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本发明公开了一种红光LED外延结构、LED芯片及其制备方法，红光LED外延结构具有复合DBR结构，方法包括通过以下步骤制备复合DBR结构：在GaAs‑Si缓冲层上方，生长m组Al<subgt;x</subgt;Ga<sub...
该专利属于青岛旭芯互联科技研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛旭芯互联科技研发有限公司授权不得商用。

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