【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，并且更具体地涉及在半导体器件中制作的金属栅极切口。
技术介绍
1、随着集成电路在尺寸上不断地缩小，出现了很多挑战。例如，变得越来越难以减小存储器单元和逻辑单元的尺寸，在器件层处减小器件间隔也变得越来越难。随着对晶体管的更加密集的包装，用于隔离相邻晶体管的某些器件结构的形成变得有挑战性。相应地，在形成半导体器件方面还有很多不可忽视的挑战。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有大于140nm的高度以及至少9:1的高度与宽度纵横比。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有大于150nm的高度以及至少10:1的高度与宽度纵横比。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有处于大约150nm和大约180nm之间的高度。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一半导体区包括多个第一半导体纳米带，并且所述第二半导体区包括多个第二半导体纳米带。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一栅极结构包括围绕所述第一半导体区的第一栅极电介质，并且所述第二栅极结构包括围绕所述第二半导体区的第二栅极电介质，并且其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质不存在于所述栅极切口的任何侧壁上。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的集成电路，其中，所述栅极切口在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的顶表面处具有第一宽度，并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的底表面处具有第二宽度，所
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的集成电路，其中，所述栅极切口在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的顶表面处具有第一宽度，并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的底表面处具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度大至多10％。
9.一种印刷电路板，包括根据权利要求1至6中的任一项所述的集成电路。
10.一种形成集成电路的方法，包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述衬层材料包括使用原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)形成所述衬层。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述钝化层包括使用化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述钝化层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述钝化层包括使用具有第一RF能量的第一CVD工艺和具有不同于所述第一RF能量的第二RF能量的第二CVD工艺。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，至少蚀刻穿过所述钝化层包括采用基于CH4的气体或者基于CF4的气体进行蚀刻。
15.根据权利要求10至14中的任一项所述的方法，其中，蚀刻穿过所述栅极结构的一部分包括采用BCl3/Cl2气体进行蚀刻。
16.一种集成电路，包括：
17.根据权利要求16所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有处于大约150nm和大约180nm之间的高度。
18.根据权利要求16所述的集成电路，其中，所述第一半导体区包括多个第一半导体纳米带，并且所述第二半导体区包括多个第二半导体纳米带。
19.根据权利要求18所述的集成电路，其中，所述多个第一半导体纳米带和所述多个第二半导体纳米带包括锗、硅或其组合。
20.根据权利要求16所述的集成电路，其中，所述第一栅极结构包括围绕所述第一半导体区的第一栅极电介质，并且所述第二栅极结构包括围绕所述第二半导体区的第二栅极电介质。
21.根据权利要求20所述的集成电路，其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质不存在于所述栅极切口的任何侧壁上。
22.根据权利要求16所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有至少5:1的高度与宽度纵横比。
23.根据权利要求16至22中的任一项所述的集成电路，其中，所述栅极切口在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的所述顶表面处具有第一宽度并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的所述底表面处具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度大至多10％。
24.一种印刷电路板，包括根据权利要求16至22中的任一项所述的集成电路。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有大于140nm的高度以及至少9:1的高度与宽度纵横比。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有大于150nm的高度以及至少10:1的高度与宽度纵横比。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅极切口具有处于大约150nm和大约180nm之间的高度。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一半导体区包括多个第一半导体纳米带，并且所述第二半导体区包括多个第二半导体纳米带。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一栅极结构包括围绕所述第一半导体区的第一栅极电介质，并且所述第二栅极结构包括围绕所述第二半导体区的第二栅极电介质，并且其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质不存在于所述栅极切口的任何侧壁上。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的集成电路，其中，所述栅极切口在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的顶表面处具有第一宽度，并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的底表面处具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度大至多2nm。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的集成电路，其中，所述栅极切口在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的顶表面处具有第一宽度，并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的底表面处具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度大至多10％。
9.一种印刷电路板，包括根据权利要求1至6中的任一项所述的集成电路。
10.一种形成集成电路的方法，包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述衬层材料包括使用原子层沉积(ald)或等离子体增强原子层沉积(peald)形成所述衬层。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述钝化层包括使用化学气相沉积(cvd)或等离子体增...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·巴亚提，M·J·普林斯，A·V·戴维斯，R·古斯廷，P·M·辛哈，O·戈隆茨卡，S·高希，M·夏尔马，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。