【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、一些计算机等电子设备中常用的半导体装置，例如，动态随机存储器(dynamicrandom access memory，dram)，由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅电极与字线电连接、源电极与位线电连接、漏电极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、目前，该些半导体装置的主流结构是位线(bit line)和电容(capacitor)都在字线(word line)的同一侧，在制备dram时先形成字线，再形成位线，最后形成电容。在该种dram结构中，由于位线和电容位于字线的同一侧，使得字线一侧的空间比较拥挤，不利于位线及电容的制作，增大了制备的工艺难度。
3、因此，如何降低制备的工艺难度，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开所要解决的技术问题是，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺将所述第一基底与所述第二基底连接。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，将所述第一基底与所述第二基底连接的步骤之前还包括：减薄所述第一基底，暴露出所述有源区的第二端。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在执行键合工艺之前还包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺将所述第一基底与所述第二基底连接的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺将所述第一基底与所述第二基底连接。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，将所述第一基底与所述第二基底连接的步骤之前还包括：减薄所述第一基底，暴露出所述有源区的第二端。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在执行键合工艺之前还包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺将所述第一基底与所述第二基底连接的步骤包括：
6.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺将所述第一基底与所述第二基底连接包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一基底的所述第一表面形成第一接触结构的步骤包括：在所述第一基底的所述第一表面形成第一接触层，所述第一接触层包括第一填充层及设置在所述第一填充层内的所述第一接触结构；
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述电荷存储结构的步骤之后包括：形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述电荷存储结构表面及所述第一基底的表面；在将所述第一基底与所述第二基底连接的步骤之后包括：自所述第一基底背离所述第二基底的一侧形成字线引出结构、位线引出结构及电荷存储引出结构，所述字线引出结构贯穿所述第一层间介质层并与所述字线电连接、所述位线引出结构贯穿所述第一层间介质层及所述第一基底并与所述位线电连接，所述电荷存储引出结构贯穿所述第一层间介质层并与所述电荷存储结构电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括核心区及外围区，所述字线、所述位线及所述电荷存储结构位于所述核心区，在形成所述第一基底的步骤中，在所述外围区还形成字线连接结构，所述字线连接结构与所述字线电连接；在形成所述第二基底的步骤中，在所述外围区还形成位线连接结构，所述位线连接结构与所述位线电连接；自所述第一基底背离所述第二基底的一侧形...
【专利技术属性】
技术研发人员：桂辉辉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。