【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体加工，具体涉及一种半导体反应腔室。
技术介绍
1、在半导体领域，受铝互联线存在rc延迟和电迁移问题导致集成电路的速度和稳定性下降等原因，越来越多的芯片选用铜作为互联工艺的材料。但是，由于铜的刻蚀难度相对较大，为此，通常先在衬底上形成沟槽和深孔，之后采用物理气相沉积的方式在深孔中沉积阻挡层和铜籽晶层，最后再利用电镀工艺将槽和孔填满。但是，随着芯片特征尺寸逐渐缩小，深孔的深宽比也越来越大，进而，在沉积铜籽晶层的过程中，铜可能因生长速度较快而封堵深孔的开口，导致深孔内存在空洞现象，造成芯片电学性能失效。
2、基于上述情况，目前通常利用加热灯等器件照射衬底，在热量的作用下，增强深孔内的铜的流动能力，使铜能够在毛细管力的作用下被吸入深孔的底部，填满深孔。但是，目前通常利用同一加热灯照射整个衬底，受照射距离不同等因素的影响，衬底上不同区域的被加热效果不同，这会对工艺的均匀性产生不利影响。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种半导体反应腔室，以解决目前采用同一加热灯...
【技术保护点】
1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括腔体、承载件和加热组件，所述承载件安装于所述腔体的底部，待加工件可承载于所述承载件；所述加热组件安装于所述腔体之内，所述加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于所述承载件之外；
2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件和所述第二反射件的反射面均为弧形面，且所述第一反射件的反射面的曲率大于所述第二反射件的反射面的曲率。
3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的功率大于所述第一环形加热件的功率。
4.根据权利要求1所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括腔体、承载件和加热组件，所述承载件安装于所述腔体的底部，待加工件可承载于所述承载件；所述加热组件安装于所述腔体之内，所述加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于所述承载件之外；
2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件和所述第二反射件的反射面均为弧形面，且所述第一反射件的反射面的曲率大于所述第二反射件的反射面的曲率。
3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的功率大于所述第一环形加热件的功率。
4.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，在所述腔体的轴向上，所述第一环形加热件位于所述第二环形加热件的上方。
5.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第二环形加热件的直径小于所述第一环形加热件的直径。
6.根据权利要求4所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件在垂直于所述腔体的轴向的平面上的投影覆盖所述第二环形加热件在所述平面上的投影。
7.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述第一反射件包括反射本体和遮挡部，所述反射本体用于反射所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：任西鹏，俞振铎，佘清，邓斌，李冰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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