【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、作为用于增加半导体器件的密度的缩放技术之一，已经提出了多栅晶体管，其中具有鳍或纳米线形状的多沟道有源图案(或硅体)可以形成在衬底上并且栅极可以形成在多沟道有源图案的表面上。
2、由于这种多栅晶体管使用三维沟道，因此可以容易地进行缩放。另外，即使不增加多栅晶体管的栅极长度，多栅晶体管也可以提高电流控制能力。另外，多栅晶体管可以有效地限制或抑制短沟道效应(sce)，其中沟道区的电势会受到漏极电压的影响。
3、同时，随着半导体器件的间距尺寸减小，可能需要用于减小电容并且确保半导体器件中的接触部之间的电稳定性的研究。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种能够提高元件的性能和/或可靠性的半导体器件。
2、然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。
3、根据示例实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，包...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，从所述栅电极的上表面到所述第一源/漏接触部的最下部分的深度等于从所述栅电极的上表面到所述接触阻挡图案的下表面的深度。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏接触部的一部分和所述第二源/漏接触部的一部分在所述衬底中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中
8.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，从所述栅电极的上表面到所述第一源/漏接触部的最下部分的深度等于从所述栅电极的上表面到所述接触阻挡图案的下表面的深度。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏接触部的一部分和所述第二源/漏接触部的一部分在所述衬底中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏接触部和所述第二源/漏接触部不包括位于所述衬底中的部分。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏接触部在所述第一方向上的高...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴志授，姜明一，权智旭，李正韩，崔秀斌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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