半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：衬底；多个半导体图案，在衬底上沿第一水平方向彼此间隔开，其中，多个半导体图案中的每个半导体图案具有在第一水平方向上彼此相对的第一侧表面和在第二水平方向上彼此相对的第二侧表面，第一水平方向和第二水平方向平行于衬底的上表面，第二水平方向垂直于第一水平方向；源/漏区，在多个半导体图案中的每个半导体图案的第二侧表面上；多个栅图案，围绕多个半导体图案中的每个半导体图案的上表面、下表面和第一侧表面；多个导线图案，将多个栅图案彼此连接；以及数据存储结构，在第二水平方向上平行于多个半导体图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的示例实施例涉及半导体器件。

技术介绍

1、根据电子工业的发展和用户需求，电子设备已经被设计为具有更紧凑的尺寸和更高程度的性能。因此，需要电子设备中使用的半导体器件具有高集成密度和高性能。由于一般的二维(2d)或平面半导体器件的集成密度可以主要由单位存储单元所占据的区域来确定，因此集成密度可能很大程度上受形成精细图案的技术水平的影响。然而，由于需要超昂贵的器件来减小图案，因此2d半导体器件的集成密度已经增加，但可能存在限制。因此，已经建议具有三维布置的存储单元的三维半导体存储器件。

技术实现思路

1、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改进的电特性和集成密度的半导体器件。

2、根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括衬底和在衬底上沿第一水平方向彼此间隔开的多个半导体图案，其中，多个半导体图案中的每个半导体图案具有在第一水平方向上彼此相对的第一侧表面和在第二水平方向上彼此相对的第二侧表面，其中，第一水平方向平行于衬底的上表面，并且第二水平方向平行于衬底的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导线图案中的每个导线图案在所述多个栅图案中的相邻栅图案之间沿所述第一水平方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导线图案中的每个导线图案一体地连接到所述多个栅图案中的每个栅图案。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导线图案包括与所述多个栅图案的材料相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个栅图案中的每个栅图案具有基本上均匀的厚度，并且围绕所述多个半导体图案...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导线图案中的每个导线图案在所述多个栅图案中的相邻栅图案之间沿所述第一水平方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导线图案中的每个导线图案一体地连接到所述多个栅图案中的每个栅图案。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个导线图案包括与所述多个栅图案的材料相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个栅图案中的每个栅图案具有基本上均匀的厚度，并且围绕所述多个半导体图案中的单独的半导体图案。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙在天，高大弘，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：