【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施方式涉及半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。
技术介绍
1、需要一种能够在需要数据存储的数据存储系统中存储高容量数据的半导体器件。因此，已经研究了一种用于增大半导体器件的数据存储容量的方法。
技术实现思路
1、实施方式针对一种半导体器件。该半导体器件可以包括：源极结构，包括板层和依次堆叠在板层上的第一和第二水平导电层；栅电极，在垂直于源极结构的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；以及沟道结构，穿透栅电极，在第一方向上延伸，并且包括与第一水平导电层接触的沟道层。半导体器件可以包括分离区，该分离区穿透栅电极并在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一水平导电层可以在分离区下方水平延伸，并且具有在第一方向上与分离区重叠的接缝。
2、实施方式还针对一种半导体器件。该半导体器件可以包括：源极结构，包括板层和在板层上的水平导电层；栅电极，在垂直于源极结构的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开；以及沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸，并且包括与水平导电层接触的沟道层。半导体器件可以包括分离区，该分离区穿透栅电极并在第一方向上和在垂直于第一方向的第二方向上延伸。水平导电层可以具有在第一方向上与分离区重叠并从水平导电层的下表面突出到板层中的下突起。
3、实施方式还针对一种数据存储系统。该数据存储系统可以包括半导体存储器件，半导体存储器件包括基板、在基板上的电路器件、在电路器件上的下互连线以及电连接到电路器件的输入/输出焊盘。数据存储系统可
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一水平导电层具有下突起，所述下突起在所述第一方向上与所述分离区重叠，从所述第一水平导电层的下表面延伸，并突出到所述板层中。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述第一水平导电层中，所述下突起的下端在第一水平上，并且与所述沟道层接触的下端区域在第二水平上，所述第二水平在所述第一方向上在所述第一水平之上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在所述下突起和所述沟道结构之间的所述第一水平导电层的所述下表面在第三水平上，所述第三水平在所述第一方向上在所述第二水平之上。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一方向上，所述第一水平导电层的所述下突起的下端的水平等于或低于所述沟道结构的下端的水平。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一水平导电层在其上表面上具有上弯曲部分，并且所述上弯曲部分朝向所述板层向下弯曲。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二水平导电层具有在所述第一方向上与所述分离区重叠的开口。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述分离区在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上在所述第二水平导电层的所述开口上具有第一宽度，并且在所述第三方向上在所述开口内具有小于所述第一宽度的第二宽度。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述开口的宽度在从约60nm到约100nm的范围内。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述分离区沿着所述第二水平导电层的端部弯曲。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一水平导电层中，所述接缝在所述第一方向上具有第一长度，并且在垂直于所述第一方向的水平方向上具有大于所述第一长度的第二长度。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述源极绝缘层具有从所述第一水平导电层的所述上表面突出到所述分离区中的形状。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述水平导电层的上表面的在所述第一方向上与所述下突起重叠的部分与所述分离区的下表面接触。
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述水平导电层在所述分离区下方水平延伸。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述水平导电层具有在所述第一方向上与所述分离区重叠的接缝。
19.一种数据存储系统，包括：
20.根据权利要求19所述的数据存储系统，其中，在所述水平导电层中，沿所述第一方向与所述分离区重叠的第一区中的下表面在第一水平上，与所述沟道层接触的第二区中的下端在第二水平上，所述第二水平在所述第一方向上在所述第一水平之上，并且在所述第一区和所述第二区之间的第三区中的下端在第三水平上，所述第三水平在所述第一方向上在所述第二水平之上。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一水平导电层具有下突起，所述下突起在所述第一方向上与所述分离区重叠，从所述第一水平导电层的下表面延伸，并突出到所述板层中。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述第一水平导电层中，所述下突起的下端在第一水平上，并且与所述沟道层接触的下端区域在第二水平上，所述第二水平在所述第一方向上在所述第一水平之上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在所述下突起和所述沟道结构之间的所述第一水平导电层的所述下表面在第三水平上，所述第三水平在所述第一方向上在所述第二水平之上。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在所述第一方向上，所述第一水平导电层的所述下突起的下端的水平等于或低于所述沟道结构的下端的水平。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一水平导电层在其上表面上具有上弯曲部分，并且所述上弯曲部分朝向所述板层向下弯曲。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二水平导电层具有在所述第一方向上与所述分离区重叠的开口。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述分离区在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上在所述第二水平导电层的所述开口上具有第一宽度，并且在所述第三方向上在所述开口内具有小于所述第一宽度的第二宽度。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述开口的宽度在从约60nm到约100nm的范围内。
【专利技术属性】
技术研发人员：郑圣熙，金亨珍，申重植，韩智勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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