【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及水冷屏设计，更具体的说是涉及一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法。
技术介绍
1、在太阳能光伏发电领域，单晶硅太阳能电池因具备高效率、低衰减、长寿命，和热稳定性好等优点被广泛使用，但单晶硅电池的生产成本普遍高于多晶硅，为了降本增效，单晶硅逐渐向大尺寸化发展；
2、然而，大尺寸晶棒会释放大量潜热，导致导热热阻增加，径向温差变大，固-液界面形变增加，以及影响热应力的分布，从而使晶体变晶生长的风险增大。
3、目前，工业直拉单晶炉广泛采用水冷屏强化晶体传热，但水冷屏的规格参数多是依据经验选取，而无法保证水冷屏具有最优的辐射传热系数，或通过数值模拟不同形状的水冷屏对晶体生长的影响进行选取，从而花费大量实验时间与材耗；
4、针对上述问题，本专利技术基于辐射传热角系数提出一种水冷屏参数确定方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，用于减少水冷屏设计或选取的盲目性以及对生产经验的依赖性。
<...【技术保护点】
1.一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，所述单晶硅棒的结构参数包括单晶硅棒的高度和半径，所述水冷屏的结构参数包括水冷屏的高度，内表面半径和外表面半径。
3.根据权利要求2所述的一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，当单晶硅棒高度低于水冷屏时，按如下公式确定单晶硅棒圆柱面对水冷屏内表面的角系数：
4.根据权利要求3所述的一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，当单晶硅棒高度低于水冷屏时，按如下公...
【技术特征摘要】
1.一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，所述单晶硅棒的结构参数包括单晶硅棒的高度和半径，所述水冷屏的结构参数包括水冷屏的高度，内表面半径和外表面半径。
3.根据权利要求2所述的一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，当单晶硅棒高度低于水冷屏时，按如下公式确定单晶硅棒圆柱面对水冷屏内表面的角系数：
4.根据权利要求3所述的一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，其特征在于，当单晶硅棒高度低于水冷屏时，按如下公式对所述角系数进行校正，
5.根据权利要求2所述的一种基...
【专利技术属性】
技术研发人员：任永生，王正省，马文会，李若璞，吕国强，雷云，魏奎先，李绍元，万小涵，张亚坤，曾毅，刘国炎，余秉玺，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：
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