【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
技术介绍
1、目前有机薄膜晶体管(otft)器件不具备量产性的原因有两点：
2、一是行业量产otft器件普遍采用ag作为sd(源极漏极)电极，主要原因是ag可以通过自组装层(sam)处理达到很高的功函，与有机半导体(osc)的homo能级接近而形成欧姆接触；
3、二是受限于底接触的器件结构，必须先进行sd结构制作再进行osc制作，而为实现sd与osc的欧姆接触，sd表面不能覆盖保护层(如氧化铟锡)，这样就使sd暴漏在环境中，容易发生氧化，最终导致产品信赖性变差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板通过采用铜作为有机薄膜晶体管的源极漏极，解决了有机薄膜晶体管无法量产的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为纯铜层、叠层设置的第一钼合金层和第一铜层，或者叠层设置的第二钼合金层、第二铜层和第三钼合金层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一铜层厚度大于第一钼合金层的厚度；所述第二铜层厚度大于第二钼合金层厚度，...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置的遮光层、平坦层、第一电极层、第二电极层、绝缘层和条形电极；所述第一电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极之间具有沟道，所述第一电极层的材料中包含铜；所述第二电极层依次包括搭载在源极和漏极上方的有机半导体层、栅极绝缘层和栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为纯铜层、叠层设置的第一钼合金层和第一铜层，或者叠层设置的第二钼合金层、第二铜层和第三钼合金层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一铜层厚度大于第一钼合金层的厚度；所述第二铜层厚度大于第二钼合金层厚度，所述第二铜层厚度大于第三钼合金层厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的总厚度不超过3000埃；
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层包括：纯钼层、钼铜双叠层、钼合金铜钼合金三叠层的至少一个；所述遮光层的厚度范围为3000埃～4000埃。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂或亚克力；所述平坦层的厚度范围为1.5微米～2.0微米。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的材料为聚噻吩类有机半导体或并五苯类小分子半导体，所述有机半导体层的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：董立文，张锋，袁广才，谢昌翰，侯东飞，崔钊，吕志军，刘文渠，孟德天，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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