【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料电场测量，具体而言，涉及一种非接触式微米量级电场测量方法及系统。
技术介绍
1、高压输电线路中的绝缘子对于确保电力系统的安全运行具有十分重要的作用。随着输线电路电压等级提高，杆塔的高度和绝缘子串的长度急剧增加。绝缘子的高压端承受较高的电压，容易出现电晕现象甚至电击穿现象，严重影响电力系统的安全性。通过安装均压罩能够有效提高绝缘子串电场的均匀度,从而减少绝缘子的击穿风险。因此在设计优化均压罩时，对绝缘子最大场强区域进行实际验算十分必要。当前多采用模型仿真方法对绝缘子串电场进行数值分析，缺少在实际环境中的电场校验。然而高压环境电场测量对测量仪器的电阻有很高的要求，现有高压电场测量方法多用于大空间范围内电场测量。难以确实复杂工况下金属表面边沿微米点区域的最大实际电场。因此亟需一种非接触、快速、高空间分辨率的电场测量方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种非接触式微米量级电场测量方法及系统。
2、为了实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
3、一方面，本申请实施例提供了一种非接触式微米量级电场测量方法，所述方法包括：
4、获取操作指令信息和映射关系，所述操作指令信息用于使激光能量作用于测量区域中的第一待测物体，所述测量区域为两个相对设置的平板电极之间的区域，所述第一待测物体为均压罩，所述映射关系包括光谱强度变化量与电场强度之间的映射关系；
5、确定第一待测物体的待测点，响应于所述操作指令信息对所述第一待
6、对所述光信号进行分析处理，得到第一光谱信息；
7、根据所述映射关系和所述第一光谱信息确定均压罩待测点处的电场强度。
8、第二方面，本申请实施例提供了一种非接触式微米量级电场测量系统，所述系统包括：
9、获取模块，用于获取操作指令信息和映射关系，所述操作指令信息用于使激光能量作用于测量区域中的第一待测物体，所述测量区域为两个相对设置的平板电极之间的区域，所述第一待测物体为均压罩，所述映射关系包括光谱强度变化量与电场强度之间的映射关系；
10、第一处理模块，用于确定第一待测物体的待测点，响应于所述操作指令信息对所述第一待测物体的待测点发射激光能量并获取光信号，所述光信号为激光能量作用于均压罩产生的信号，所述待测点包括微米量级的点；
11、第二处理模块，用于对所述光信号进行分析处理，得到第一光谱信息；
12、第三处理模块，用于根据所述映射关系和所述第一光谱信息确定均压罩待测点处的电场强度。
13、第三方面，本申请实施例提供了一种非接触式微米量级电场测量设备，所述设备包括存储器和处理器。存储器用于存储计算机程序；处理器用于执行所述计算机程序时实现上述非接触式微米量级电场测量方法的步骤。
14、第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述非接触式微米量级电场测量方法的步骤。
15、本专利技术的有益效果为：
16、本专利技术通过物体表面的电场强度表征为激光烧蚀物体表面产生的等离子体光谱信息，可以实现超高空间分辨的电场测量，适用于非接触性、高精度、无损测量，有效的避免了现有技术中难以确定均压罩在复杂工况下的实际电场的问题。
17、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术实施例了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
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1.一种非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，获取所述映射关系，包括：
3.根据权利要求2所述的非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，根据所述预处理后的第二光谱信息确定所述映射关系，包括：
4.根据权利要求3所述的非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，根据所述光谱强度变化量确定所述映射关系，包括：
5.一种非接触式微米量级电场测量系统，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的非接触式微米量级电场测量系统，其特征在于，所述获取模块，包括：
7.根据权利要求6所述的非接触式微米量级电场测量系统，其特征在于，所述第二处理单元，包括：
8.根据权利要求7所述的非接触式微米量级电场测量系统，其特征在于，所述第七处理单元，包括：
9.一种非接触式微米量级电场测量设备，其特征在于，包括：
10.一种可读存储介质，其特征在于：所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要
...【技术特征摘要】
1.一种非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，获取所述映射关系，包括：
3.根据权利要求2所述的非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，根据所述预处理后的第二光谱信息确定所述映射关系，包括：
4.根据权利要求3所述的非接触式微米量级电场测量方法，其特征在于，根据所述光谱强度变化量确定所述映射关系，包括：
5.一种非接触式微米量级电场测量系统，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨泽锋，李哲，魏文赋，杨子骞，唐博，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：
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