半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的底部结构，所述底部结构包括第一区和位于第一区上的第三区；位于衬底上的第一隔离层，所述第一隔离层位于所述第一区侧壁；位于第一区和第三区之间的第二隔离层；位于第一隔离层上的氧化层，所述氧化层位于所述第二隔离层侧壁；位于底部结构上的若干垂直堆叠的沟道层，相邻沟道层之间以及沟道层和第三区之间具有第三开口；位于氧化层上的栅极结构，所述栅极结构横跨若干所述沟道层，所述栅极结构还位于第三开口内，且所述栅极结构环绕所述沟道层。所述半导体结构的性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，传统的平面式的金属-氧化物半导体场效应晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(fin fet)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。与平面式的金属-氧化物半导体场效应晶体管相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流。

2、随着半导体技术的进一步发展，集成电路器件的尺寸越来越小，传统的鳍式场效应晶体管在进一步增大工作电流方面存在限制。具体的，由于鳍部中只有靠近顶部表面和侧壁的区域用来作为沟道区，使得鳍部中用于作为沟道区的体积较小，这对增大鳍式场效应晶体管的工作电流造成限制。因此，提出了一种沟道栅极环绕(gate-all-around，简称gaa)结构的鳍式场效应晶体管，使得用于作为沟道区的体积增加，进一步的增大了沟道栅极环绕结构鳍式场效应晶体管的工作电流。>

3、然而，现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的侧壁表面相对于所述底部结构的侧壁表面凹陷。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的材料包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的顶部表面低于所述栅极结构的底部表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的侧壁表面相对于所述底部结构的侧壁表面凹陷。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的材料包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的顶部表面低于所述栅极结构的底部表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于栅极结构两侧的堆叠结构内的源漏掺杂区。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一隔离层上形成氧化层之前，还包括：在若干堆叠结构侧壁表面和第三区侧壁表面形成保护层；去除所述第一隔离层和保护层暴露出的部分第二区，在第二区侧壁形成第一凹槽；所述第二隔离层的侧壁表面相对于所述底部结构的侧壁表面凹陷。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一隔离层和保护层暴露出的部分第二区，在第二区侧壁形成第一凹槽的方法包括：采用若干次等离子体干法蚀刻工艺对所述第二区侧壁进行刻蚀，所述等离子体干法蚀刻工艺的参数包括：蚀刻气体包括cf4、c4f8、o2和he；温度范围为40℃～100℃；腔内压强范围为5mtorr～30mtorr；射频功率范围为100w～800w；偏置电压范围为0～400v。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层和保护层的形成方法包括：在衬底上形成初始隔离层，所述初始隔离层位于所述第一区和第二区侧壁表面；形成初始隔离层之后，在若干所述堆叠结构侧壁和第三区侧壁形成保护层；形成保护层之后，回刻蚀所述初始隔离层，直至暴露出第二区侧壁表面，在第一区侧壁形成第一隔离层。

12.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪刘建，李政宁，陈子钊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：