【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，尤其涉及一种单晶硅棒拉制方法及装置。
技术介绍
1、随着光伏技术的发展，对太阳能电池的需求也在迅速增长，单晶硅作为太阳能电池的一种重要基材，其大多采用直拉法在单晶炉中进行生产，单晶硅的生产工艺主要包括熔料、引晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾等工序。随着太阳能电池行业的发展，太阳能电池对单晶硅的质量要求越来越高，而为了提高太阳能电池的转换效率，控制单晶硅中的氧含量是关键。
2、然而，在太阳能电池生产制造过程中，氧进入单晶硅棒中的影响因素很多，相关技术中缺少对制造工艺影响单晶硅棒氧含量的研究，无法通过单晶硅棒的工艺过程控制，来实现降低单晶硅中的氧含量的目的。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种单晶硅棒拉制方法及装置，以解决现有技术中缺少通过对单晶硅棒的工艺过程控制，来实现降低单晶硅中的氧含量的目的的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种单晶硅棒拉制方法，包括：
3、提供单晶炉体，所述单晶炉体内设有坩埚，所述坩埚内装有硅料，围绕所述坩埚侧壁设有主加热器，所述坩埚底部设有底加热器；
4、在预设时间内，控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，以及控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，以加热熔化所述坩埚内的硅料得到硅液，其中，所述第二加热功率大于所述第一加热功率，且所述第二加热功率与所述第一加热功率的差值在预设范围内；
5、从所述硅液中拉制单晶硅棒。
6、可选地，所述预设时间包括
7、控制所述主加热器在所述第一预设时长内调整至所述第一加热功率；
8、控制所述主加热器在所述第二预设时长内，以所述第一加热功率对所述坩埚进行加热。
9、可选地，所述预设时间还包括：第三预设时长和第四预设时长，所述控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，包括：
10、控制所述底加热器在所述第三预设时长内调整至所述第二加热功率，所述第三预设时长小于所述第一预设时长；
11、控制所述底加热器在所述第四预设时长内，以所述第二加热功率对所述坩埚进行加热，所述第四预设时长大于所述第二预设时长。
12、可选地，在所述控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，以及控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，以加热熔化所述坩埚内的硅料得到硅液的步骤中，还包括：控制氩气流量为20-30slpm、炉压为11torr以及坩埚转速为0rpm。
13、可选地，所述预设范围为：30～50kw。
14、可选地，所述第一加热功率的范围为：50～200kw。
15、可选地，所述第二加热功率的范围为：50～300kw。
16、第二方面，本申请实施例提供一种单晶硅棒拉制装置，所述单晶硅棒拉制装置包括：
17、单晶炉体；
18、坩埚，所述坩埚设置于所述单晶炉体内，用于容纳硅料；
19、主加热器，所述主加热器围绕所述坩埚的侧壁设置；
20、底加热器，所述底加热器设置于所述坩埚底部；
21、其中，在提供单晶炉体后，在预设时间内，控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，以及控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，以加热熔化所述坩埚内的硅料得到硅液，所述第二加热功率大于所述第一加热功率，且所述第二加热功率与所述第一加热功率的差值在预设范围内，从所述硅液中拉制单晶硅棒。
22、可选地，所述单晶硅棒拉制装置还包括：
23、功率控制模块，所述功率控制模块分别与所述主加热器以及所述底加热器电连接，其中，所述第一加热功率和所述第二加热功率之和等于所述功率控制模块的额定功率。
24、可选地，所述额定功率的范围为130～300kw。
25、针对在先技术，本申请具备如下优点：
26、本申请实施例中，通过提供单晶炉体，所述单晶炉体内设有坩埚，所述坩埚内装有硅料，围绕所述坩埚侧壁设有主加热器，所述坩埚底部设有底加热器；在预设时间内，控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，以及控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，以加热熔化所述坩埚内的硅料得到硅液，其中，所述第二加热功率大于所述第一加热功率，且所述第二加热功率与所述第一加热功率的差值在预设范围内；从所述硅液中拉制单晶硅棒。这样，在熔料过程中，利用主加热器和底加热器同时对坩埚内的硅料进行加热，由于底加热器的散热面积小，底部保温性好，因此，通过控制底加热器的加热功率大于主加热器的加热功率，从而在保证使坩埚内的硅料被加热熔化以得到硅液的情况下，可以降低坩埚侧壁的受热，减小侧壁溶解产生的氧原子量，进而降低拉制的单晶硅棒中的氧含量，有助于提高所制造的太阳能电池的转换效率。
27、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
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1.一种单晶硅棒拉制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述预设时间包括：第一预设时长和第二预设时长，所述控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，包括：
3.根据权利要求2所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述预设时间还包括：第三预设时长和第四预设时长，所述控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，包括：
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，在所述控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，以及控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，以加热熔化所述坩埚内的硅料得到硅液的步骤中，还包括：控制氩气流量为20-30slpm、炉压为11torr以及坩埚转速为0rpm。
5.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述预设范围为：30～50kw。
6.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述第一加热功率的范围为：50～200kw。
7.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述第二加热功
8.一种单晶硅棒拉制装置，其特征在于，所述单晶硅棒拉制装置包括：
9.根据权利要求8所述的单晶硅棒拉制装置，其特征在于，所述单晶硅棒拉制装置还包括：
10.根据权利要求9所述的单晶硅棒拉制装置，其特征在于，所述额定功率的范围为130～300kw。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒拉制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述预设时间包括：第一预设时长和第二预设时长，所述控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，包括：
3.根据权利要求2所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述预设时间还包括：第三预设时长和第四预设时长，所述控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，包括：
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，在所述控制所述主加热器以第一加热功率对所述坩埚进行加热，以及控制所述底加热器以第二加热功率对所述坩埚进行加热，以加热熔化所述坩埚内的硅料得到硅液的步骤中，还包括：控制氩气流量为20-30slp...
【专利技术属性】
技术研发人员：王莎莎，张朝光，成路，马少林，文永飞，丁彪，程磊，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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