【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工领域，尤其涉及半导体热制程用加热装置。
技术介绍
1、半导体热制程是指在高温操作下进行制造程序，其温度通常比铝的熔点高。这个过程通常在高温炉中进行，包含半导体制造中氧化、杂质扩散和晶体缺陷修复的退火等主要工艺。
2、公开号为：cn115616875a的专利文件中，公开了半导体热制程用加热装置及加热方法，其中涉及第一加热部，其上放置待加热的晶圆；第二加热部，所述第一加热部与所述第二加热部平行设置，所述第二加热部被设置为给所述第一加热部加热；调节部，其被设置为调节所述第一加热部与所述第二加热部之间的垂直距离，所述加热装置还包括晶圆支架，所述晶圆支架设置于所述第一加热部的远离所述第二加热部的一侧。
3、当在对半导体热制程的过程通常需要在高温下进行，并且涉及到物质的物理和化学变化，在这个过程中，可能会出现碎屑、颗粒等物质，这些杂质在与半导体表面脱落后，有概率堆积在晶圆支架的表面或者附近，这些物质可能会对下一批次的半导体热制程产生负面影响。
4、为此，有必要提供一种便于改善半导体热制程洁净度...
【技术保护点】
1.半导体热制程用加热装置，其特征在于，包括热制程箱体（1），所述热制程箱体（1）的两侧均设置有隔热门板（2），所述热制程箱体（1）的内部设置有放置盘（3），所述放置盘（3）的顶部设置有加热机构（4），所述加热机构（4）的内部设置有吹灰机构（5），所述吹灰机构（5）用于保持放置盘（3）内部的洁净度。
2.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热机构（4）包括加热套盘（41），所述加热套盘（41）套设于放置盘（3）的外侧，所述加热套盘（41）的两侧均连接有升降缸体，且升降缸体竖直设置于热制程箱体（1）内部的两侧。
3.根据...
【技术特征摘要】
1.半导体热制程用加热装置，其特征在于，包括热制程箱体（1），所述热制程箱体（1）的两侧均设置有隔热门板（2），所述热制程箱体（1）的内部设置有放置盘（3），所述放置盘（3）的顶部设置有加热机构（4），所述加热机构（4）的内部设置有吹灰机构（5），所述吹灰机构（5）用于保持放置盘（3）内部的洁净度。
2.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热机构（4）包括加热套盘（41），所述加热套盘（41）套设于放置盘（3）的外侧，所述加热套盘（41）的两侧均连接有升降缸体，且升降缸体竖直设置于热制程箱体（1）内部的两侧。
3.根据权利要求2所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热套盘（41）的顶部连接有固定框（42），所述固定框（42）的顶部设置有驱动缸体（43），所述固定框（42）的外侧开设有槽口。
4.根据权利要求3所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述驱动缸体（43）的顶杆连接有拼接管（44），所述拼接管（44）的底部连接有加...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭健，陈胜文，王旋，
申请(专利权)人：成都特维思科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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