System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种互连结构及封装结构制造技术_技高网

一种互连结构及封装结构制造技术

技术编号:40923028 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 14:47
本发明专利技术涉及芯片封装技术领域,公开了一种互连结构及封装结构。互连结构包括第一介质层、第一参考层、第二介质层、导电层、第一导电部及第二导电部,第一参考层位于第一介质层的一侧表面,第二介质层位于第一参考层背离第一介质层的一侧表面,导电层位于第二介质层背离第一参考层的一侧表面,第一导电部贯穿第二介质层与导电层接触,第一导电部另一端适于与基板上的焊盘连接;第二导电部贯穿第二介质层与导电层接触,第二导电部另一端适于与芯片的焊盘连接。第一参考层起到提供参考作用以及屏蔽作用,参考作用降低了高频时传输导体的局部寄生电感并保证均匀的特征阻抗,屏蔽作用抑制了高频信号能量的对外辐射,从而避免了高频信号的变差和失真。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装,具体涉及一种互连结构及封装结构


技术介绍

1、系统级封装(sip,systemin package)是一种用于将多个集成电路(ic,integrated circuit)和无源元件集成到一个封装体内的方法,其中,板上芯片封装需要将裸片使用导电或非导电胶附着至封装基板上,然后引线键合实现电气连接,键合线是指在引线键合这个过程中,用于连接裸片与封装基板的金线或其他导体。

2、键合线是实现裸片与封装基板电气连接的导体,且键合线用于传输裸片与封装基板之间的信号,而键合线上传输高频信号时,高频信号在键合线上快速变化会导致键合线产生极大的寄生电感,从而使得高频信号的损耗增加,且由于键合线在键合后呈现弯折结构,因此使得其与封装基板导体平面的参考距离不断变化,从而导致键合后键合线本身的阻抗急剧变化,而阻抗急剧变化会增加高频信号对外的辐射,使得高频信号的损耗进一步增加,从而导致信号质量变差甚至失真。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供了一种互连结构及封装结构,以解决相关技术存在的高频信号在导体上传输时,高频信号会被寄生电感和对外电磁辐射极速损耗,导致信号质量变差甚至失真。

2、第一方面,本专利技术提供了一种互连结构,包括:

3、第一介质层;

4、第一参考层,所述第一参考层位于所述第一介质层的一侧表面;

5、第二介质层,所述第二介质层位于所述第一参考层背离所述第一介质层的一侧表面;

6、导电层,所述导电层位于所述第二介质层背离所述第一参考层的一侧表面;

7、第一导电部,所述第一导电部贯穿第二介质层与所述导电层接触,所述第一导电部一端与所述导电层连接,所述第一导电部另一端适于与所述基板上的焊盘连接;

8、第二导电部,所述第二导电部贯穿所述第二介质层与所述导电层接触,所述第二导电部一端与所述导电层连接,所述第二导电部另一端适于与芯片上的焊盘连接;

9、所述第一参考层为导电材料,所述第一介质层和所述第二介质层均为绝缘材料。

10、有益效果:导电层的一侧设置有第一参考层,第一参考层能起到提供参考作用和屏蔽作用,第一参考层降低了在导电层传输高频信号时的局部寄生电感,并保证导电层均匀的特征阻抗,而导电层局部均匀的特征阻抗降低高频信号的反射,从而减少了高频信号的损耗,且第一参考层减少了导电层的对外辐射,使得高频信号的辐射损耗降低,从而进一步减少了高频信号的损耗,提升了高频信号的传输质量,避免高频信号损耗导致的信号质量失真。

11、在一种可选的实施方式中,还包括:

12、第一凸点,所述第一凸点设置在所述第一导电部上,所述第一导电部通过所述第一凸点与所述基板上的焊盘连接;

13、第二凸点,所述第二凸点设置在所述第二导电部上,所述第二导电部通过所述第二凸点与所述芯片上的焊盘连接。

14、有益效果:通过凸点工艺技术,简单方便的实现了芯片与基板的电气连接。

15、在一种可选的实施方式中,还包括:

16、第一凹槽,所述第一凹槽贯穿所述第一介质层和第一参考层,所述第一凹槽内设有所述第一凸点,伸出所述第一凹槽外的部分所述第一凸点适于与所述基板上的焊盘键合;

17、第二凹槽,所述第二凹槽贯穿所述第一介质层和第一参考层,所述第二凹槽内设有所述第二凸点,伸出所述第一凹槽外的部分所述第二凸点适于与所述芯片上的焊盘键合。

18、第一凹槽暴露出第一导电部,方便第一凸点的制作,第二凹槽暴露出第二导电部,方便第二凸点的制作。

19、在一种可选的实施方式中,还包括保护层,所述保护层位于所述导电层背离所述第二介质层的一侧表面,所述保护层为绝缘材料。

20、保护层对导电层进行防护性覆盖,避免导电层直接暴露在空气中导致的氧化,且保护层使得导电层与灰尘和潮湿相隔绝,并且能够降低互连结构在挠曲期间的应力。

21、在一种可选的实施方式中,还包括第二参考层,所述第二参考层位于所述导电层和所述保护层之间,所述第二参考层为导电材料。

22、导电层的两侧分别为第一参考层和第二参考层,使得导电层两侧的感抗降低,进一步减弱传输高频信号时的局部寄生电感,且第一参考层和第二参考层对导电层起到屏蔽作用,避免了导电层对外接的电磁辐射,也避免了外部的辐射干扰。

23、在一种可选的实施方式中,还包括:

24、第一胶层,所述第一胶层位于所述第一介质层和所述第一参考层之间;

25、第二胶层,所述第二胶层位于所述第一参考层和所述第二介质层之间;

26、第三胶层,所述第三胶层位于所述第二介质层和所述导电层之间;

27、第四胶层,所述第四胶层位于所述导电层与所述保护层之间。

28、有益效果:胶层将相邻的两层粘接在一起,而胶层是一种柔性基材,具有良好的伸缩性和耐弯折性,这使得互连结构能够在一定程度上被弯折而不被损坏。

29、在一种可选的实施方式中,还包括:

30、第五胶层,所述第五胶层位于所述导电层和所述第二参考层之间;

31、第六胶层,所述第六胶层位于所述第二参考层和所述保护层之间。

32、第二方面,本专利技术提供了一种封装结构,包括上述的互连结构,还包括:

33、基板,所述基板具有第一焊盘;

34、连接部,所述连接部位于所述基板一侧表面;

35、芯片,所述芯片位于所述连接部背离所述基板一侧表面,所述芯片具有第二焊盘;

36、所述第一焊盘与所述第一导电部键合,所述第二焊盘与所述第二导电部键合。

37、有益效果:通过采用互连结构实现了芯片与基板之间连线的阻抗控制,且该封装结构简单,易于实现,该封装结构能够兼容现有的键合线工艺,可方便、快捷的应用于产品,而无需对键合设备进行过多的改造。

38、在一种可选的实施方式中,还包括键合线,所述基板具有第三焊盘,所述芯片具有第四焊盘,所述键合线一端与所述第三焊盘键合,所述键合线另一端与所述第四焊盘键合。

39、在一种可选的实施方式中,所述基板背离所述连接部的一侧设置至少一个锡球。

40、在一种可选的实施方式,还包括塑封层,所述塑封层位于所述芯片背离所述连接部的一侧表面。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种互连结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,还包括:

3.根据权利要求2所述的互连结构,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1-3中任一项所述的互连结构,其特征在于,还包括保护层(111),所述保护层(111)位于所述导电层(104)背离所述第二介质层(103)的一侧表面,所述保护层(111)为绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的互连结构,其特征在于,还包括第二参考层(112),所述第二参考层(112)位于所述导电层(104)和所述保护层(111)之间,所述第二参考层(112)为导电材料。

6.根据权利要求4所述的互连结构,其特征在于,还包括:

7.根据权利要求5所述的互连结构(100),其特征在于,还包括:

8.一种封装结构,其特征在于,包括权利要求1-7中任一项所述的互连结构(100),还包括:

9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,还包括键合线(204),所述基板(201)具有第三焊盘(2012),所述芯片(203)具有第四焊盘(2032),所述键合线(204)一端与所述第三焊盘(2012)键合,所述键合线(204)另一端与所述第四焊盘(2032)键合。

10.根据权利要求8或9所述的封装结构,其特征在于,所述基板(201)背离所述连接部(202)的一侧设置至少一个锡球(205)。

11.根据权利要求10所述的封装结构,其特征在于,还包括塑封层(206),所述塑封层(206)位于所述芯片(203)背离所述连接部(202)的一侧表面。

...

【技术特征摘要】

1.一种互连结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,还包括:

3.根据权利要求2所述的互连结构,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1-3中任一项所述的互连结构,其特征在于,还包括保护层(111),所述保护层(111)位于所述导电层(104)背离所述第二介质层(103)的一侧表面,所述保护层(111)为绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的互连结构,其特征在于,还包括第二参考层(112),所述第二参考层(112)位于所述导电层(104)和所述保护层(111)之间,所述第二参考层(112)为导电材料。

6.根据权利要求4所述的互连结构,其特征在于,还包括:

7.根据权利要求5所述的互连结构(100),其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名
申请(专利权)人:苏州异格技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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