一种发光二极管的外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，外延片包括衬底，还包括在所述衬底上依次层叠设置的复合缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层，其中，所述复合缓冲层包括生长于所述衬底上的SiC层、石墨烯层和三维AlInGaN成核层。实施本发明专利技术，能够降低外延层位错密度，释放衬底与GaN外延层的应力，提高GaN外延层晶体质量，进而提高发光二极管发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光二极管，尤其涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。

技术介绍

1、在过去的三十年中，氮化镓(gan)基发光二极管(light-emitting diodes，leds)已经取得了长足的进步。与传统的照明方式相比，由于gan基led具有能耗低、使用寿命长、响应速度快和体积小等优点，已经被广泛应用于液晶显示(liquid-crystal display，lcd)背光源、大屏幕显示和普通照明等，极大地改善了人们的日常生活。

2、单晶硅衬底上制备纤锌矿氮化镓薄膜(简称硅基氮化镓)是一个特例，硅衬底属于立方晶系，纤锌矿氮化镓属于六方晶系。纤锌矿氮化镓薄膜之所以能在单晶硅衬底上生长，是因为硅在<111>方向上，可以为六方晶系生长提供相似点阵结构。通常硅基氮化镓因承受巨大张应力，而导致外延薄膜容易产生龟裂以及高位错密度。因此，在衬底上的gan的异质外延通常采用aln缓冲层技术。但也会存在下述问题：第一，aln层与硅衬底大的晶格失配仍会产生大量的位错，同时gan外延层还会受到大的张应力；第二，在衬底上的外延层生长的高温降至室温时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管的外延片，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的复合缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层，其中，所述复合缓冲层包括生长于所述衬底上的SiC层、石墨烯层和三维AlInGaN成核层。

2.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述SiC层的厚度为1～100nm；

3.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述石墨烯层生长完成后进行氮等离子体处理，所述氮等离子体预处理的处理温度为800～1000℃，处理压力为50～100torr。

4.如权利要求2所述的发光二极管...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的外延片，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的复合缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层、p型gan层，其中，所述复合缓冲层包括生长于所述衬底上的sic层、石墨烯层和三维alingan成核层。

2.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述sic层的厚度为1～100nm；

3.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述石墨烯层生长完成后进行氮等离子体处理，所述氮等离子体预处理的处理温度为800～1000℃，处理压力为50～100torr。

4.如权利要求2所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述sic层和所述石墨烯层的厚度比为1：(0.8～2)。

5.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述衬底为si衬底。

6.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：