System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 射频放大器及无线终端制造技术_技高网

射频放大器及无线终端制造技术

技术编号:40828784 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-01 14:51
本申请涉及无线通信领域,公开了一种射频放大器及无线终端。该射频放大器包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器、第二电容器,以及输出匹配电路,第一晶体管和第二晶体管为差分放大器的共源晶体管;第三晶体管和第四晶体管为差分放大器的共栅晶体管;第一晶体管和第二晶体管产生的电流信号流入第三晶体管和第四晶体管的源极,从第三晶体管和第四晶体管的漏极输出,输出匹配电路把第三晶体管和第四晶体管输出的差分信号传输至后级模块或天线;并且,第一电容器和第二电容器分别交叉连接至第三晶体管和第四晶体管的漏极和源极,以在共栅晶体管的漏极与源极间加入差分耦合电容对。本申请能够提供更好的线性度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及无线通信领域,特别涉及无线终端的功率放大器技术。


技术介绍

1、射频功率放大器(rf pa)在通信系统中有十分广泛的应用,它是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大前级缓冲级、中间放大级、末级功率放大级,获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。由此可见,射频功率放大器在通信系统中具有十分重要的作用。

2、然而,目前的射频功率放大器的性能仍然无法完全满足市场需要,因此具有进一步提升的空间。

3、具体地说,作为射频放大器的关键指标之一的线性度,目前仍然不够令人满意。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种射频放大器及无线终端,能够提供更好的线性度。

2、本申请公开了一种射频放大器,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器、第二电容器,以及输出匹配电路,其中:

3、所述第一晶体管和第二晶体管为差分放大器的共源晶体管;

4、所述第三晶体管和第四晶体管为差分放大器的共栅晶体管;

5、所述第一晶体管和第二晶体管产生的电流信号分别流入所述第三晶体管和第四晶体管的源极,从所述第三晶体管和第四晶体管的漏极输出,所述输出匹配电路把第三晶体管和第四晶体管输出的差分信号输出至后级模块或天线;并且,

6、所述第一电容器连接在所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的源极之间,所述第二电容器连接在所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的漏极之间,以在所述共栅晶体管的漏极与源极间加入差分耦合电容对。

7、在一个优选例中,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合到偏置电压。

8、在一个优选例中,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极分别耦合到正输入端和负输入端,所述第一晶体管的源极和第二晶体管的源极分别接地。

9、在一个优选例中,所述射频放大器还包含第五晶体管和第六晶体管,所述第五晶体管和第六晶体管串联接入所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管之间,以形成stack结构功率放大器。

10、在一个优选例中,所述第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极耦合到偏置电压,所述第五晶体管的源极耦合到第一晶体管的漏极,所述第五晶体管的漏极耦合到第三晶体管的源极,所述第六晶体管的源极耦合到第二晶体管的漏极,所述第六晶体管的漏极耦合到第四晶体管的源极。

11、在一个优选例中,所述射频放大器还包含变压器和功率放大器,所述变压器的一个输入端耦合到所述第三晶体管的漏极,另一个输入端耦合到所述第四晶体管的漏极,所述变压器的两个输出端分别耦合到所述功率放大器的两个输入端,所述功率放大器的两个输出端分别耦合到所述输出匹配电路的两个输入端。

12、在一个优选例中,所述第一电容器和/或第二电容器用mom电容或者mos管电容栅氧实现。

13、本申请还公开了一种无线终端所述无线终端能够经由无线电接入网络与另一个实体如另一个接收器或服务器进行语音或数据通信,包括如前文描述的射频放大器。

14、在一个优选例中,所述无线终端是以下之一:移动电话、蜂窝电话、计算机平板电脑、具有无线能力的膝上型电脑、计算机包括的或车载的移动设备。

15、本申请实施方式中,在cascode差分对之间增加了漏、源节点的交叉电容。输出信号通过晶体管自身寄生电容cds和晶体管漏源金属连线寄生电容cpar,在cascode晶体管源极产生同向的耦合电压;通过交叉电容在源极产生相位相反的耦合电压。当两者幅度相等时会发生抵消,使得线性度得以改善。

16、本申请的说明书中记载了大量的技术特征,分布在各个技术方案中,如果要罗列出本申请所有可能的技术特征的组合(即技术方案)的话,会使得说明书过于冗长。为了避免这个问题,本申请上述
技术实现思路
中公开的各个技术特征、在下文各个实施方式和例子中公开的各技术特征、以及附图中公开的各个技术特征,都可以自由地互相组合,从而构成各种新的技术方案(这些技术方案均因视为在本说明书中已经记载),除非这种技术特征的组合在技术上是不可行的。例如,在一个例子中公开了特征a+b+c,在另一个例子中公开了特征a+b+d+e,而特征c和d是起到相同作用的等同技术手段,技术上只要择一使用即可,不可能同时采用,特征e技术上可以与特征c相组合,则,a+b+c+d的方案因技术不可行而应当不被视为已经记载,而a+b+c+e的方案应当视为已经被记载。

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【技术保护点】

1.一种射频放大器,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器、第二电容器,以及输出匹配电路,其中:

2.如权利要求1所述的射频放大器,其特征在于,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合到偏置电压。

3.如权利要求2所述的射频放大器,其特征在于,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极分别耦合到正输入端和负输入端,所述第一晶体管的源极和第二晶体管的源极分别接地。

4.如权利要求3所述的射频放大器,其特征在于,所述射频放大器还包含第五晶体管和第六晶体管,所述第五晶体管和第六晶体管串联接入所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管之间,以形成stack结构功率放大器。

5.如权利要求4所述的射频放大器,其特征在于,所述第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极耦合到偏置电压,所述第五晶体管的源极耦合到第一晶体管的漏极,所述第五晶体管的漏极耦合到第三晶体管的源极,所述第六晶体管的源极耦合到第二晶体管的漏极,所述第六晶体管的漏极耦合到第四晶体管的源极。

6.如权利要求3所述的射频放大器,其特征在于,所述射频放大器还包含变压器和功率放大器,所述变压器的一个输入端耦合到所述第三晶体管的漏极,另一个输入端耦合到所述第四晶体管的漏极,所述变压器的两个输出端分别耦合到所述功率放大器的两个输入端,所述功率放大器的两个输出端分别耦合到所述输出匹配电路的两个输入端。

7.如权利要求1至6任意一项所述的射频放大器,其特征在于,所述第一电容器和/或第二电容器用MOM电容或者MOS管电容栅氧实现。

8.一种无线终端,所述无线终端能够经由无线电接入网络与另一个实体如另一个接收器或服务器进行语音或数据通信,其特征在于,包括如权利要求1至7任意一项所述的射频放大器。

9.如权利权要8所述的无线终端,其特征在于,所述无线终端是以下之一:移动电话、蜂窝电话、计算机平板电脑、具有无线能力的膝上型电脑、计算机包括的或车载的移动设备。

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【技术特征摘要】

1.一种射频放大器,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器、第二电容器,以及输出匹配电路,其中:

2.如权利要求1所述的射频放大器,其特征在于,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合到偏置电压。

3.如权利要求2所述的射频放大器,其特征在于,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极分别耦合到正输入端和负输入端,所述第一晶体管的源极和第二晶体管的源极分别接地。

4.如权利要求3所述的射频放大器,其特征在于,所述射频放大器还包含第五晶体管和第六晶体管,所述第五晶体管和第六晶体管串联接入所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管之间,以形成stack结构功率放大器。

5.如权利要求4所述的射频放大器,其特征在于,所述第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极耦合到偏置电压,所述第五晶体管的源极耦合到第一晶体管的漏极,所述第五晶体管的漏极耦合到第三晶体管的源极,所述第六晶体管的源...

【专利技术属性】
技术研发人员:包怡鹏
申请(专利权)人:尊湃通讯科技南京有限公司
类型:发明
国别省市:

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