System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件技术_技高网

太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件技术

技术编号:40875541 阅读:5 留言:0更新日期:2024-04-08 16:44
本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件,太阳能电池的制备方法包括在基片内形成第一预设宽度的重掺杂区域,在基片表面形成原子膜层,在重掺杂区域制备第二预设宽度的栅线电极,栅线电极穿过至少部分原子膜层,沿栅线电极边缘形成烧结区域以制备太阳能电池,其中第二预设宽度小于第一预设宽度,能够保证即使栅线电极印刷出现偏移,也能够将栅线电极的印刷位置控制在重掺杂区域内,第三预设宽度小于或等于所述第一预设宽度与所述第二预设宽度的差值且大于0,因此避免了烧结区域超过重掺杂区域,从而能够保证在完成对栅线电极的辅助烧结的同时避免对更多非重掺杂区域造成损伤。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏电池,特别是涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件


技术介绍

1、在光伏电池
,传统的金属电极金属化目前产业采用的方式还是丝网印刷加链式烧结的方式,由于正面烧结温度过高容易使得玻璃层的厚度变厚,较厚的玻璃层造成更少的载流子运输,导致电流电压的损失,进而造成效率的损失,因此需要降低电池正面栅线的烧结温度。

2、目前通过激光辅助烧结来进行处理金属栅线增加金属与硅基体的接触,能够避免温度过高带来的电池效率损失的问题,但是激光辅助烧结与前道工序的配合不成熟,容易对电池片造成损伤,也会造成太阳能电池效率的损失。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够减少对电池片损伤的太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件。

2、第一方面,本申请提供一种太阳能电池的制备方法,包括:

3、形成一基片;

4、于所述基片内形成第一预设宽度的重掺杂区域;

5、于所述基片的表面形成原子膜层;至少部分所述原子膜层覆盖所述重掺杂区域;

6、于所述重掺杂区域制备第二预设宽度的栅线电极;所述栅线电极穿过至少部分所述原子膜层;所述第二预设宽度小于所述第一预设宽度;

7、沿所述栅线电极边缘形成烧结区域以制成太阳能电池,所述烧结区域为所述重掺杂区域内距离所述栅线电极边缘第三预设宽度的区域;所述第三预设宽度小于或等于所述第一预设宽度与所述第二预设宽度的差值且大于0。

8、在其中一个实施例中,所述于所述基片内形成第一预设宽度的重掺杂区域,包括:

9、采用具有目标功率和目标速度的第一预设激光于所述基片的目标深度形成第一预设宽度的重掺杂区域,所述重掺杂区域的掺杂浓度为目标掺杂浓度。

10、在其中一个实施例中,所述沿所述栅线电极边缘形成烧结区域,包括:

11、采用目标电压的第二预设激光沿所述栅线电极边缘形成目标电流密度的烧结区域。

12、在其中一个实施例中,所述形成一基片,包括:

13、提供一电池片;

14、于所述电池片的一表面进行制绒;

15、于制绒后的所述电池片的一表面制备硼硅玻璃层,以形成所述基片;所述重掺杂区域形成于所述硼硅玻璃层内。

16、在其中一个实施例中,所述基片的表面包括相背设置的正面和背面,其中形成有所述硼硅玻璃层的一面作为所述基片的正面;所述于所述基片的表面形成原子膜层,包括:

17、于所述基片的背面制备隧穿层;

18、于所述隧穿层背离所述基片的背面的一面制备导电掺杂层;所述导电掺杂层掺杂有磷原子;

19、于所述基片的正面制备钝化层;

20、于所述钝化层背离所述基片的正面的一面制备正减反层;

21、于所述导电掺杂层背离所述隧穿层的一面制备背减反层;

22、其中,所述隧穿层、所述导电掺杂层、所述钝化层、所述正减反层和所述背减反层共同构成所述原子膜层。

23、在其中一个实施例中,所述基片还设有与所述表面相邻的侧面;于所述基片的背面制备所述隧穿层之前,还包括:

24、对所述基片的正面进行氧化处理;

25、去除绕镀于所述背面和所述侧面的硼硅玻璃层。

26、在其中一个实施例中,所述基片还设有与所述表面相邻的侧面;于所述基片的正面制备所述钝化层之前,还包括:

27、去除绕镀于所述正面和所述侧面的导电掺杂层;

28、刻蚀所述正面和所述侧面的磷硅玻璃层;所述磷硅玻璃层为于所述导电掺杂层掺杂磷原子时形成于所述正面和侧面的膜层。

29、第二方面,本申请还提供一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:

30、基片,所述基片内形成有第一预设宽度的重掺杂区域;

31、原子膜层,形成于所述基片的表面;至少部分所述原子膜层覆盖所述重掺杂区域;所述重掺杂区域形成有第二预设宽度的栅线电极,所述栅线电极穿过至少部分所述原子膜层;所述第二预设宽度小于所述第一预设宽度;所述重掺杂区域还形成有距离所述栅线电极边缘第三预设宽度的烧结区域;所述第三预设宽度小于或等于所述第一预设宽度与所述第二预设宽度的差值且大于0。

32、在其中一个实施例中,所述基片的表面包括相背设置的正面和背面;所述基片包括:

33、电池片;

34、硼硅玻璃层,设于所述电池片的一表面上,所述硼硅玻璃层内设有所述重掺杂区域。

35、在其中一个实施例中,所述原子膜层包括:

36、隧穿层,设于所述基片的背面;

37、导电掺杂层,设于所述隧穿层背离所述基片的背面的一面;所述导电掺杂层掺杂有磷原子;

38、钝化层,设于所述基片的正面;

39、正减反层,设于所述钝化层背离所述基片的正面的一面;

40、背减反层,设于所述导电掺杂层背离所述隧穿层的一面。

41、在其中一个实施例中,所述太阳能电池包括topcon电池。

42、第三方面,本申请还提供一种光伏组件,包括采用如上述的太阳能电池的制备方法制备的太阳能电池或如上述的太阳能电池。

43、上述太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件,太阳能电池的制备方法包括在基片内形成第一预设宽度的重掺杂区域,在基片表面形成原子膜层,在重掺杂区域制备第二预设宽度的栅线电极,栅线电极穿过至少部分原子膜层,沿栅线电极边缘形成烧结区域以制备太阳能电池,其中第二预设宽度小于第一预设宽度,能够保证即使栅线电极印刷出现偏移,也能够将栅线电极的印刷位置控制在重掺杂区域内,第三预设宽度小于或等于所述第一预设宽度与所述第二预设宽度的差值且大于0,因此避免了烧结区域超过重掺杂区域,从而能够保证在完成对栅线电极的辅助烧结的同时避免对更多非重掺杂区域造成损伤。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述于所述基片内形成第一预设宽度的重掺杂区域,包括:

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述沿所述栅线电极边缘形成烧结区域,包括:

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述形成一基片,包括:

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述基片的表面包括相背设置的正面和背面,其中形成有所述硼硅玻璃层的一面作为所述基片的正面;所述于所述基片的表面形成原子膜层,包括:

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述基片还设有与所述表面相邻的侧面;于所述基片的背面制备所述隧穿层之前,还包括:

7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述基片还设有与所述表面相邻的侧面;于所述基片的正面制备所述钝化层之前,还包括:

8.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:

9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述基片的表面包括相背设置的正面和背面;所述基片包括:

10.根据权利要求8或9所述的太阳能电池,其特征在于,所述原子膜层包括:

11.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括TOPcon电池。

12.一种光伏组件,其特征在于,包括采用如权利要求1至7任一项所述的太阳能电池的制备方法制备的太阳能电池或如权利要求8至11任一项所述的太阳能电池。

...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述于所述基片内形成第一预设宽度的重掺杂区域,包括:

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述沿所述栅线电极边缘形成烧结区域,包括:

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述形成一基片,包括:

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述基片的表面包括相背设置的正面和背面,其中形成有所述硼硅玻璃层的一面作为所述基片的正面;所述于所述基片的表面形成原子膜层,包括:

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述基片还设有与所述表面相邻的侧面;于所述基片的背面制备...

【专利技术属性】
技术研发人员:张孝陈红刘成法韩佳衡
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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