【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及航空微电子器件封装，具体的说，是一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装及封装方法。
技术介绍
1、随着空间电子装备向小型化、多功能、高频段、高度集成化以及高可靠等方向发展，由于毫米波及太赫兹频段等具有波束窄、频带宽、抗干扰能力强和容量大等优点而受到各界关注，尤其是航空及宇航探测系统的迫切需求。
2、鉴于宇航微电子器件内部的多功能集成芯片集成度不断提高，器件功率密度也逐渐加大，所引发的各种热应力及机械应力问题也日渐突出，直接影响微电子器件的使用寿命：传统的由于器件紧固度低导致热变形较大继而影响器件的高频性能；封装封焊过程中温度过高导致内部器件损伤；宇航工况下封装气密性低等问题导致腐蚀性污染物损坏微电子封装内半导体裸芯片、载板以及键合引线等，继而影响器件性能参数、信号传输质量、使用寿命、可靠性级稳定性。毫米波及太赫兹器件既要求封装紧固度高、半导体多功能裸芯片局部导热性能好，又要求封装封焊面热阻大以避免高温封焊损伤内部半导体器件，同时又要求在高温环境下具有较小的热变形以及较高的气密性等多种特异性要求，传统封装技术均...
【技术保护点】
1.一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：包括高热阻的合金壳体，所述合金壳体上镶嵌设有低热阻的嵌入金属台，所述合金壳体上设有低热阻的基板；
2.根据权利要求1所述的一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：所述银铜共晶选择厚度为48~52μm的银铜钎料作为焊料，所述金锗共晶选择厚度为23~27μm的金锗钎料片作为焊料。
3.根据权利要求2所述的一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：在所述银铜共晶过程中，咋及所述嵌入金属台的顶面放置12~18g的紫铜配重块进行均匀施压。
4.根据权利要求3所...
【技术特征摘要】
1.一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：包括高热阻的合金壳体，所述合金壳体上镶嵌设有低热阻的嵌入金属台，所述合金壳体上设有低热阻的基板；
2.根据权利要求1所述的一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：所述银铜共晶选择厚度为48~52μm的银铜钎料作为焊料，所述金锗共晶选择厚度为23~27μm的金锗钎料片作为焊料。
3.根据权利要求2所述的一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：在所述银铜共晶过程中，咋及所述嵌入金属台的顶面放置12~18g的紫铜配重块进行均匀施压。
4.根据权利要求3所述的一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：所述合金壳体为可伐合金壳体，所述嵌入金属台为金刚石铜嵌块，所述基台为低温共烧结陶瓷。
5.根据权利要求4所述的一种用于毫米波及太赫兹频段的异构集成封装，其特征在于：所述合金壳体的底面设有圆形台阶凹孔，所述嵌入金属台为圆形台阶凸台且镶嵌设于所述圆形台阶凹孔内，所述圆形台阶凹孔的水平台阶面与所述嵌入...
【专利技术属性】
技术研发人员：余定展，张胜利，杜英杰，何龙，黄德兰，曹树鸿，葛剑，陈菊兰，
申请(专利权)人：成都航空职业技术学院，
类型：发明
国别省市：
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