大检测电压。所述第二晶体管的第一端电连接所述后续检测电路，所述第二晶体管的控制端电连接所述充电保护逻辑信号，所述第二晶体管的第二端通过所述第一晶体管与所述检测引脚电连接。
8、所述第二晶体管被配置为，在触发放电保护时，根据所述充电保护逻辑信号断开所述第一晶体管与所述后续检测电路之间的连接。
9、在本公开的一些实施例中，所述电平移位电路包括：反相器组件、保护模块和移位模块。
10、所述反相器组件被配置为，将所述充电保护逻辑信号进行反相处理。所述保护模块被配置为，在触发所述充放电保护时保护所述移位模块。所述移位模块被配置为，在触发所述充放电保护时将所述晶体管组件的控制信号的电压移位至与所述检测电压的差值小于所述预设电压，生成所述关断控制信号。
11、在本公开的一些实施例中，所述移位模块包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻。
12、所述第三晶体管的第一端电连接工作正电压，所述第三晶体管的第二端电连接所述第四晶体管的第二端，所述第三晶体管的控制端电连接所述反相器组件的输出端，所述第四晶体管的第一端电连接所述第五晶体管的第一端，所述第四晶体管的控制端电连接所述放电保护逻辑信号，所述第五晶体管的控制端通过所述第二电阻与工作负电压电连接，所述第五晶体管的第二端电连接所述第三电阻的第一端。所述第三电阻的第二端电连接所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端和所述电平移位电路的输出端，所述第四电阻的第二端电连接所述第六晶体管的第二端，所述第六晶体管的第一端电连接所述第六电阻的第一端，所述第六晶体管的控制端电连接所述保护模块，所述第六电阻的第二端和所述第五电阻的第二端电连接所述检测引脚。
13、在本公开的一些实施例中，所述保护模块包括：第七晶体管、第八晶体管、第七电阻、第八电阻、第九电阻和第二钳位晶体管。所述第七晶体管的第一端电连接所述第八晶体管的第一端，所述第七晶体管的第二端电连接所述反相器组件的输出端，所述第七晶体管的控制端和所述第八晶体管的控制端电连接所述放电保护逻辑信号，所述第八晶体管的第二端电连接所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端电连接所述第八电阻的第一端、所述移位模块和所述第二钳位晶体管的负极，所述第二钳位晶体管的正极电连接所述第九电阻的第一端，所述第九电阻的第二端和所述第八电阻的第二端电连接所述检测引脚。
14、在本公开的一些实施例中，所述反相器组件包括第一反相器、第二反相器和第三反相器，所述第一反相器的输入端电连接所述充电保护逻辑信号，所述第一反相器的输出端通过所述第二反相器与所述第三反相器的输入端电连接，所述第三反相器的输出端电连接所述移位模块和所述保护模块。
15、在本公开的一些实施例中，所述第五电阻的阻值大于所述第三电阻的阻值，且所述第五电阻的阻值与所述第三电阻的阻值的比值大于1000。
16、在本公开的一些实施例中，所述第七电阻的阻值与第八电阻的阻值为兆欧mω量级，且所述第八电阻的阻值大于所述第七电阻的阻值。
17、第二方面，本公开提供了一种芯片，包括第一方面提供的任一检测电路。
18、本公开的技术方案中提供了一种检测电路，包括检测引脚、逻辑电路、电平移位电路、晶体管组件和后续检测电路，通过逻辑电路能够处理充电逻辑信号和放电逻辑信号得到充电保护逻辑信号和放电保护逻辑信号，电平移位电路能够在触发充放电保护时，基于充电保护逻辑信号和放电保护逻辑信号生成晶体管组件的关断控制信号，关断控制信号的电压与检测电压的差值小于预设电压，检测电压为检测引脚检测到的电压，晶体管组件能够根据关断控制信号断开检测引脚与后续检测电路之间的连接，能够避免正负向高压对检测电路造成损坏，从而提升电路可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种检测电路，其特征在于，包括：检测引脚、逻辑电路、电平移位电路、晶体管组件和后续检测电路；
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述晶体管组件包括第一晶体管，所述第一晶体管的最大耐压大于最大检测电压；
3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括第一电阻和第一钳位晶体管；
4.根据权利要求2或3所述的检测电路，其特征在于，所述晶体管组件还包括：第二晶体管，所述第二晶体管的最大耐压大于所述最大检测电压；
5.根据权利要求1-3任一项所述的检测电路，其特征在于，所述电平移位电路包括：反相器组件、保护模块和移位模块；
6.根据权利要求5所述的检测电路，其特征在于，所述移位模块包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；
7.根据权利要求5所述的检测电路，其特征在于，所述保护模块包括：第七晶体管、第八晶体管、第七电阻、第八电阻、第九电阻和第二钳位晶体管；
8.根据权利要求5所述的检测电路，其特征在于，所述反相器
9.根据权利要求6所述检测电路，其特征在于，所述第五电阻的阻值大于所述第三电阻的阻值，且所述第五电阻的阻值与所述第三电阻的阻值的比值大于1000。
10.根据权利要求7所述的检测电路，其特征在于，所述第七电阻的阻值与第八电阻的阻值为兆欧MΩ量级，且所述第八电阻的阻值大于所述第七电阻的阻值。
...【技术特征摘要】
1.一种检测电路，其特征在于，包括：检测引脚、逻辑电路、电平移位电路、晶体管组件和后续检测电路；
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述晶体管组件包括第一晶体管，所述第一晶体管的最大耐压大于最大检测电压；
3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括第一电阻和第一钳位晶体管；
4.根据权利要求2或3所述的检测电路，其特征在于，所述晶体管组件还包括：第二晶体管，所述第二晶体管的最大耐压大于所述最大检测电压；
5.根据权利要求1-3任一项所述的检测电路，其特征在于，所述电平移位电路包括：反相器组件、保护模块和移位模块；
6.根据权利要求5所述的检测电路，其特征在于，所述移位模块包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：李卓，齐毅璇，贺洪波，王虎，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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