【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种静电卡盘。
技术介绍
1、静电吸盘由陶瓷板贴合在基座上组合而成，陶瓷层中夹有电极层，通入电流后产生静电吸附力，从而吸附晶圆。静电吸盘基座中存在惰性气体通路，用于将惰性气体通至晶圆与陶瓷板之间，控制晶圆温度。
2、静电吸盘在运用于蚀刻、溅镀、离子注入、气相沉积装置中。用于吸附晶圆，在晶圆处理过程中，晶圆会升高温度，需要通过晶圆背面的惰性气体控制温度，所以静电吸盘基本都带有气体通路。气体通路作用在于将基座中的气体通过气路导致陶瓷表面，所以陶瓷板和基座中存在贯通的通路。
3、在对晶圆进行处理的时候，由于晶圆和基座都带电，两个电极在一定电压下由气态带电粒子，如电子或离子，维持导电的现象，就可能出现电弧放电现象，电弧放电容易出现在气孔通路处，所以为了避免出现电弧放电现象，在气孔处设置多孔陶瓷的方式，增加耐电性能。
4、在以往专利中的气孔多孔陶瓷结构，利用了该结构改善了电弧放电现象，但是依然有出现放电现象的可能，且影响了通气性。
5、综上，制备具有更佳抗电弧放电功能和更顺畅通气性的多孔结构至关重要。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种静电卡盘，具有更佳抗电弧放电功能和更顺畅通气性。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：
3、一种静电卡盘，包括陶瓷板和底座，所述陶瓷板与所述底座通过粘接层连接，所述底座上设有用于冷却气体流入的第一通孔和第一多孔件，所述第一多孔
4、优选的，所述多孔组件包括第二多孔件和第三多孔件，所述第二多孔件和所述第三多孔件间设有间隙，所述陶瓷板中设有与所述第二多孔件、所述第三多孔件配合的第一定位孔，所述第一定位孔与所述第二通孔连通。
5、优选的，所述底座上设有与所述第一多孔件配合的第二定位孔，所述第二定位孔的一端与所述第一通孔连通，所述第二定位孔的另一端与所述第一定位孔连通。
6、优选的，所述第二通孔的纵截面为等腰梯形，所述等腰梯形的上底的长度小于下底的长度。
7、优选的，所述第二多孔件包括第一低孔隙块和第一高孔隙块，所述第一低孔隙块中设有与所述第一高孔隙块配合的第一限位通孔，所述第三多孔件包括第二低孔隙块和第二高孔隙块，所述第二低孔隙块中设有与所述第二高孔隙块配合的第二限位通孔，所述第一高孔隙块与所述第二高孔隙块上下方向上的位置相互错开。
8、优选的，所述第一低孔隙块为圆盘形，所述第一低孔隙块的直径为1mm～5mm，所述第一低孔隙块的厚度为0.1mm～1mm，所述第二低孔隙块为圆盘形，所述第二低孔隙块的直径为1mm～5mm，所述第二低孔隙块的厚度为0.1mm～1mm。
9、优选的，所述第一低孔隙块、所述第二低孔隙块的孔隙率均为0％～10％，所述第一高孔隙块、所述第二高孔隙块的孔隙率均为10％～30％。
10、优选的，所述第一限位通孔的侧壁与所述第一低孔隙块外侧壁的最近距离为100～300微米，所述第二限位通孔的侧壁与所述第二低孔隙块外侧壁的最近距离为100～300微米。
11、优选的，所述第一限位通孔包括前后方向上的第一直侧壁，所述第一直侧壁和第一低孔隙块左侧外侧壁间最大距离与所述第一直侧壁和第一低孔隙块右侧外侧壁间最大距离之差为第一低孔隙块直径的1/4至1/3，所述第二限位通孔包括前后方向上的第二直侧壁，所述第二直侧壁和第二低孔隙块左侧外侧壁间最大距离与所述第二直侧壁和第二低孔隙块右侧外侧壁间最大距离之差为第二低孔隙块直径的1/4至1/3。
12、优选的，所述第二多孔件为陶瓷材料制成，所述第二多孔件为磁性材料制成。
13、采用上述技术方案，具有以下有益效果：
14、通过设置第一通孔、第一多孔件、多孔组件和第二通孔，冷却气体依次通过第一通孔第一多孔件、多孔组件和第二通孔，进入到静电卡盘与吸附在静电卡盘上的吸附物之间，通过静电卡盘，能够获得更顺畅通气性；
15、通过设置第二多孔件和第三多孔件，同时可以设置两组第二多孔件和第三多孔件，间隔排列，让冷却气体获得更长的通道，且通道是多道弯折的，能够更好的抑制电弧放电；
16、通过设置第二通孔，第二通孔的纵截面为上底的长度小于下底的长度等腰梯形，能更好的让冷却气体排出；
17、第二多孔件为磁性材料制成，能够将电弧分解为更多的较小的电弧，降低电弧的影响。
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1.一种静电卡盘，其特征在于：包括陶瓷板和底座，所述陶瓷板与所述底座通过粘接层连接，所述底座上设有用于冷却气体流入的第一通孔和第一多孔件，所述第一多孔件设置在所述第一通孔与所述粘接层之间，所述陶瓷板中设有多孔组件和第二通孔，所述多孔组件位于所述第二通孔与所述粘接层之间，所述第二通孔与外界连通，所述多孔组件位于所述第一多孔件的上方。
2.根据权利要求1所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述多孔组件包括第二多孔件和第三多孔件，所述第二多孔件和所述第三多孔件间设有间隙，所述陶瓷板中设有与所述第二多孔件、所述第三多孔件配合的第一定位孔，所述第一定位孔与所述第二通孔连通。
3.根据权利要求2所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述底座上设有与所述第一多孔件配合的第二定位孔，所述第二定位孔的一端与所述第一通孔连通，所述第二定位孔的另一端与所述第一定位孔连通。
4.根据权利要求3所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第二通孔的纵截面为等腰梯形，所述等腰梯形的上底的长度小于下底的长度。
5.根据权利要求4所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第二多孔件包括第
6.根据权利要求5所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第一低孔隙块为圆盘形，所述第一低孔隙块的直径为1mm～5mm，所述第一低孔隙块的厚度为0.1mm～1mm，所述第二低孔隙块为圆盘形，所述第二低孔隙块的直径为1mm～5mm，所述第二低孔隙块的厚度为0.1mm～1mm。
7.根据权利要求6所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第一低孔隙块、所述第二低孔隙块的孔隙率均为0％～10％，所述第一高孔隙块、所述第二高孔隙块的孔隙率均为10％～30％。
8.根据权利要求7所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第一限位通孔的侧壁与所述第一低孔隙块外侧壁的最近距离为100～300微米，所述第二限位通孔的侧壁与所述第二低孔隙块外侧壁的最近距离为100～300微米。
9.根据权利要求8所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第一限位通孔包括前后方向上的第一直侧壁，所述第一直侧壁和第一低孔隙块左侧外侧壁间最大距离与所述第一直侧壁和第一低孔隙块右侧外侧壁间最大距离之差为第一低孔隙块直径的1/4至1/3，所述第二限位通孔包括前后方向上的第二直侧壁，所述第二直侧壁和第二低孔隙块左侧外侧壁间最大距离与所述第二直侧壁和第二低孔隙块右侧外侧壁间最大距离之差为第二低孔隙块直径的1/4至1/3。
10.根据权利要求9所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第二多孔件为陶瓷材料制成，所述第二多孔件为磁性材料制成。
...【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，其特征在于：包括陶瓷板和底座，所述陶瓷板与所述底座通过粘接层连接，所述底座上设有用于冷却气体流入的第一通孔和第一多孔件，所述第一多孔件设置在所述第一通孔与所述粘接层之间，所述陶瓷板中设有多孔组件和第二通孔，所述多孔组件位于所述第二通孔与所述粘接层之间，所述第二通孔与外界连通，所述多孔组件位于所述第一多孔件的上方。
2.根据权利要求1所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述多孔组件包括第二多孔件和第三多孔件，所述第二多孔件和所述第三多孔件间设有间隙，所述陶瓷板中设有与所述第二多孔件、所述第三多孔件配合的第一定位孔，所述第一定位孔与所述第二通孔连通。
3.根据权利要求2所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述底座上设有与所述第一多孔件配合的第二定位孔，所述第二定位孔的一端与所述第一通孔连通，所述第二定位孔的另一端与所述第一定位孔连通。
4.根据权利要求3所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第二通孔的纵截面为等腰梯形，所述等腰梯形的上底的长度小于下底的长度。
5.根据权利要求4所述的一种静电卡盘，其特征在于：所述第二多孔件包括第一低孔隙块和第一高孔隙块，所述第一低孔隙块中设有与所述第一高孔隙块配合的第一限位通孔，所述第三多孔件包括第二低孔隙块和第二高孔隙块，所述第二低孔隙块中设有与所述第二高孔隙块配合的第二限位通孔，所述第一高孔隙块与所述第二高孔隙块上下方向上的位置相互错开。...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈振宁，李君，石锗元，肖伟，
申请(专利权)人：君原电子科技海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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