【技术实现步骤摘要】
本技术涉及同步整流，具体涉及一种同步整流控制电路。
技术介绍
1、同步整流技术是一种用低导通压降的mos管，做为变压器输出的整流方式，因mos管的导通和关断，跟变压器副边绕组的导通和关断同步，故得名为同步整流。同步整流技术是市场上常见的dc\dc变换器输出实现方式，同步整流使用阻抗较低的mos管，替代原有的高阻抗二极管对变压器的输出进行整流，极大地降低了开关管的导通损耗，从而使dc\dc变换器更加高效。半导体行业对dc\dc变换器有着高效率和高功率密度的要求，同步整流凭借其特有的高效率优势，已成为半导体行业首选的dc\dc变换器输出实现方式。
2、市面上现有的同步整流控制方案有以下两种：
3、1、使用专业芯片品牌的驱动控制芯片来实现，有的使用两颗芯片分别控制同步整流的上桥和下桥mos管，有的使用单颗芯片同时控制同步整流的上桥和下桥mos管的导通和关断，这些方案因使用专业芯片品牌的驱动控制芯片来实现，成本较高，在量产时也会受特定芯片的交期和价格影响，不利于dc\dc变换器的大规模量产；
4、2、将上桥和下桥mos管的漏源两极电压做为同步整流控制芯片的输入信号，控制芯片本身对信号进行处理后，输出相应的驱动信号，连接同步整流上桥和下桥mos管，对mos管进行控制，因控制芯片本身对信号较为敏感，故该方案的实现，需要严格控制mos管漏源两极的输入电压信号，保证信号的完整性。该方案虽然实现电路简单，器件较少，但是对核心控制芯片和电路板布局和走线性能要求高，且容易受dc\dc变换器输出端负载的影响，负载越小
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种同步整流控制电路。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种同步整流控制电路，包括用于控制同步整流上桥mos管导通或关闭的上桥mos管控制电路，以及用于控制同步整流下桥mos管导通或关闭的下桥mos管控制电路，所述上桥mos管控制电路连接同步整流上桥mos管，所述下桥mos管控制电路连接同步整流下桥mos管，其中；
3、上桥mos管控制电路，包括：
4、ds电压应力检测电路一，用于检测上桥mos管的d极和s极电平后控制上桥mos管的导通或关闭；
5、g极驱动输出电路一，用于检测上桥mos管的g极电平后控制上桥mos管的导通或关闭；
6、下桥mos管控制电路，包括：
7、ds电压应力检测电路二，用于检测下桥mos管的d极和s极电平后控制下桥mos管的导通或关闭；
8、g极驱动输出电路二，用于检测下桥mos管的g极电平后控制下桥mos管的导通或关闭。
9、进一步地，所述ds电压应力检测电路一包括双二极管d1、二极管d3、双三极管q1、电阻r1、r2、r7，所述双二极管d1中一个输入端通过电阻r7连接上桥mos管的源极，双二极管d1中另一个输入端连接上桥mos管的漏极，且双二极管d1的输出端与双三极管q1的发射极连接，所述双三极管q1的集电极与基极之间连接有电阻r1、r2、二极管d3。
10、进一步地，所述g极驱动输出电路一包括三极管q3、q7、q9、q12、二极管d7、电阻r5、r9、r13，所述二极管d7与电阻r13并联后一端连接上桥mos管的栅极，另一端连接三极管q7与q12的发射极，所述三极管q7、q12的基极通过电阻r5接入三极管q3与q9的发射极，所述电阻r9的一端接入r5与三极管q7、q12的基极之间，所述三极管q3与q9的基极与ds电压应力检测电路一相连接。
11、进一步地，所述上桥mos管控制电路还包括上下桥驱动信号互锁电路，上下桥驱动信号互锁电路包括二极管d4、d5、三极管q5、电阻r11、r16，所述三极管q5的集电极与ds电压应力检测电路一和g极驱动输出电路一连接，且三极管q5的基极与发射极通过电阻r11连接后接入二极管d4的阴极，所述二极管d4的阳极通过r16接入r9与r5之间，所述二极管d5的阳极与r16连接，且二极管d5的阴极接入ds电压应力检测电路一的输出端；
12、当下桥mos管控制电路的驱动电平为高，上下桥驱动信号互锁电路则会将上桥mos管控制电路的驱动电平强行置低；当上桥mos管控制电路的驱动电平为高，上下桥驱动信号互锁电路则会将下桥mos管控制电路的驱动电平强行置低，用于控制上桥或下桥mos管控制电路单独导通。
13、进一步地，所述ds电压应力检测电路二包括双二极管d2、二极管d8、双三极管q2、电阻r3、r4、r8，所述双二极管d2中一个输入端通过电阻r8连接下桥mos管的源极，双二极管d2中另一个输入端连接下桥mos管的漏极，且双二极管d2的输出端与双三极管q2的发射极连接，所述双三极管q2的集电极与基极之间连接有电阻r3、r4、二极管d8。
14、进一步地，所述g极驱动输出电路二包括三极管q11、q8、q4、q10、二极管d10、电阻r6、r10、r14，所述二极管d10与电阻r14并联后一端连接下桥mos管的栅极，另一端连接三极管q11与q8的发射极，所述三极管q11、q8的基极通过电阻r6接入三极管q4与q10的发射极，所述电阻r10的一端接入r6与三极管q11、q8的基极之间，所述三极管q4与q11的基极与ds电压应力检测电路二相连接。
15、由上述技术方案可知，本技术具有如下有益效果：
16、1、低成本，功能易实现；使用最基本的电阻、二极管和三极管搭建电路，相比专业芯片品牌的控制芯片方案，成本更低，可实现性强，可满足dc\dc变换器的大规模生产需求；
17、2、电路简单，受干扰影响小，适配性强；本方案不涉及芯片类器件，受电路板主功率布局和走线的影响小，在不同的电路板方案中均可使用，从而可以兼容绝大部分电路板的使用场景，兼容性高；
18、3、所有参数外置，便于调节；本方案所有电路均为基础元器件搭建而成，每一个器件的参数都可以进行调节，来适应恶劣场景的高效控制要求，相比于现有的控制芯片集成方案，可调节幅度更大，调节效果更优。
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1.一种同步整流控制电路，其特征在于，包括用于控制同步整流上桥MOS管导通或关闭的上桥MOS管控制电路，以及用于控制同步整流下桥MOS管导通或关闭的下桥MOS管控制电路，所述上桥MOS管控制电路连接同步整流上桥MOS管，所述下桥MOS管控制电路连接同步整流下桥MOS管，其中；
2.根据权利要求1所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述DS电压应力检测电路一包括双二极管D1、二极管D3、双三极管Q1、电阻R1、R2、R7，所述双二极管D1中一个输入端通过电阻R7连接上桥MOS管的源极，双二极管D1中另一个输入端连接上桥MOS管的漏极，且双二极管D1的输出端与双三极管Q1的发射极连接，所述双三极管Q1的集电极与基极之间连接有电阻R1、R2、二极管D3。
3.根据权利要求2所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述G极驱动输出电路一包括三极管Q3、Q7、Q9、Q12、二极管D7、电阻R5、R9、R13，所述二极管D7与电阻R13并联后一端连接上桥MOS管的栅极，另一端连接三极管Q7与Q12的发射极，所述三极管Q7、Q12的基极通过电阻R5接入三极管Q3与Q
4.根据权利要求3所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述上桥MOS管控制电路还包括上下桥驱动信号互锁电路，上下桥驱动信号互锁电路包括二极管D4、D5、三极管Q5、电阻R11、R16，所述三极管Q5的集电极与DS电压应力检测电路一和G极驱动输出电路一连接，且三极管Q5的基极与发射极通过电阻R11连接后接入二极管D4的阴极，所述二极管D4的阳极通过R16接入R9与R5之间，所述二极管D5的阳极与R16连接，且二极管D5的阴极接入DS电压应力检测电路一的输出端；
5.根据权利要求1所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述DS电压应力检测电路二包括双二极管D2、二极管D8、双三极管Q2、电阻R3、R4、R8，所述双二极管D2中一个输入端通过电阻R8连接下桥MOS管的源极，双二极管D2中另一个输入端连接下桥MOS管的漏极，且双二极管D2的输出端与双三极管Q2的发射极连接，所述双三极管Q2的集电极与基极之间连接有电阻R3、R4、二极管D8。
6.根据权利要求5所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述G极驱动输出电路二包括三极管Q11、Q8、Q4、Q10、二极管D10、电阻R6、R10、R14，所述二极管D10与电阻R14并联后一端连接下桥MOS管的栅极，另一端连接三极管Q11与Q8的发射极，所述三极管Q11、Q8的基极通过电阻R6接入三极管Q4与Q10的发射极，所述电阻R10的一端接入R6与三极管Q11、Q8的基极之间，所述三极管Q4与Q11的基极与DS电压应力检测电路二相连接。
...【技术特征摘要】
1.一种同步整流控制电路，其特征在于，包括用于控制同步整流上桥mos管导通或关闭的上桥mos管控制电路，以及用于控制同步整流下桥mos管导通或关闭的下桥mos管控制电路，所述上桥mos管控制电路连接同步整流上桥mos管，所述下桥mos管控制电路连接同步整流下桥mos管，其中；
2.根据权利要求1所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述ds电压应力检测电路一包括双二极管d1、二极管d3、双三极管q1、电阻r1、r2、r7，所述双二极管d1中一个输入端通过电阻r7连接上桥mos管的源极，双二极管d1中另一个输入端连接上桥mos管的漏极，且双二极管d1的输出端与双三极管q1的发射极连接，所述双三极管q1的集电极与基极之间连接有电阻r1、r2、二极管d3。
3.根据权利要求2所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述g极驱动输出电路一包括三极管q3、q7、q9、q12、二极管d7、电阻r5、r9、r13，所述二极管d7与电阻r13并联后一端连接上桥mos管的栅极，另一端连接三极管q7与q12的发射极，所述三极管q7、q12的基极通过电阻r5接入三极管q3与q9的发射极，所述电阻r9的一端接入r5与三极管q7、q12的基极之间，所述三极管q3与q9的基极与ds电压应力检测电路一相连接。
4.根据权利要求3所述的一种同步整流控制电路，其特征在于：所述上桥mos管控制电路还包括上下桥驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：张振华，
申请(专利权)人：深圳硅山技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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