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薄膜晶体管和晶体管阵列基底制造技术
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文档序号:40907897
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提供了一种薄膜晶体管和晶体管阵列基底。所述薄膜晶体管包括:有源层,包括沟道区、第一导电区和第二导电区;栅极绝缘层,在有源层的一部分上;第一通孔,穿透第一导电区的一部分;第二通孔,穿透第二导电区的一部分;栅电极,与有源层的沟道区叠置;第一电极...
该专利属于三星显示有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过三星显示有限公司授权不得商用。
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