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一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法技术
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文档序号:4080606
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本发明公开了一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法。具体而言,涉及一种常压下的水分辅助化学气相沉积方法,为以氧化铝负载的过渡金属Fe为催化剂,以惰性气体和氢气为载气,通过向化学气相沉积气氛中添加50-1000ppm浓度的水分以提高催化剂效...
该专利属于上海理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海理工大学授权不得商用。
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