【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于镀膜，具体涉及一种镀膜组合物及其镀膜工艺。
技术介绍
1、线性渐变滤光片技术在近年来受到了广泛关注，特别是在遥感、探测和无人机等领域，其系统的微型化和集成性都是基于线性渐变滤光片才得以实现的。
2、线性渐变滤光片的透射光谱可以随其厚度的变化呈线性变化，故可作为分光器件。线性渐变滤光片可以采用磁控溅射法等镀膜制作工艺，在透明基底表面沉积多层厚度变化的镀膜组合物来制备。
3、因此，本专利技术的目的是研发出一种镀膜组合物及其镀膜工艺，应用于线性渐变滤光片，通过镀膜组合物的设计以及镀膜工艺的优化，提高了线性渐变滤光片的性能。
技术实现思路
1、专利技术目的：为了克服以上不足，本专利技术的目的是提供一种镀膜组合物及其镀膜工艺，设计合理，采用磁控溅射技术，应用于线性渐变滤光片，通过镀膜组合物的设计以及镀膜工艺的优化，成膜品质好、操作方便、安全，提高了线性渐变滤光片的性能，应用前景广泛。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
3、一种镀膜组合物，所述镀膜组合物沉积在透明基底上，从上至下包括：
4、上反射层，所述上反射层由若干sio2层、若干tio2层组成；
5、谐振腔层，所述谐振腔层由sio2层组成；
6、下反射层，所述下反射层由若干tio2层、若干sio2层组成。
7、本专利技术将所述镀膜组合物沉积在透明基底上形成线性渐变滤光片，所述镀膜组合物由多层介质薄膜组成，分为上反射层
8、进一步的，上述的镀膜组合物，所述上反射层从上至下包括sio2层、tio2层、sio2层、tio2层、sio2层、tio2层。
9、本专利技术所述上反射层采用sio2层、tio2层堆叠三次的膜系设计，使得透射峰半高全宽降低，还显著降低截止带的透射率。
10、进一步的，上述的镀膜组合物，所述下反射层从上至下包括tio2层、sio2层、tio2层、sio2层、tio2层、sio2层。
11、本专利技术所述下反射层采用tio2层、sio2层堆叠三次的膜系设计，也使得透射峰半高全宽降低，还显著降低截止带的透射率。
12、本专利技术还涉及所述镀膜组合物的镀膜工艺，包括如下步骤：
13、s1：对透明基底进行清洁；
14、s2：将清洁完成后的透明基底放入磁控溅射仪反应腔中，关闭磁控溅射仪反应腔门，抽真空至真空度（1-5）×10-6torr以下；通入流量为（15-20）sccm 的氩气，并且将磁控溅射仪反应腔内的压强控制在 1mtorr；加热使磁控溅射仪反应腔内温度达到100-120℃；
15、s3：使用射频源在透明基底上依次沉积sio2层、tio2层、sio2层、tio2层、sio2层、tio2层制得下反射层；然后继续在下反射层上沉积sio2层制得谐振腔层；然后继续在谐振腔层上依次沉积tio2层、sio2层、tio2层、sio2层、tio2层、sio2层层制得上反射层；
16、s4：沉积完成后，关闭射频源电源；等待磁控溅射仪反应腔内的温度自然降低后，开腔，取出，完成镀膜。
17、在镀膜时，通过对磁控溅射仪反应腔的真空度、压强、温度等参数的优化，以来提高磁控溅射的效果。
18、进一步的，上述的镀膜组合物的镀膜工艺，所述步骤s1，具体包括如下内容：分别采用玻璃清洗液、去离子水、丙酮、异丙醇依次对所述透明基底进行超声清洗，每次超声清洗5-15min，取出后使用氮气吹干。
19、进一步的，上述的镀膜组合物的镀膜工艺，所述步骤s2，先使用机械泵将磁控溅射仪反应腔内的真空度抽到（1-5）×10-2torr以下，再使用分子泵将磁控溅射仪反应腔内的真空度抽到（1-5）×10-6torr以下。
20、先使用机械泵将磁控溅射仪反应腔内的真空度抽到（1-5）×10-2torr以下，机械泵可以快速抽取大量气体，有效降低反应腔内的压力，从而减少蒸发源或溅射源周围的气体分子对材料蒸发过程的干扰。此外，机械泵还可将较大颗粒的气体和污染物一并排出。再使用分子泵将磁控溅射仪反应腔内的真空度抽到（1-5）×10-6torr以下，分子泵可以进一步提高真空度，减少反应腔内的气体分子数量，从而减少杂质对薄膜的影响。高真空环境有利于产生纯净、均匀的薄膜，并提高薄膜的致密性和附着力，同时降低材料蒸发的飞溅和气相反应。
21、进一步的，上述的镀膜组合物的镀膜工艺，所述步骤s3，使用射频源沉积tio2层的功率设置为130-150w；使用射频源沉积sio2层的功率设置为100-120w。
22、与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
23、（1）本专利技术公开的镀膜组合物，将所述镀膜组合物沉积在透明基底上形成线性渐变滤光片，所述镀膜组合物由多层介质薄膜组成，分为上反射层、谐振腔层、下反射层3个部分，所述上反射层由sio2层、堆叠组成，所述谐振腔层由sio2层组成，所述下反射层采用tio2层、sio2层堆叠组成，设计灵活；
24、（2）本专利技术公开的镀膜组合物的镀膜工艺，镀膜工艺简单，在镀膜时，通过对磁控溅射仪反应腔的真空度、压强、温度、氩气流量等参数的优化，以来提高磁控溅射的效果；抽真空时，通过机械泵和分子泵结合的方式，可以有效控制磁控溅射仪反应腔内的真空度，在一定程度上减少杂质和气体对薄膜质量的影响，以获得更高质量的薄膜；同时，通过采用分子泵抽取到更低真空度，也有助于延长设备和膜层的寿命。
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1.一种镀膜组合物，其特征在于，所述镀膜组合物沉积在透明基底上，从上至下包括：
2.根据权利要求1所述的镀膜组合物，其特征在于，所述上反射层从上至下包括SiO2层、TiO2层、SiO2层、TiO2层、SiO2层、TiO2层。
3.根据权利要求1所述的镀膜组合物，其特征在于，所述下反射层从上至下包括TiO2层、SiO2层、TiO2层、SiO2层、TiO2层、SiO2层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种镀膜组合物的镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种镀膜组合物的镀膜工艺，其特征在于，所述步骤S1，具体包括如下内容：将透明基底放入清洁液中，超声清洗5-15min，取出后使用氮气吹干；所述清洁液包括以下重量份数的原料：。
6.根据权利要求4所述的一种镀膜组合物的镀膜工艺，其特征在于，所述步骤S2，先使用机械泵将磁控溅射仪反应腔内的真空度抽到（1-5）×10-2torr以下，再使用分子泵将磁控溅射仪反应腔内的真空度抽到（1-5）×10-6torr以下。
7.根据权利要求4所述的一种
...【技术特征摘要】
1.一种镀膜组合物，其特征在于，所述镀膜组合物沉积在透明基底上，从上至下包括：
2.根据权利要求1所述的镀膜组合物，其特征在于，所述上反射层从上至下包括sio2层、tio2层、sio2层、tio2层、sio2层、tio2层。
3.根据权利要求1所述的镀膜组合物，其特征在于，所述下反射层从上至下包括tio2层、sio2层、tio2层、sio2层、tio2层、sio2层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种镀膜组合物的镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种镀膜组合物的镀膜工艺，其特征在于，所述步...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴宪君，吴沐卉，陈灯华，
申请(专利权)人：苏州晶生新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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