【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏制造，特别是涉及一种单晶硅片烘干装置。
技术介绍
1、单晶硅片用于制造半导体器件、太阳能电池等，是将单晶硅棒切成硅片，并经过抛磨、清洗、烘干等工序，制成待加工的原料硅片。硅片通过在清洗机内清洗后送入清洗机的烘干槽内进行烘干。其中，烘干槽需要具有良好的密封性，以保证烘干效果。
2、相关技术中，烘干槽的槽门是通过轴承与烘干槽的槽体滑动连接，但是，长时间使用后存在槽体损伤、密封性下降的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对烘干槽的槽门长时间使用后存在槽体损伤、密封性下降的问题，提供一种单晶硅片烘干装置。
2、本申请提供的一种单晶硅片烘干装置，包括：
3、槽体，一侧设有敞口；
4、槽门，设于所述槽体具有所述敞口的一侧；以及
5、线性引导机构，包括至少一个线性引导单元，所述线性引导单元包括设置于所述槽体具有所述敞口的一侧的隆起部，以及与所述槽门连接的支承元件；
6、所述隆起部构造为沿第一方向纵长的延伸且具有弧形表面，所述支承元件构造有与所述隆起部适配的引导通道；
7、所述引导通道的壁面与所述隆起部的弧形表面接触形成移动副，以引导所述槽门能够沿所述第一方向线性地运动。
8、在其中一个实施例中，所述线性引导机构包括设置于所述敞口沿第二方向相对两侧的两个线性引导单元；所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。
9、在其中一个实施例中，所述隆起部在与所述第一方向垂直的平面上的横截
10、在其中一个实施例中，所述隆起部在与所述第一方向垂直的平面上的横截面的外轮廓线为半圆。
11、在其中一个实施例中，所述隆起部的弧形表面的边缘与所述槽体具有敞口的一侧的表面平滑过渡。
12、在其中一个实施例中，所述引导通道的壁面形状与所述隆起部的弧形表面相匹配，以使所述引导通道的壁面与所述隆起部的弧形表面以面接触形成移动副。
13、在其中一个实施例中，所述支承元件包括：
14、轴承，具有轴线方向和围绕所述轴线方向的周向方向，所述引导通道构造为沿所述轴承的周向方向设置于所述轴承外侧表面的凹部；以及
15、连接件，连接于所述槽门和所述轴承之间，以使所述槽门能够借助所述支承元件沿第一方向线性地运动。
16、在其中一个实施例中，所述连接件包括：
17、固定座，设置于所述槽门远离所述槽体的一侧；以及
18、连接轴，一端连接于所述固定座，另一端连接于所述轴承。
19、在其中一个实施例中，所述轴承为滚动轴承，所述连接轴的所述另一端连接于所述轴承的内圈；或者所述轴承为滑动轴承，所述连接轴连接于所述轴承的轴瓦。
20、在其中一个实施例中，所述单晶硅片烘干装置还包括动力源；所述动力源的输出端连接于所述槽门，以驱动所述槽门沿第一方向运动。
21、上述单晶硅片烘干装置，通过在槽体外侧设置线性引导机构，支承元件与隆起部配合控制槽门的移动方向，以辅助槽门的移动，从而无需在槽门与槽体之间设置导向轴承，有效减少槽体损伤，保证密封性能，并且避免轴承转动卡顿的情况，从而减少槽门卡顿，降低故障率，进而降低清洗机死机和堵槽所带来的维修成本，提高产能；而且支承元件在隆起部上移动，避免支承元件直接接触磨损槽体，并且隆起部的弧形表面可以增加受力面积，提高耐磨性，从而进一步减少对槽体的损伤，有效解决烘干槽的槽门长时间使用后存在槽体损伤、密封性下降的问题。另外，线性引导机构的结构简单，使用方便。
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1.一种单晶硅片烘干装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述线性引导机构包括设置于所述敞口沿第二方向相对两侧的两个线性引导单元；
3.根据权利要求1所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述隆起部在与所述第一方向垂直的平面上的横截面具有圆弧状的外轮廓线。
4.根据权利要求3所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述隆起部在与所述第一方向垂直的平面上的横截面的外轮廓线为半圆。
5.根据权利要求3所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述隆起部的弧形表面的边缘与所述槽体具有敞口的一侧的表面平滑过渡。
6.根据权利要求1所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述引导通道的壁面形状与所述隆起部的弧形表面相匹配，以使所述引导通道的壁面与所述隆起部的弧形表面以面接触形成移动副。
7.根据权利要求1-6任一项所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述支承元件包括：
8.根据权利要求7所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述连接件包括：
9.根据权利要求8所述的单晶硅
10.根据权利要求1-6任一项所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述单晶硅片烘干装置还包括动力源；
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片烘干装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述线性引导机构包括设置于所述敞口沿第二方向相对两侧的两个线性引导单元；
3.根据权利要求1所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述隆起部在与所述第一方向垂直的平面上的横截面具有圆弧状的外轮廓线。
4.根据权利要求3所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述隆起部在与所述第一方向垂直的平面上的横截面的外轮廓线为半圆。
5.根据权利要求3所述的单晶硅片烘干装置，其特征在于，所述隆起部的弧形表面的边缘与所述槽体具有敞口的一侧的表面平滑过渡。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨剑波，程帅，詹治城，纪光宇，章兹多，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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