【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅片，尤其是涉及一种单晶硅片清洗装置。
技术介绍
1、单晶硅片是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，它是用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，是一种良好的半导材料，用于制造半导体器件、太阳能电池等，一般单晶硅片需要经切片、脱胶、清洗、烘干以及数片机等加工后才能够满足使用需求，而其中清洗的目的就是为了出去单晶硅片上残留的切割液以及硅粉，
2、如专利公开号为cn202222471308.7，公开的一种单晶硅片的清洗装置，其通过在电机一、电机二、刷辊一、刷辊二、支板、电推杆、放置板以及夹紧垫的配合下，一方面能够对单晶硅片进行双面清洗，另一方面能够在清洗前后实现单晶硅片由清洗槽内的自动升降，省去了人工手动弯腰取放的繁琐操作，从而提高了单晶硅片在清洗过程中的取放效率，降低人工劳动强度，便于清洗过程的高效进行，但是该技术方案仍存在不足，具体如下：
3、现有的清洗机构在进行清洗的过程中夹持区域是没办法被清洗到的，从而会造成清洗不彻底的现象，影响后续的使用，同时一次只能进行单个清洗的效率实在不高，需要工作人员多次反复操作，增加了清洗时间。为此，我们提出一种单晶硅片清洗装置来解决上述提到的问题。
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本技术的说明书摘要和技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。
2、因此，本技术目
3、为解决上述技术问题，本技术提供一种单晶硅片清洗装置，采用如下的技术方案：包括，
4、装置组件，其包括装置主体，所述装置主体的上方连接有支板，所述支板的下方内侧设置有电动推杆，所述电动推杆的下方连接有放置板；
5、限位机构，其包括联动块，所述联动块的上方开设有滑动槽，所述滑动槽的内部连接有滑动块，所述联动块的左侧连接有第二磁石，所述联动块的下方连接有第一限位块；
6、清洗组件，其包括延伸杆，所述延伸杆位于放置板的两侧，所述延伸杆的下方连接有圆形块，所述圆形块的下方插入圆形槽的内部，所述圆形槽位于第三限位块的表面，所述第三限位块的中心开设有夹持槽。
7、通过采用上述技术方案，本方案通过设置有可活动的限位块使得限位区域同样可以进行清洗，且通过设置有多个限位块使得可以一次进行多个硅片的清洗工作，提高清洗效率。
8、可选的，所述联动块与第二磁石呈一体化安装，所述第二磁石与第一磁石相互吸引，所述第一磁石位于辅助块的右侧，所述辅助块的中心线与联动块的中心线重合。
9、通过采用上述技术方案，本方案通过设置有第二磁石与第一磁石配合，带动联动块移动，从而带动后续的第二活动块移动。
10、可选的，所述联动块通过滑动槽与滑动块构成滑动结构，所述滑动块呈倒“t”字型，所述滑动块与放置板的连接方式为热熔连接。
11、通过采用上述技术方案，本方案通过滑动块保证联动块的移动工作进行，同时t型结构避免联动块脱落。
12、可选的，所述延伸杆对称分布在放置板的两侧，所述延伸杆与第二限位块之间同样分布有滑动槽以及滑动块，所述第二限位块的大小结构与第一限位块的大小结构一致，所述第二限位块呈正方形结构。
13、通过采用上述技术方案，本方案通过延伸杆带动多个限位块，从而一次可进行多个清洗工作。
14、可选的，所述第二限位块的中心线与第三磁石的中心线重合，所述第三磁石通过其左侧的辅助块与装置主体构成一体化安装。
15、通过采用上述技术方案，本方案通过多个磁石带动多个限位块移动，避免夹持处无法进行清洗。
16、可选的，所述第三限位块呈圆筒形结构，所述第三限位块对称分布在第一限位块的两侧，所述第三限位块的外侧表面均匀等距分布有圆形环绕的圆形槽。
17、通过采用上述技术方案，本方案通过圆形槽带动第三限位块转动，保证清洗效率。
18、可选的，所述圆形槽与圆形块的连接方式为滑动连接，所述圆形块呈倒“t”字型结构，所述圆形块与延伸杆呈一体化安装。
19、通过采用上述技术方案，本方案通过圆形块使得第三限位块转动时不会脱落，保证稳固性。
20、可选的，所述夹持槽的中心点与第三限位块的中心点重合，所述夹持槽的大小与第二限位块中心开槽的大小一致，所述夹持槽呈长方形。
21、通过采用上述技术方案，本方案通过夹持槽对单晶硅片主体进行夹持，保证在清洗时单晶硅片的稳定性，不会出现脱落等问题。
22、综上所述，本技术包括以下至少一种有益效果：
23、通过设置有第一限位块与其下方的辅助块进行配合，使得第一限位块在上下升降的过程中会进行左右移动，从而改变对单晶硅片的夹持位置，使得单晶硅片在清洗过程中不会出现夹持处无法进行清洗的问题，使得清洗效果更好；
24、通过设置有第三限位块，使得第三限位块与第一限位块配合，可以对多个单晶硅片进行清洗，同时第三限位块的表面开设有环形的圆形槽，圆形槽与第三磁石配合，使得第三限位块在移动的过程中同时转动，带动单晶硅片转动，从而保证单晶硅片的各个角度都可以清洗到，保证在不增加清洗滚轮的情况下清洗一样干净。
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1.一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：包括，
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述联动块(201)与第二磁石(204)呈一体化安装，所述第二磁石(204)与第一磁石(203)相互吸引，所述第一磁石(203)位于辅助块(202)的右侧，所述辅助块(202)的中心线与联动块(201)的中心线重合。
3.根据权利要求2所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述联动块(201)通过滑动槽(205)与滑动块(206)构成滑动结构，所述滑动块(206)呈倒“T”字型，所述滑动块(206)与放置板(104)的连接方式为热熔连接。
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述延伸杆(301)对称分布在放置板(104)的两侧，所述延伸杆(301)与第二限位块(302)之间同样分布有滑动槽(205)以及滑动块(206)，所述第二限位块(302)的大小结构与第一限位块(207)的大小结构一致，所述第二限位块(302)呈正方形结构。
5.根据权利要求4所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述第二限位块(30
6.根据权利要求5所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述第三限位块(304)呈圆筒形结构，所述第三限位块(304)对称分布在第一限位块(207)的两侧，所述第三限位块(304)的外侧表面均匀等距分布有圆形环绕的圆形槽(305)。
7.根据权利要求6所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述圆形槽(305)与圆形块(306)的连接方式为滑动连接，所述圆形块(306)呈倒“T”字型结构，所述圆形块(306)与延伸杆(301)呈一体化安装。
8.根据权利要求7所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述夹持槽(307)的中心点与第三限位块(304)的中心点重合，所述夹持槽(307)的大小与第二限位块(302)中心开槽的大小一致，所述夹持槽(307)呈长方形。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：包括，
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述联动块(201)与第二磁石(204)呈一体化安装，所述第二磁石(204)与第一磁石(203)相互吸引，所述第一磁石(203)位于辅助块(202)的右侧，所述辅助块(202)的中心线与联动块(201)的中心线重合。
3.根据权利要求2所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述联动块(201)通过滑动槽(205)与滑动块(206)构成滑动结构，所述滑动块(206)呈倒“t”字型，所述滑动块(206)与放置板(104)的连接方式为热熔连接。
4.根据权利要求3所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述延伸杆(301)对称分布在放置板(104)的两侧，所述延伸杆(301)与第二限位块(302)之间同样分布有滑动槽(205)以及滑动块(206)，所述第二限位块(302)的大小结构与第一限位块(207)的大小结构一致，所述第二限位块(302)呈正方形结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：季海斌，王刚，
申请(专利权)人：扬州六如新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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