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一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一片图案的第一端和第二端；接触阻挡图案，在第二源/漏图案的下侧上；第一源/漏接触部，沿第一方向延伸并且连接到第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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