【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种静电支撑板、静电支撑板组和半导体加工方法。
技术介绍
1、随着对半导体器件的要求越来越高，背面减薄后的晶圆片的厚度也趋向于越来越小，如砷化镓晶圆的厚度可减薄至50-100微米。对于超薄的晶圆片，在相应的半导体器件加工和测试过程中，需要定位在相应的支撑板上，获得机械支撑，减少破片。
2、现有技术中，通常采用胶带粘贴和真空吸附的方式，将超薄晶圆片固定在支撑板（如镀金铝板）上。然而，该技术存在一定弊端。一方面，真空吸附容易使超薄晶圆片产生变形，导致探针和晶圆接触不良，影响产品性能或测试可靠性。另一方面，胶带粘贴容易在晶圆片上留下残胶，需要进行专门去除，去除过程中容易造成破片。
技术实现思路
1、为了解决现有技术存在的不足，本申请的目的在于提供一种静电支撑板、静电支撑板组和半导体加工方法，不仅能够避免晶圆因真空吸附产生的变形，而且不会在晶圆片上留下残胶，有利于降低破片率。此外，通过设置导电通孔结构，尤其适用于腔体内存在带电离子的工艺和静电放电测试，可避免晶圆上电荷积累，有助于提高产品良率、产品性能和测试可靠性。
2、为实现上述目的，本申请提供的一种静电支撑板，包括：从上到下的上绝缘层、基板和下绝缘层；
3、其中，所述基板朝向所述上绝缘层的第一表面上设有电极；
4、所述静电支撑板上开设有多个导电通孔，所述多个导电通孔与所述电极在所述第一表面上错开分布；
5、每个导电通孔，设有相应的导电件；所述导电
6、可选地，所述静电支撑板为圆形板；基于所述圆形板的圆心的至少一个圆周上，布设多个所述导电通孔。
7、进一步可选地，所述圆形板的圆心处设有一导电通孔；所述圆周上的多个导电通孔与相邻圆周上的多个导电通孔在径向上交错布置。
8、可选地，所述多个导电件中的至少一个导电件，为导电塞；
9、所述导电塞，穿过相应的通孔，凸出于所述静电支撑板的上表面，形成所述上导电接触部；并凸出于所述静电支撑板的下表面，形成所述下导电接触部。
10、进一步可选地，所述静电支撑板包括中间区域和周边区域，所述中间区域的导电塞的电阻率，低于所述周边区域的导电塞的电阻率。
11、可选地，所述多个导电件中的至少一个导电件，为导电膜层结构；
12、所述导电膜层结构的导电连接部，布设于相应导电通孔的至少部分孔壁上，并向相应导电通孔的上孔口外延伸，形成所述上导电接触部；以及向相应导电通孔的下孔口外延伸，形成所述下导电接触部。
13、进一步可选地，所述导电膜层结构为通过电镀形成的膜层结构。
14、可选地，所述静电支撑板包括中间区域和周边区域，所述中间区域的导电通孔的面密度，高于所述周边区域的导电通孔的面密度。
15、可选地，所述上导电接触部和/或所述下导电接触部凸出所述静电支撑板的相应表面的厚度范围为2um-10um。
16、可选地，所述导电件的材料为导电金属或导电胶。
17、本申请提供的一种静电支撑板组，包括如上所述的静电支撑板，其中包括，
18、第一静电支撑板，用于支撑晶圆进行背面加工工艺；和，
19、第二静电支撑板，用于支撑所述晶圆进行晶圆测试或静电放电测试。
20、进一步地，所述静电支撑板组还包括定位环；所述定位环包括第一环部和第二环部；所述第一环部的内径大于所述第二环部的内径；
21、所述第一静电支撑板的外径、晶圆的外径和所述第二静电支撑板的外径依次减小；
22、在所述第一静电支撑板与所述晶圆叠置的第一工作状态下，所述第一环部用于容置并定位所述晶圆；
23、在所述第二静电支撑板与所述晶圆叠置的第二工作状态下，所述第一环部用于容置并定位所述晶圆，所述第二环部用于容置并定位所述第二静电支撑板。
24、本申请提供的一种采用静电支撑板组的半导体加工方法，采用如上所述的静电支撑板组；所述方法包括，
25、将所述晶圆正面朝下放置在第一静电支撑板上；
26、控制所述第一静电支撑板上电，静电吸附所述晶圆，进行背面加工工艺；
27、响应于接收到背面加工完成指令，翻转所述第一静电支撑板，以通过所述晶圆的背面朝下叠置在第二静电支撑板上；
28、控制所述第一静电支撑板下电；
29、控制所述第二静电支撑板上电，静电吸附所述晶圆，进行晶圆测试或静电放电测试；
30、响应于接收到测试结束指令，控制所述第二静电支撑板下电。
31、进一步地，在所述将所述晶圆正面朝下放置在第一静电支撑板上的步骤后，所述方法还包括，
32、将所述定位环放置在所述第一静电支撑板上，构成所述第一工作状态，以使所述定位环被所述第一静电支撑板吸附，来定位所述晶圆；
33、响应于接收到所述背面加工完成指令，翻转吸附有所述晶圆和所述定位环的所述第一静电支撑板，叠置于所述第二静电支撑板上，构成所述第二工作状态。
34、本申请的一种静电支撑板、静电支撑板组和半导体加工方法，通过在静电支撑板的基板朝向上绝缘层的第一表面上设有电极；并通过在静电支撑板上开设有多个导电通孔，多个导电通孔与电极在第一表面上错开分布；以及通过对每个导电通孔设有相应的导电件；导电件包括依次连接的上导电接触部、导电连接部和下导电接触部且导电接触部凸出于导电通孔的孔口。由此，不仅能够避免晶圆因真空吸附产生的变形，而且不会在晶圆片上留下残胶，有利于降低破片率。此外，通过设置导电通孔结构，尤其适用于腔体内存在带电离子的工艺和静电放电测试，可防止器件因电荷累积引起的电性崩溃，以及在后段封测过程中能精确测试超薄晶圆上的器件特性，有助于提高产品良率、产品性能和测试可靠性。
35、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。
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1.一种静电支撑板，其特征在于，包括：从上到下的上绝缘层、基板和下绝缘层；
2.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述静电支撑板为圆形板；基于所述圆形板的圆心的至少一个圆周上，布设多个所述导电通孔。
3.根据权利要求2所述的静电支撑板，其特征在于，所述圆形板的圆心处设有一导电通孔；所述圆周上的多个导电通孔与相邻圆周上的多个导电通孔在径向上交错布置。
4.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述多个导电件中的至少一个导电件，为导电塞；
5.根据权利要求4所述的静电支撑板，其特征在于，所述静电支撑板包括中间区域和周边区域，所述中间区域的导电塞的电阻率，低于所述周边区域的导电塞的电阻率。
6.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述多个导电件中的至少一个导电件，为导电膜层结构；
7.根据权利要求6所述的静电支撑板，其特征在于，所述导电膜层结构为通过电镀形成的膜层结构。
8.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述静电支撑板包括中间区域和周边区域，所述中间区域的导电通孔的
9.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述上导电接触部和/或所述下导电接触部凸出所述静电支撑板的相应表面的厚度范围为2um-10um。
10.根据权利要求1-9任一项所述的静电支撑板，其特征在于，所述导电件的材料为导电金属或导电胶。
11.一种静电支撑板组，其特征在于，包括至少两个如权利要求1-10任一项所述的静电支撑板，其中包括，
12.根据权利要求11所述的静电支撑板组，其特征在于，所述静电支撑板组还包括定位环；所述定位环包括第一环部和第二环部；所述第一环部的内径大于所述第二环部的内径；
13.一种采用静电支撑板组的半导体加工方法，其特征在于，采用权利要求12所述的静电支撑板组；所述方法包括，
14.根据权利要求13所述的半导体加工方法，其特征在于，在所述将所述晶圆正面朝下放置在第一静电支撑板上的步骤后，所述方法还包括，
...【技术特征摘要】
1.一种静电支撑板，其特征在于，包括：从上到下的上绝缘层、基板和下绝缘层；
2.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述静电支撑板为圆形板；基于所述圆形板的圆心的至少一个圆周上，布设多个所述导电通孔。
3.根据权利要求2所述的静电支撑板，其特征在于，所述圆形板的圆心处设有一导电通孔；所述圆周上的多个导电通孔与相邻圆周上的多个导电通孔在径向上交错布置。
4.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述多个导电件中的至少一个导电件，为导电塞；
5.根据权利要求4所述的静电支撑板，其特征在于，所述静电支撑板包括中间区域和周边区域，所述中间区域的导电塞的电阻率，低于所述周边区域的导电塞的电阻率。
6.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在于，所述多个导电件中的至少一个导电件，为导电膜层结构；
7.根据权利要求6所述的静电支撑板，其特征在于，所述导电膜层结构为通过电镀形成的膜层结构。
8.根据权利要求1所述的静电支撑板，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗正忠，
申请(专利权)人：业实精密科技苏州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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