【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体加工，具体涉及一种半导体反应腔室。
技术介绍
1、在半导体领域，受铝互联线存在rc延迟和电迁移问题导致集成电路的速度和稳定性下降等原因，越来越多的芯片选用铜作为互联工艺的材料。但是，由于铜的刻蚀难度相对较大，为此，通常先在衬底上形成沟槽和深孔，之后采用物理气相沉积的方式在深孔中沉积阻挡层和铜籽晶层，最后再利用电镀工艺将槽和孔填满。但是，随着芯片特征尺寸逐渐缩小，深孔的深宽比也越来越大，进而，在沉积铜籽晶层的过程中，铜可能因生长速度较快而封堵深孔的开口，导致深孔内存在空洞现象，造成芯片电学性能失效。
2、基于上述情况，目前通常利用加热灯等器件照射衬底，在热量的作用下，增强深孔内的铜的流动能力，使铜能够在毛细管力的作用下被吸入深孔的底部，填满深孔。但是，目前通常利用同一加热灯照射整个衬底，受照射距离不同等因素的影响，衬底上不同区域的被加热效果不同，这会对工艺的均匀性产生不利影响。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种半导体反应腔室，以解决目前采用同一加热灯照射整个衬底，导致衬底上不同区域的被加热效果不同，从而对工艺均匀性产生不利影响。
2、本申请实施例公开一种半导体反应腔室，其包括腔体、承载件和加热组件，所述承载件安装于所述腔体的底部，待加工件可承载于所述承载件；所述加热组件安装于所述腔体之内，所述加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于所述承载件之外；
3、所述半导体反应腔室还包括第一反射件和第二反射件，所
4、本申请实施例公开一种半导体反应腔室，其包括腔体和安装于腔体底部的承载件，以及安装于腔体之内的加热组件，加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于承载件之外，且为了使二者均可以自待加工件的下表面对待加工件进行加热，半导体反应腔室还包括第一反射件和第二反射件，第一反射件与第一环形加热件配合，且第二反射件与第二环形加热件配合，使得第一反射件能够反射第一环形加热件的热辐射至待加工件的外侧部分，且使第二反射件能够反射第二环形加热件的热辐射至待加工件的内侧部分，进而可以基于第一反射件和第二反射件的加热功率等参数，通过对第一反射件、第一环形加热件、第二反射件和第二环形加热件之间的位置关系等参数进行相应地调整，使待加工件的内侧部分和外侧部分的被加工效率和效果基本相当，进而使待加工件表面上的沉积层回流至不同位置的沟槽和/或通孔的底部的时间基本相当，提升待加工件的工艺均匀性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括腔体、承载件和加热组件，所述承载件安装于所述腔体的底部，待加工件可承载于所述承载件；所述加热组件安装于所述腔体之内，所述加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于所述承载件之外；
2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件和所述第二反射件的反射面均为弧形面，且所述第一反射件的反射面的曲率大于所述第二反射件的反射面的曲率。
3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的功率大于所述第一环形加热件的功率。
4.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，在所述腔体的轴向上，所述第一环形加热件位于所述第二环形加热件的上方。
5.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的直径小于所述第一环形加热件的直径。
6.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件在垂直于所述腔体的轴向的平面上的投影覆盖所述第二环形加热件在所述平面上的投影。
7.根据权利要求1所述的半导体反应腔
8.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室还包括上阻挡件和插销，所述上阻挡件包括顶部和侧部，所述顶部设置于所述第一环形加热件的上方，所述侧部连接于所述顶部靠近所述腔体的轴线的一侧，且所述侧部向靠近所述腔体的底部延伸，所述上阻挡件、所述第一反射件和所述第二反射件通过所述插销连接，以在所述腔体的径向和周向上固定所述上阻挡件、所述第一反射件和所述第二反射件。
9.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述半导体反应腔室包括第一安装架和第二安装架，所述第一安装架设有第一限位凹槽，所述第一环形加热件的一部分位于所述第一限位凹槽内，所述第二安装架设有第二限位凹槽，所述第二环形加热件的一部分位于所述第二限位凹槽内。
10.根据权利要求9所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一安装架和所述第二安装架的数量均为多个，多个所述第一安装架沿所述腔体的周向间隔分布，且均支撑所述第一环形加热件，多个所述第二安装架沿所述腔体的周向间隔分布，且均支撑所述第二环形加热件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括腔体、承载件和加热组件，所述承载件安装于所述腔体的底部，待加工件可承载于所述承载件；所述加热组件安装于所述腔体之内，所述加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于所述承载件之外；
2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件和所述第二反射件的反射面均为弧形面，且所述第一反射件的反射面的曲率大于所述第二反射件的反射面的曲率。
3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的功率大于所述第一环形加热件的功率。
4.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，在所述腔体的轴向上，所述第一环形加热件位于所述第二环形加热件的上方。
5.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的直径小于所述第一环形加热件的直径。
6.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件在垂直于所述腔体的轴向的平面上的投影覆盖所述第二环形加热件在所述平面上的投影。
7.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件包括反射本体和遮挡部，所述反射本体用于反射所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：任西鹏，俞振铎，佘清，邓斌，李冰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。