一种闪存存储设备的管理方法及系统技术方案

本发明专利技术适用于存储技术领域，提供了一种闪存存储设备的管理方法及系统，所述闪存存储设备至少包含一多层单元闪存，所述方法包括下述步骤：根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应的配置，所述闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式；根据对闪存存储设备的存储模式的配置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储容量进行配置，所述闪存存储设备的快速存储区域的存储容量不超过闪存存储设备的所有最低有效位页提供的存储容量，从而实现用户根据自身的需要对闪存存储设备的存储容量和存储速度进行设置，极大的方便了用户。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储
，尤其涉及一种闪存存储设备的管理方法及系统。
技术介绍
存储设备在日常生活中应用越来越普遍，闪存按照其内部构架可以分为单层单元 闪存和多层单元闪存，单层单元闪存的每个单元(cell)中存储1个位(bit)的信息；多层 单元闪存的每个单元(cell)至少存储2个位(bit)信息，其中，多层单元闪存包括2bit/ cell、3bit/cell、4bit/cell以及更多位元的闪存。单层单元闪存的数据写入是通过对浮栅的电荷加电压，经过源极将所存储的电荷 消除，通过这样的方式，以存储一个信息位(1代表消除，0代表写入)。而多层单元闪存则是 在浮栅中使用不同程度的电荷，因此能在单一晶体管中存储多个位的信息，并通过单元的 写入与感应的控制，在单一晶体管中产生多种状态，对于单层单元闪存及多层单元闪存而 言，同样容量的单元要存储1位与存储多位的稳定度和复杂度不同，单层单元闪存比多层 单元闪存稳定，且单层单元闪存写入速度较快。从数据存储机制方面看，闪存内部包含多个 存储块，每个存储块由多个页构成。单层单元闪存的所有页都是快速且稳定可靠的，而多层 单元闪存的块内只有一部分页是快速且稳定可靠的，结构跟单层单元闪存内的页类似。例 如，以2bit/cell的闪存为例，一个单元包含两个位(0，1位)，0位称为最低有效位，1位称 为非最低有效位，可产生四种状态(00，01，11，10)，以写入块内不同的页内，其中，每个单元 的两位分别写入块的最低有效位页和非最低有效位页内，其中，最低有效位页为快速且稳 定可靠的页，并且同一型号的闪存其最低有效位页在所有的块内的分布都是一样的。同理， 3bit/cell的闪存，一个单元包含3个位(0，1，2位)，其中0位称为最低有效位，1和2位称 为非最低有效位。用最低有效位页来描述多层单元闪存中快速且稳定可靠的页，用非最低 有效位页来描述多层单元闪存中其它页。现有技术中，单个闪存存储设备常常同时采用单层单元闪存和多层单元闪存或者 只采用多层单元闪存以提高闪存存储设备的存储容量，这在一定程度上会影响闪存存储设 备的读写速度，而且现有的闪存存储设备在出厂时就已经固定了其容量以及读写数据的速 度，用户不能根据自己的实际需要来自行选择闪存存储设备的容量以及读写速度等性能， 设计不够人性化。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种闪存存储设备的管理方法，旨在解决现有技术 提供的闪存存储设备在出厂时就已经固定了其容量以及读写数据的速度，用户不能根据自 己的实际需要来自行选择闪存存储设备的容量以及读写速度等性能的问题。本专利技术实施例是这样实现的，一种闪存存储设备的管理方法，所述闪存存储设备 至少包含一多层单元闪存，所述方法包括下述步骤根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应的配置，所述闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式；根据对闪存存储设备的存储模式的配置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储 容量进行配置，所述闪存存储设备的快速存储区域的存储容量不超过闪存存储设备的所有 最低有效位页提供的存储容量。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种闪存存储设备的管理系统，所述系统包 括存储模式配置模块，用于根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行 相应的配置，所述闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通 存储结合模式；以及存储容量配置模块，用于根据所述存储模式配置模块对闪存存储设备的存储模式 的配置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储容量进行配置，所述闪存存储设备的快速 存储区域的存储容量不超过闪存存储设备的所有最低有效位页提供的存储容量。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种数据存储方法，所述方法包括下述步骤当检测到有数据存储时，判断当前闪存存储设备的存储模式，所述闪存存储设备 的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式；当所述存储模式为快速存储模式时，将需要存储的数据只存储到所述闪存存储设 备中的每个块中的最低有效位页；当所述存储模式为普通存储模式时，将需要存储的数据存储到所述闪存存储设备 中的每个块中的任一页；当所述存储模式为快速普通存储结合模式时，根据设置的快速存储区域的容量大 小选择所述闪存存储设备中的一部分块的其最低有效位页以及其他剩余块中的任一页存 储数据。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种数据存储系统，所述系统包括判断模块，用于当检测到有数据存储时，判断当前闪存存储设备的存储模式，所述 闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式；第一存储控制模块，用于当所述判断模块判断所述存储模式为快速存储模式时， 将需要存储的数据只存储到所述闪存存储设备中的每个块中的最低有效位页；第二存储控制模块，用于当所述判断模块判断所述存储模式为普通存储模式时， 将需要存储的数据存储到所述闪存存储设备中的每个块中的任一页；以及第三存储控制模块，用于当所述判断模块判断所述存储模式为快速普通存储结合 模式时，根据设置的快速存储区域的容量大小选择所述闪存存储设备中的一部分块的其最 低有效位页以及其他剩余块中的任一页存储数据。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种包括闪存存储设备的管理系统或/和数 据存储系统的闪存存储设备。在本专利技术实施例中，根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应 的配置；根据对闪存存储设备的存储模式的配置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储 容量进行配置，从而实现用户根据自身的需要对闪存存储设备的存储容量和存储速度进行 设置，极大的方便了用户。附图说明图1是本专利技术实施例提供的闪存存储设备的管理方法的实现流程图；图2是本专利技术实施例提供的闪存存储设备的管理系统的结构框图；图3是本专利技术实施例提供的数据存储方法的实现流程图；图4是本专利技术实施例提供的数据存储系统的结构框图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对 本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并 不用于限定本专利技术。在本专利技术实施例中，用户可以对闪存存储设备的存储容量和存储速度进行相应的 设置，给用户带来极大方便。图1示出了本专利技术实施例提供的闪存存储设备的管理方法的实现流程，其具体的 步骤如下所述在步骤SlOl中，根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应的配置。在本专利技术实施例中，闪存存储设备至少包含一个多层单元闪存，当然也可以包含 单层单元闪存。该用户的选择指令，是指对闪存存储设备的存储模式的选择信息，其中，闪 存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式。其中，当快速存储区域的存储容量为0时，对应的存储模式为普通存储模式；当快 速存储区域的容量位于0和所有最低有效位页提供的存储容量之间时，对应的存储模式为 快速普通存储结合模式；当快速存储区域的容量为所有最低有效位页提供的存储容量时， 对应的存储模式为快速存储模式。在步骤S102中，根据对闪存存储设备的存储模式的配置，对闪存存储设备的快速 存储区域的存储容量进行配置。在本专利技术实施例中，闪存存储设备的快速存储区域的存储容量不超过闪存存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存存储设备的管理方法，所述闪存存储设备至少包含一多层单元闪存，其特征在于，所述方法包括下述步骤：根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应的配置，所述闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式；根据对闪存存储设备的存储模式的配置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储容量进行配置，所述闪存存储设备的快速存储区域的存储容量不超过闪存存储设备的所有最低有效位页提供的存储容量。

【技术特征摘要】
一种闪存存储设备的管理方法，所述闪存存储设备至少包含一多层单元闪存，其特征在于，所述方法包括下述步骤根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应的配置，所述闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储结合模式；根据对闪存存储设备的存储模式的配置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储容量进行配置，所述闪存存储设备的快速存储区域的存储容量不超过闪存存储设备的所有最低有效位页提供的存储容量。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤当闪存存储设备处于空闲状态时，将在快速存储模式下存储的数据转存到普通存储模 式下存储。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤当闪存存储设备处于快速存储模式或快速普通存储结合模式下，且闪存存储设备提供 的快速存储区域和普通存储区域的存储容量的总和使用完时，自动将闪存存储设备的存储 模式切换为普通存储模式。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述闪存存储设备为单层单元闪存和多 层单元闪存的混合闪存存储设备时，将单层单元闪存提供的存储区域设为第一快速存储区 域。5.一种闪存存储设备的管理系统，其特征在于，所述系统包括存储模式配置模块，用于根据用户的选择指令，对闪存存储设备的存储模式进行相应 的配置，所述闪存存储设备的存储模式包括快速存储模式、普通存储模式和快速普通存储 结合模式；以及存储容量配置模块，用于根据所述存储模式配置模块对闪存存储设备的存储模式的配 置，对闪存存储设备的快速存储区域的存储容量进行配置，所述闪存存储设备的快速存储 区域的存储容量不超过闪存存储设备的所有最低有效位页提供的存储容量。6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述系统还包括转存模块，用于当闪存存储设备处于空闲状态时，将在快速存储模式下存储的数据转 存到普通存储模式下存储；以及存储模式切换控制模块，用于当闪存存储设备处于快速存...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丹，邓恩华，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]