一种红光LED外延结构、LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种红光LED外延结构、LED芯片及其制备方法，红光LED外延结构具有复合DBR结构，方法包括通过以下步骤制备复合DBR结构：在GaAs‑Si缓冲层上方，生长m组Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;(1‑x)</subgt;As/AlAs；再生长n组Al<subgt;0.5</subgt;Ga<subgt;0.5</subgt;As/AlAs，形成双层复合DBR结构。本发明专利技术用复合DBR结构替代原有DBR结构，新的结构增大了AlGaAs和AlAs的反射率差值，可提升正装LED发光效率，能够在较低的电流下实现较高的光输出，对比倒装芯片可降低成本，具有较宽的电压适应范围，能够在不同电压条件下保持稳定的发光性能，有利于提升产品良率，结构设计紧凑，便于集成到各种照明设备和电子设备中，满足多样化的应用需求，适宜推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及红光dbr、红光led外延，尤其涉及一种红光led外延结构、led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、分布式布拉格反射器(distributed bragg reflector，dbr)是led发光二极管制程中常用的薄膜技术，它是由两种折射率不同的薄膜以abab的方式交替叠层组成，当光从光疏介质n1射向光密介质n2时(折射率n2＞n1)，光会在两介质的界面发生反射，同时形成相位变化，通过改变两种介质的厚度，使两次反射光达到干涉条件，形成干涉增强，进而起到反射镜的作用。

2、在正装红光led制作过程中，通常会在衬底上先生长dbr反射层再生长发光结构，以减少衬底对光的吸收，并将发射向衬底方向的光反射向出光面，从而达到提高发光亮度的作用。

3、现有的红光dbr结构通常使用alas和al0.5gaas两种材料以abab的方式交替生长20～30对，对小角度的光产生有效反射，在增加复合dbr后，可增加对大角度光的反射。然而这种结构的反射率仍然有限，仍有部分光透过dbr被衬底吸收，对led发光亮度的提升作用有限。</p>

4、例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种红光LED外延结构的制备方法，所述红光LED外延结构具有由下而上依次设置的N型GaAs衬底、GaAs-Si缓冲层、复合DBR结构、AlInP掺Si限制层、量子阱发光层、AlInP掺Mg限制层、GaP掺镁电流扩展及出光层、GaP掺碳欧姆接触层，其特征在于，包括通过以下步骤制备所述复合DBR结构：

2.根据权利要求1所述的红光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的红光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述m的取值范围为5≤m≤7，所述n的取值范围为20≤n≤24。

4.根据权利要求1所述的红光LED外延...

【技术特征摘要】

1.一种红光led外延结构的制备方法，所述红光led外延结构具有由下而上依次设置的n型gaas衬底、gaas-si缓冲层、复合dbr结构、alinp掺si限制层、量子阱发光层、alinp掺mg限制层、gap掺镁电流扩展及出光层、gap掺碳欧姆接触层，其特征在于，包括通过以下步骤制备所述复合dbr结构：

2.根据权利要求1所述的红光led外延结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的红光led外延结构的制备方法，其特征在于，所述m的取值范围为5≤m≤7，所述n的取值范围为20≤n≤24。

4.根据权利要求1所述的红光led外延结构的制备方法，其特征在于，所述x的取值范围为0.4≤x＜0.5。

5.根据权利要求2所述的红光led外延结构的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，贾钊，窦志珍，胡恒广，
申请(专利权)人：青岛旭芯互联科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：