薄膜晶体管和晶体管阵列基底制造技术

技术编号:40907897 阅读:10 留言:0更新日期:2024-04-18 14:37
提供了一种薄膜晶体管和晶体管阵列基底。所述薄膜晶体管包括:有源层,包括沟道区、第一导电区和第二导电区;栅极绝缘层,在有源层的一部分上;第一通孔,穿透第一导电区的一部分;第二通孔,穿透第二导电区的一部分;栅电极,与有源层的沟道区叠置;第一电极,电连接到第一导电区;以及第二电极,电连接到第二导电区。第一电极的与第一通孔相邻的一侧与第一通孔的一侧平行,第一电极包括在其两端处的突起部和从栅电极凹地凹陷的凹槽部。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的晶体管阵列基底。


技术介绍

1、随着信息社会发展,对用于显示图像的显示装置的需求已增加并且多样化。例如,显示装置已应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。

2、显示装置可以包括发射用于显示图像的光的显示面板和供应用于驱动显示面板的信号或电源的驱动器。

3、显示面板可以包括其中发射用于显示图像的光的显示区域,并且可以包括设置在显示区域中的偏振构件或发光构件。

4、发射每种亮度和颜色的光的子像素可以布置在显示区域中。

5、另外,显示面板可以包括晶体管阵列基底,晶体管阵列基底包括基底和电路层,电路层包括设置在基底上并且各自与子像素对应的像素驱动器。使用这种晶体管阵列基底,可以从显示区域的子像素发射每种亮度和颜色的光。

6、晶体管阵列基底的像素驱动器中的每个可以包括至少一个薄膜晶体管(tft)。

7、薄膜晶体管包括栅电极、第一电极、第二电极和有源层。这种薄膜晶体管可以是开关元件,在该开关晶体管中,当栅电极与第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述第一导电区与穿透所述栅极绝缘层的第一电极连接孔对应,

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,在所述第一导电区中位于所述第一通孔的所述一侧与所述第一接触区域之间的第一通路区域的长度大于所述第一通孔的所述一侧的宽度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其中,所述第二电极的与所述第二通孔相邻的一侧与所述第二通孔的所述一侧平行,并且相对于所述栅电极与所述第一电极对称,所述第二电极包括突起部和凹槽部,并且

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其中,所述第一导...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述第一导电区与穿透所述栅极绝缘层的第一电极连接孔对应,

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,在所述第一导电区中位于所述第一通孔的所述一侧与所述第一接触区域之间的第一通路区域的长度大于所述第一通孔的所述一侧的宽度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其中,所述第二电极的与所述第二通孔相邻的一侧与所述第二通孔的所述一侧平行,并且相对于所述栅电极与所述第一电极对称,所述第二电极包括突起部和凹槽部,并且

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其中,所述第一导电区还包括在所述沟道区与所述第一通路区域之间的第一主区域,并且

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中,在所述第一电极和所述栅电极彼此面向的第一方向上,所述第一接触区域的最大宽度大于所述凹槽部的宽度。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管,其中,在所述第一方向上,所述第一接触区域的所述最大宽度与所述凹槽部的所述宽度之间的差为0.5μm或更大。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管,其中,在与所述第一方向交叉的第二方向上,所述第一导电区的宽度大于所述第一通孔的宽度,并且

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管,其中,所述凹槽部在所述第二方向上的宽度等于或小于所述第一通孔在所述第二方向上的宽度的1/2。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其中,所述凹槽部在所述第二方向上的所述宽度为1μm或更大。

11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管,其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:具素英金明花金億洙金亨俊
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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