功率均布型三相可控硅主回路及其应用方法技术

本发明专利技术属于三相可控硅换相电路技术领域，特别是涉及一种功率均布型三相可控硅主回路及其应用方法。主回路包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，由与电源Ｕ相相联接的可控硅模块Ｍ１、Ｍ２，与电源Ｖ相相联接的可控硅模块Ｍ３、Ｍ４，与电源Ｗ相相联接的可控硅模块Ｍ５、Ｍ６所组成，应用方法包括输出正相序电压和输出逆相序电压。采用本发明专利技术，由于电流分布均匀，在同样负载电流下，减小了可控硅器件的发热量，有效地利用了可控硅模块和散热器空间，减少了可控硅器件在运行中的局部高温，大大延长了可控硅器件的工作寿命，提高了主回路器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于三相可控硅换相电路
，特别是涉及一种功率均布型三相可控硅主 回路及其应用方法。
技术介绍
对于大功率可控硅器件，通常都是以一对可控硅器件封装在一起以模块形式提供 的，如图1中方框内所示，每个模块内封装2只可控硅元件。现有的三相可控硅换相主回路 电路形式如图1所示，三相可控硅换相主回路由五个可模块组成。电动机正转时，可控硅模 块M1、M2、M4工作，M3，M5闲置；电动机反转时，模块Ml、M3、M5工作M2，M4闲置。这种方 式，三相电流永远只集中在三只模块中，可控硅在工作中产生的热量也集中在三只模块中， 电路中另两只模块没有得到有效利用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种功率均布型三相可控硅主回路，主回路采用6只可控 硅模块M1-M6。本专利技术的另一个目的在于提供一种功率均布型三相可控硅主回路的应用方法。本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的。本专利技术的功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控 硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块Ml、M2，与电源V相相联接的可控硅 模块M3、M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、M6所组成，1)电源U相与可控硅模块Ml中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可 控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块Ml中的反向可控硅Dl的阳极 和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，2)电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可 控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、 可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅DlO的阴极以及 可控硅模块M6中的反向可控硅Dll的阳极相联接，3)电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅DlO的阳极和可控硅模块M6中的正向 可控硅D12的阳极相联接，电源W相的输出端Wo与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阴 极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅Dll的阳极 以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相联接。—种采用所述的功率均布型三相可控硅主回路的应用方法，其特征在于当要求输出正相序电压时，所述的电源U相模块Ml中的Dl即负半周、所述的电源U相 模块M2中的D4即正半周导通，所述的电源V相模块M3中的D5即负半周、所述的电源V相 模块M4中的D8即正半周导通，所述的电源W相模块M5中的D9即负半周、所述的电源W相 模块M6中的D12即正半周导通，3当要求输出负相序电压时，所述的电源U相模块Ml中的Dl即负半周、所述的电源U相 模块M2中的D4即正半周导通，所述的电源V相模块M3中的D6即正半周、所述的电源V相 模块M4中的D7即负半周导通，所述的电源W相模块M5中的DlO即正半周、所述的电源W 相模块M6中的Dll即负半周导通。本专利技术的主要技术特征是其主回路构成方式，三相电流由6只可控硅模块分摊负 荷，实现这种分配方式的电路主要特征是1)电源U相与可控硅模块Ml中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可 控硅D4的阳极相连，U相输出端Uo与可控硅模块Ml中的反向可控硅Dl的阳极和可控硅 模块M2中的正向可控硅D4的阴极相连。2)电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正 向可控硅D8的阳极相连，V相输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控 硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅DlO的阴极以及可控 硅模块M6中的反向可控硅Dll的阳极相连。3)电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅DlO的阳极和可控硅模块M6中的正 向可控硅D12的阳极相连，W相输出端W与可控硅模块M3中的正向可控硅D4的阴极、可控 硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅Dll的阳极以及可控 硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相连。本专利技术的优点是将三相电流均勻分布到6只可控硅模块中去，使每一只可控硅模 块无论是否换相，都只承受半周期的电流。可控硅在工作中产生的热量均勻分配到6只可 控硅模块中，电路中的每只模块都得到有效利用。附图说明图1为本专利技术的正相序三相可控硅主回路的原理图。图2为本专利技术的逆相序三相可控硅主回路的原理图。具体实施例方式下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施方式。如图1、2所示，本专利技术的功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封 装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块Ml、M2，与电源V相 相联接的可控硅模块M3、M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、M6所组成，1)电源U相与可控硅模块Ml中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可 控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块Ml中的反向可控硅Dl的阳极 和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，2)电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可 控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、 可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅DlO的阴极以及 可控硅模块M6中的反向可控硅Dll的阳极相联接，3)电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅DlO的阳极和可控硅模块M6中的正向 可控硅D12的阳极相联接，电源W相的输出端Wo与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阴4极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅Dll的阳极 以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相联接。图中黑粗线表示模块间的连线。一种采用所述的功率均布型三相可控硅主回路的应用方法，其特征在于如图1所示，当要求输出正相序电压时，所述的电源U相模块Ml中的Dl即负半周、所 述的电源U相模块M2中的D4即正半周导通，所述的电源V相模块M3中的D5即负半周、所 述的电源V相模块M4中的D8即正半周导通，所述的电源W相模块M5中的D9即负半周、所 述的电源W相模块M6中的D12即正半周导通，如图2所示，当要求输出负相序电压时，所述的电源U相模块Ml中的Dl即负半周、所 述的电源U相模块M2中的D4即正半周导通，所述的电源V相模块M3中的D6即正半周、所 述的电源V相模块M4中的D7即负半周导通，所述的电源W相模块M5中的DlO即正半周、 所述的电源W相模块M6中的Dll即负半周导通。导通可控硅如图中标注阴影所示。采用本专利技术的功率均分型三相可控硅主回路，由于电流分布均勻，在同样负载电 流下，大大减小了可控硅器件的发热量，有效地利用了可控硅模块和散热器空间，减少了可 控硅器件在运行中的局部高温，大大延长了可控硅器件的工作寿命，提高了主回路器件的 可靠性。在同样负载状态下，可采用低一级规格的可控硅元件。因此具有十分可观的技术 价值和经济价值。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源Ｕ相相联接的可控硅模块Ｍ１、Ｍ２，与电源Ｖ相相联接的可控硅模块Ｍ３、　Ｍ４，与电源Ｗ相相联接的可控硅模块Ｍ５、Ｍ６所组成，１）电源Ｕ相与可控硅模块Ｍ１中的正向可控硅Ｄ２的阳极和可控硅模块Ｍ２中的正向可控硅Ｄ４的阳极相联接，电源Ｕ相的输出端Ｕｏ与可控硅模块Ｍ１中的反向可控硅Ｄ１的阳极和可控硅模块Ｍ２中的正向可控硅Ｄ４的阴极相联接，２）电源Ｖ相与可控硅模块Ｍ３中的正向可控硅Ｄ６的阳极和可控硅模块Ｍ４中的正向可控硅Ｄ８的阳极相联接，电源Ｖ相的输出端Ｖｏ与可控硅模块Ｍ３中的反向可控硅Ｄ５的阳极、可控硅模块Ｍ４中的正向可控硅Ｄ８的阴极、可控硅模块Ｍ５中的正向可控硅Ｄ１０的阴极以及可控硅模块Ｍ６中的反向可控硅Ｄ１１的阳极相联接，３）电源Ｗ相与可控硅模块Ｍ５中的正向可控硅Ｄ１０的阳极和可控硅模块Ｍ６中的正向可控硅Ｄ１２的阳极相联接，电源Ｗ相的输出端Ｗｏ与可控硅模块Ｍ３中的正向可控硅Ｄ６的阴极、可控硅模块Ｍ４中的反向可控硅Ｄ７的阳极、可控硅模块Ｍ５中的反向可控硅Ｄ１１的阳极以及可控硅模块Ｍ６中的正向可控硅Ｄ１２的阴极相联接。...

【技术特征摘要】
一种功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块M1、 M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、 M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、 M6所组成， 1)电源U相与可控硅模块M1中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块M1中的反向可控硅D1的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，2)电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阴极以及可控硅模块M6中的反向可控硅D11的阳极相联接，3)电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阳极和可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阳极相联接，电源W相...

【专利技术属性】
技术研发人员：田振，杨经建，
申请(专利权)人：鞍山起重控制设备有限公司，
类型：发明
国别省市：21[中国|辽宁]