【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种制备垂直排列单壁碳纳米管阵列的方法，具体而言涉及一种常压下 水分辅助化学气相沉积法制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法，属于纳米
技术介绍
碳纳米管是由碳原子形成的石墨片层卷曲而成的一维中空纳米材料。结构上的特 殊性决定了碳纳米管具有一系列优异的性能，如极高的机械强度、独特的导电性、良好的传 热能力、高的比表面积、化学稳定性、以及良好的场发射性能等等。因此，自从上世纪90年 代，碳纳米管一经发现就引起了国际学术界和产业界的广泛关注。在碳纳米管所构成的各种宏观体材料中，如碳纳米管纤维、碳纳米管纱线、碳纳米 管薄片等，垂直排列的碳纳米管阵列由于具有良好的方向性，因此可以最大程度地保留单 根碳纳米管的优异性质，可以广泛应用于场发射阴极材料、热界面材料、集成电路互连、传 感器、催化剂载体等方面。根据构成碳纳米管的石墨片的层数，碳纳米管通常分为单壁碳纳米管和多壁碳纳 米管两种。垂直排列的单壁碳纳米管阵列由于具有出色的导电性、结晶性和极高的比表面 积，因此在催化、吸附、过滤、储能及纳米电子器件等方面都具有重要的应用前景。从上世纪90年代开始，人们对...
【技术保护点】
一种制备垂直排列单壁碳纳米管阵列的方法，为基于常压化学气相沉积技术，以氧化铝负载的Ｆｅ为催化剂，惰性气体和氢气为载气，通过向生长气氛中添加５０－１０００ｐｐｍ浓度的水分，制得垂直于基片排列的单壁碳纳米管。
【技术特征摘要】
一种制备垂直排列单壁碳纳米管阵列的方法，为基于常压化学气相沉积技术，以氧化铝负载的Fe为催化剂，惰性气体和氢气为载气，通过向生长气氛中添加50 1000ppm浓度的水分，制得垂直于基片排列的单壁碳纳米管。2.如权利要求1所述制备垂直排列单壁碳纳米管阵列的方法，其特征在于，包括如下 步骤(1)将带有催化剂的基片放入化学气相沉积系统的石英管中，密封好后升温，升温过程 中以惰性气体和氢气作为保护气体，将反应体系从室温加热到生长温度；(2)达到生长温度后，先通入带有水分的惰性气体，保温1-10分钟；然后通入碳源气 体，生长5-30分钟；(3)生长结束后，除惰性气体外，关闭所有反应气体，并加大惰性气体流量吹扫尾气，同 时反应体系开始降温至室温获得垂直排列单壁碳纳米管阵列。3.如权利要求2所述制备垂直排列单壁碳纳米管阵列的方法，其特征在于，步骤1中 所述的升温过程为以室温为起点，将反应体系温度在10-15分钟内升至750-850°C。4.如权利要求2所述制备垂直排列单...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，杨俊和，王现英，杨光智，何星，唐志红，张磊，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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