【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
技术介绍
1、目前有机薄膜晶体管(otft)器件不具备量产性的原因有两点：
2、一是行业量产otft器件普遍采用ag作为sd(源极漏极)电极，主要原因是ag可以通过自组装层(sam)处理达到很高的功函，与有机半导体(osc)的homo能级接近而形成欧姆接触；
3、二是受限于底接触的器件结构，必须先进行sd结构制作再进行osc制作，而为实现sd与osc的欧姆接触，sd表面不能覆盖保护层(如氧化铟锡)，这样就使sd暴漏在环境中，容易发生氧化，最终导致产品信赖性变差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板通过采用铜作为有机薄膜晶体管的源极漏极，解决了有机薄膜晶体管无法量产的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。
3、在一种的可能实现中，所述第一电极层为纯铜层、叠层设置的第一钼合金层和第一铜层，或者叠层设置的第二钼合金层、第二铜层和第三钼合金层。
4、在一种的可能实现中，所述第一铜层厚度大于第一钼合金层的厚度；所述第二铜层厚度大于第二钼合金层厚度，所述第二铜层厚度大于第三钼合
5、在一种的可能实现中，所述第一电极层的总厚度不超过3000埃；
6、当第一电极层为纯铜层；所述纯铜层厚度范围为1000埃～2500埃；
7、当第一电极层为叠层设置的第一钼合金层和第一铜层；所述第一钼合金层的厚度范围为200埃～300埃，所述第一铜层的厚度范围为1000埃～2000埃；
8、当第一电极层为叠层设置的第二钼合金层、第二铜层和第三钼合金层，所述第二钼合金层的厚度范围为200埃～300埃，所述第二铜层的厚度范围为1000～2000埃，所述第三钼合金层的厚度范围为100±d埃，d为预设误差。
9、在一种的可能实现中，所述遮光层包括：纯钼层、钼铜双叠层、钼合金铜钼合金三叠层的至少一个；所述遮光层的厚度范围为3000埃～4000埃。
10、在一种的可能实现中，所述平坦层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂或亚克力；所述平坦层的厚度范围为1.5微米～2.0微米。
11、在一种的可能实现中，所述有机半导体层的材料为聚噻吩类有机半导体或并五苯类小分子半导体，所述有机半导体层的厚度范围为400±d埃，d为预设误差；所述栅极绝缘层的材料为含氟聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯或有机聚合物，所述栅极绝缘层的厚度范围为3000±d埃；所述栅极采用透明导电的氧化铟锡，所述栅极的厚度范围为700埃～1000埃。
12、在一种的可能实现中，所述绝缘层的材料为掺杂光敏剂的含氟的有机高分子，所述绝缘层的厚度范围为6000±d埃，d为预设误差。
13、在一种的可能实现中，所述遮光层上方设置第一过孔，所述栅极上方设置第二过孔，所述条形电极沿绝缘层、第一过孔和第二过孔延伸，以使外部的栅极信号通过遮光层进入栅极。
14、第二方面，本申请实施例供一种阵列基板的制备方法，包括：
15、在玻璃基板上设置遮光层阵列，在所述玻璃基板和遮光层阵列上方涂敷平坦层材料以形成平坦层；
16、通过构图工艺在所述平坦层上形成多个像素电极，所述像素电极与遮光层在玻璃基板上的投影无交叠；
17、通过构图工艺在所述平坦层上的非像素电极区域形成源极和漏极的图形；
18、在源极和漏极的上方设置第二电极层；
19、采用旋转方式涂布或狭缝方式进行涂布成膜，然后对膜进行固化形成绝缘层；
20、在所述绝缘层上方设置条形电极。
21、在一种的可能实现中，在源极和漏极的上方设置第二电极层，包括：
22、在所述源极和漏极上方依次进行有机半导体、栅极绝缘以及氧化铟锡成膜；
23、采用氧化铟锡湿法刻蚀氧化铟锡膜形成栅极图案；
24、以栅极为掩膜进行有机半导体和栅极绝缘刻蚀，形成有机半导体图案化和栅极图案化。
25、在一种的可能实现中，在所述绝缘层上方设置条形电极，包括：
26、在所述遮光层上方开第一过孔，在栅极上方开第二过孔，沿所述绝缘层、第一过孔和第二过孔设置条形电极；
27、在所述像素电极对应的绝缘层的上方间隔设置多个条形电极。
28、第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括对盒的本申请实施例的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间填充液晶；所述阵列基板远离彩膜基板的一侧设置第一玻璃基板；所述彩膜基板远离阵列基板的一侧设置第二玻璃基板；所述第一玻璃基板和阵列基板之间设置第一软膜；所述第二玻璃基板和彩膜基板之间设置第二软膜。
29、本申请的阵列基板具有稳定性高和成本低的优点。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为纯铜层、叠层设置的第一钼合金层和第一铜层，或者叠层设置的第二钼合金层、第二铜层和第三钼合金层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一铜层厚度大于第一钼合金层的厚度；所述第二铜层厚度大于第二钼合金层厚度，所述第二铜层厚度大于第三钼合金层厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的总厚度不超过3000埃；
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层包括：纯钼层、钼铜双叠层、钼合金铜钼合金三叠层的至少一个；所述遮光层的厚度范围为3000埃～4000埃。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂或亚克力；所
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的材料为聚噻吩类有机半导体或并五苯类小分子半导体，所述有机半导体层的厚度范围为400±d埃，d为预设误差；所述栅极绝缘层的材料为含氟聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯或有机聚合物，所述栅极绝缘层的厚度范围为3000±d埃；所述栅极采用透明导电的氧化铟锡，所述栅极的厚度范围为700埃～1000埃。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的材料为掺杂光敏剂的含氟的有机高分子，所述绝缘层的厚度范围为6000±d埃，d为预设误差。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层上方设置第一过孔，所述栅极上方设置第二过孔，所述条形电极沿绝缘层、第一过孔和第二过孔延伸，以使外部的栅极信号通过遮光层进入栅极。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在源极和漏极的上方设置第二电极层，包括：
12.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上方设置条形电极，包括：
13.一种显示面板，其特征在于，包括对盒的权利要求1-9任一项所述的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间填充液晶；所述阵列基板远离彩膜基板的一侧设置第一玻璃基板；所述彩膜基板远离阵列基板的一侧设置第二玻璃基板；所述第一玻璃基板和阵列基板之间设置第一软膜；所述第二玻璃基板和彩膜基板之间设置第二软膜。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为纯铜层、叠层设置的第一钼合金层和第一铜层，或者叠层设置的第二钼合金层、第二铜层和第三钼合金层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一铜层厚度大于第一钼合金层的厚度；所述第二铜层厚度大于第二钼合金层厚度，所述第二铜层厚度大于第三钼合金层厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的总厚度不超过3000埃；
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层包括：纯钼层、钼铜双叠层、钼合金铜钼合金三叠层的至少一个；所述遮光层的厚度范围为3000埃～4000埃。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂或亚克力；所述平坦层的厚度范围为1.5微米～2.0微米。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的材料为聚噻吩类有机半导体或并五苯类小分子半导体，所述有机半导体层的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：董立文，张锋，袁广才，谢昌翰，侯东飞，崔钊，吕志军，刘文渠，孟德天，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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