【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种晶圆的静电吸附方法和系统。
技术介绍
1、随着背面减薄晶圆的超薄化发展，在相关半导体器件的制造过程中，往往需要将晶圆吸附定位在吸附板上，来提供机械支撑或进行移动传送。
2、现有技术中，通常采用真空吸附，但真空吸附不仅可控性低，吸附均匀性差，且真空吸附孔处的负压容易产生形变。相比之下，采用静电吸附可以规避这些问题。
3、然而，晶圆超薄且具有较大的翘曲度，使得采用静电吸附仍存在一定弊端。由于在静电吸附的瞬间，晶圆会产生快速的大幅形变，一方面，容易造成晶圆内部结构损伤，影响器件性能和产品良率；另一方面，容易因密封空气而产生鼓起的贴合气泡。在加工过程中，贴合气泡使晶圆表面的平整度低，导致工艺膜层不均匀，从而直接影响器件性能和良率；在测试过程中，贴合气泡会影响测试的准确性，且相应区域容易被测试探针穿透，造成破片。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的至少一个问题，本申请的目的在于提供一种晶圆的静电吸附方法和系统，通过实现局部逐步静电吸附，不仅有助于减少晶圆内部因大幅形变所造成的结构损伤，确保器件性能和产品良率，而且能够避免静电吸附时晶圆和吸附板之间产生贴合气泡，使贴合效果得到有效优化，进而在加工过程中，可提高工艺膜层的均匀性，利于进一步提高器件性能和产品良率；在测试过程中，能够提高测试的准确性和可靠性，并减少破片。
2、为实现上述目的，本申请提供的晶圆的静电吸附方法，所述方法应用于静电吸附系统，所述静电吸附系统包括
3、将所述晶圆放置在所述静电吸附板上；
4、获取所述晶圆对应所述第一位置处的翘曲高度；
5、响应于所述翘曲高度小于等于第一高度阈值，控制所述多个环形电极以预设时间间隔由所述第一位置沿径向向外依次上电。
6、进一步地，所述静电吸附系统还包括吹气单元；所述方法还包括，
7、响应于所述翘曲高度大于第一高度阈值且小于第二高度阈值，控制所述吹气单元启动，并朝所述晶圆与所述第一位置相应的第一区域向下方或斜下方吹气；
8、控制所述多个环形电极以预设时间间隔由所述第一位置沿径向向外依次上电。
9、更进一步地，所述控制吹气单元启动的步骤后，所述方法还包括，
10、基于所述翘曲高度、所述晶圆的厚度确定所述吹气的气压参数值；
11、控制所述吹气单元以所述气压参数值进行所述吹气。
12、更进一步地，所述方法还包括，
13、预先配置气压参数表；其中，所述气压参数表中包括多个所述气压参数值，每个气压参数值对应特定的翘曲高度区间和晶圆厚度区间；
14、所述基于所述翘曲高度、所述晶圆的厚度确定所述吹气的气压参数值的步骤，包括，
15、获取所述晶圆的厚度；
16、调取所述气压参数表；
17、根据所述晶圆的厚度确定所述气压参数表中对应的晶圆厚度区间，并根据所述翘曲高度确定所述气压参数表中对应的翘曲高度区间；
18、根据所述对应的晶圆厚度区间和所述对应的翘曲高度区间，确定所述吹气的气压参数值。
19、进一步地，所述方法还包括，
20、响应于所述翘曲高度大于等于第二高度阈值，对所述晶圆进行翻面，并放置在一静电吸附板上；
21、获取所述翻面后的晶圆对应所述第一位置处的翘曲高度，作为所述翘曲高度。
22、进一步地，所述控制所述多个环形电极以预设时间间隔由所述第一位置沿径向向外依次上电的步骤后，所述方法还包括，
23、获取所述晶圆上多个位置处的高度参数；
24、响应于至少一个所述高度参数大于贴合高度阈值，控制所述多个环形电极以预设时间间隔由所述第一位置沿径向向内依次下电，并重新获取所述翘曲高度。
25、进一步地，所述方法还包括，
26、所述多个环形电极的所述依次上电的上电电压，被配置为依次增大。
27、进一步地，所述第一位置为所述静电吸附板的中心，对应所述晶圆的圆心或圆心的接近区域；所述多个环形电极为同心圆环形电极。
28、进一步地，所述静电吸附板上布设有贯穿静电吸附板的至少一个空气通道。
29、为实现上述目的，本申请还提供了一种晶圆的静电吸附系统，所述系统，包括，
30、静电吸附板，所述静电吸附板上布置有以第一位置为中心的多个环形电极；和，
31、静电吸附装置，用于控制所述静电吸附板对晶圆的静电吸附；
32、所述静电吸附装置，包括，
33、上片模块，用于将所述晶圆放置在所述静电吸附板上；
34、获取模块，用于获取所述晶圆对应所述第一位置处的翘曲高度；
35、控制模块，响应于所述翘曲高度小于等于第一高度阈值，控制所述多个环形电极以预设时间间隔由所述第一位置沿径向向外依次上电。
36、本申请的一种晶圆的静电吸附方法和系统，通过采用静电吸附板，其上具有以第一位置为中心的多个环形电极；并通过将晶圆放置在静电吸附板上；以及通过获取晶圆对应第一位置处的翘曲高度；并响应于翘曲高度小于等于第一高度阈值，控制多个环形电极以预设时间间隔由第一位置沿径向向外依次上电。由此，通过实现局部逐步静电吸附，不仅有助于减少晶圆内部因大幅形变造成的结构损伤，确保器件性能和产品良率，而且能够避免静电吸附时晶圆和吸附板之间产生贴合气泡，使贴合效果得到有效优化，进而在加工过程中，可提高工艺膜层的均匀性，利于进一步提高器件性能和产品良率；在测试过程中，能够提高测试的准确性和可靠性，并减少破片。
37、本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。
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1.一种晶圆的静电吸附方法，其特征在于，所述方法应用于静电吸附系统，所述静电吸附系统包括静电吸附板，所述静电吸附板上布置有以第一位置为中心的多个环形电极；所述方法包括，
2.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述静电吸附系统还包括吹气单元；所述方法还包括，
3.根据权利要求2所述的静电吸附方法，其特征在于，所述控制吹气单元启动的步骤后，所述方法还包括，
4.根据权利要求3所述的静电吸附方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述方法还包括，
6.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述控制所述多个环形电极以预设时间间隔由所述第一位置沿径向向外依次上电的步骤后，所述方法还包括，
7.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述方法还包括，
8.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述第一位置为所述静电吸附板的中心，对应所述晶圆的圆心或圆心的接近区域；所述多个环形电极为同心圆环形电极。
9.根据权利要求1-8任一项所述的静
10.一种晶圆的静电吸附系统，其特征在于，所述系统，包括，
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆的静电吸附方法，其特征在于，所述方法应用于静电吸附系统，所述静电吸附系统包括静电吸附板，所述静电吸附板上布置有以第一位置为中心的多个环形电极；所述方法包括，
2.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述静电吸附系统还包括吹气单元；所述方法还包括，
3.根据权利要求2所述的静电吸附方法，其特征在于，所述控制吹气单元启动的步骤后，所述方法还包括，
4.根据权利要求3所述的静电吸附方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述方法还包括，
6.根据权利要求1所述的静...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗正忠，
申请(专利权)人：业实精密科技苏州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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