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本申请公开一种半导体反应腔室，其包括腔体、承载件和加热组件，承载件安装于腔体的底部，待加工件可承载于承载件；加热组件安装于腔体之内，加热组件包括第一环形加热件和第二环形加热件，二者均环绕于承载件之外；半导体反应腔室还包括第一反射件和第二反射...
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